【課題】リボンビームの角度均一性およびドーズ量均一性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】リボンビームの均一性向上装置は第一の補正器―バーアセンブリ３０２と、その下流に距離Ｄだけ離れた位置に配置された第二の補正器―バーアセンブリ３０４とから構成される。各補正器は磁心部とその周りに配された複数のコイルを含み、コイルは個々に励起される。リボンビーム３０の各ビームレット３１〜３７は第一の補正器で個々に偏向される。例えば、ビームレット３２は小さな角度θで偏向される。各ビームレットは第二の補正器の位置で空間的に再配置され、ドーズ量均一性を向上できる。さらに、各ビームレットは第二の補正器で偏向されて平行にされる。すなわち角度均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１７へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室２０または真空処理室３０内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計２１で計測される１個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと１個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。 （もっと読む）

【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム２の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム２の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極５と偏向されたイオンビーム２を部分的に遮蔽する遮蔽部材６を備えている。また、偏向電極５はイオンビーム２の短辺方向からイオンビーム２を挟んで対向配置された１枚の平板電極１１と電極群１２で構成されている。そして、平板電極１１は電気的に接地されているとともに、電極群１２を構成する複数の電極１３〜１７は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源Ｖ１〜Ｖ５が個別に接続されている。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４の経路に向けて測定ビーム１２を放射するための測定ビーム源２０と、イオンビーム１４によって反射された測定ビーム１２、またはイオンビーム１４を透過した測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４に関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Ｄａは、光源部１ａおよび変調部２ａによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体ＳＭに照射し、測定波生成部６で生成された測定波をイオン注入半導体ＳＭに照射し、検出部１０ａによってイオン注入半導体ＳＭで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部１４２ａによって、検出部１０ａの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４との間に相互作用を生じる測定ビーム１２を発するための測定ビーム源２０と、測定ビーム源２０から発せられイオンビーム１４に照射された測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビームに関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供するビームモニタであってもよい。 （もっと読む）

【課題】従来のイオン源に比べて、フィラメント（カソード）の断線が少なく、安定して、大型かつ大電流のイオンビームを生成する。
【解決手段】イオン源８は、スリット状開口部１１を有し、内部に突出した先端部がプラズマ３に接触しない位置に配置された少なくとも１つのカソード２を備えたプラズマ生成容器Ｕ１１〜Ｕ４２を複数備えている。さらに、スリット状開口部１１の長手方向に沿って各プラズマ生成用器内Ｕ１１〜Ｕ４２に磁場を発生させる磁場生成手段１２と、スリット状開口部１１を通して、断面形状が略長方形状のリボン状のイオンビーム１９を引き出す引出電極６とを備えている。そして、略長方形状断面の短手方向から見たとき、各プラズマ生成容器Ｕ１１〜Ｕ４２から引き出されたリボン状のイオンビーム１９の略長方形状断面の長手方向における一端部が互いに重なっている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入システムを提供する。
【解決手段】イオン注入システムは、イオンビーム生成器、質量分離装置、ホルダー装置、及び、第一検出器を含む。イオンビーム生成器は第一イオンビームを生成する。質量分離装置は、第一イオンビーム中から、必要なイオンを含む第二イオンビームを分離する。ホルダー装置は少なくとも一つの基板を固定する。ホルダー装置、及び、第一検出器は、第二イオンビームに相対して、第一方向に沿って相対往復移動して、基板、及び、第一検出器を第二イオンビームの投射領域に通過させる。第一検出器は、第二イオンビームの関連パラメータを取得する。上述のシステムは、イオン注入実行時、イオンビームの関連パラメータを取得して、システムが、直ちに、製造パラメータを調整して、好ましいイオン注入効果を達成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入方法において、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、それぞれの注入領域のビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現する。
【解決手段】各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御し、ウエハスキャン速度を各注入領域ごとに制御することにより、ウエハ面内の各注入領域のイオン注入量を制御するとともに、前記各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とするよう構成し、各注入領域に所望のイオン注入量分布を有するイオン注入を実現する。 （もっと読む）

【課題】２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。
【解決手段】イオンビーム照射処理を１往復行った後、基板回転機構７０を制御し、基板２を１８０度回転させた後、イオンビーム照射装置１００に再投入し、イオンビーム照射処理未完了の範囲をイオンビーム照射し、基板の全面にイオンビーム照射させることを特徴としたイオンビーム照射方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対するイオンの注入状態を適切に調整すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、検出工程と、算出工程と、調整工程とを含む。検出工程では、半導体基板へ照射されるイオンビームの断面形状であるビーム形状および前記イオンビームのビーム電流を検出する。算出工程では、前記検出工程によって検出された前記ビーム形状および前記ビーム電流に基づき、単位面積あたりの前記ビーム電流であるビーム電流密度を算出する。調整工程では、前記算出工程によって算出された前記ビーム電流密度に基づいて前記イオンビームを調整する。 （もっと読む）

【課題】複数本のリボン状イオンビームを少なくとも部分的に重ね合わせてガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入方法において、各リボン状イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】複数のイオンビーム供給装置のビーム立上げ操作を開始させた後、各装置のビーム立上げ操作の完了を個別に検出することで、もっともビーム立上げ操作の完了が遅いとされるイオンビーム供給装置を特定する。その後、各イオンビーム供給装置より供給されるリボン状イオンビームによってガラス基板上に形成されるイオン注入量分布を重ね合わせた際、この重ね合わせによる注入量分布が予め決められた所定の分布となるように、特定されたイオンビーム供給装置より供給されるリボン状イオンビームのビーム電流密度分布の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。
【解決手段】ビームチューニングにおいて、ビームスキャン幅最大（ＢＳＷ１）時のビーム電流のスキャン（Ｘ）方向分布特性を測定し、このときのスキャン電圧補正関数１５ｗを演算する。これに基づいて横（Ｘ）方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各ビームスキャン幅（ＢＳＷ１〜３等）に対応する各スキャン電圧補正関数１５ｗを複数個自動計算する。続いて、メカニカルＹスキャン位置に応じてスキャン電圧補正関数を切り替えてウエハの片側のビームスキャンエリアをＤ形状にしてビームスキャンエリアを削減する。別の片側は一定のスキャンエリアであり、こちら側のサイドカップ（Ｐ１側の７６）のビーム電流を測定し、その測定値に応じてメカニカルＹスキャン速度を変化させることにより、縦（Ｙ）方向ドーズ量均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】時々刻々と変化する処理室内での圧力変動に応じて、ターゲットに照射されている実質的なビーム電流の値を算出可能にするとともに、ターゲットのチャージアップに起因するゆらぎの影響を受けずに正確なビーム電流の測定を可能とするビーム電流測定器を備えたイオン注入装置を提供する。
【手段】このイオン注入装置１は、処理室７内の圧力を測定する圧力計８と、イオン源２とターゲット９との間に配置されているとともに、イオンビーム３のビーム電流を部分的に測定するビーム電流測定器６と、圧力計８による測定値が予め決められた基準値以上となった時、少なくともビーム電流測定器６の測定結果に基づいて、ターゲット９に所定量のイオンビームが照射されるように、イオン注入パラメーターを調節する制御装置１２と、を備えている。
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【課題】ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 （もっと読む）

【課題】複数のイオンビーム供給装置の各々から処理室内に供給されるリボン状イオンビームの長辺方向と略直交する方向にガラス基板を搬送させ、ガラス基板の全面に渡って、各リボン状イオンビームによる照射領域を重ね合わせて、ガラス基板上に略均一なイオン注入量分布を形成するイオン注入装置において、イオン注入条件に応じて、各イオンビームにおけるビーム電流密度分布の調整目標を設定し、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】イオン注入装置に設定されるイオン注入条件に基づいて、調整目標設定データを検索する。調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも１本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】このイオン注入方法は、予め決められた順番で、複数本のリボン状イオンビームの各々が所定の電流密度分布となるように調整されるビーム電流密度分布調整工程と、ビーム電流密度分布調整工程の間であって、２本目以降の各イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整がなされる前に、先になされたビーム電流密度分布の調整結果を用いて、これからビーム電流密度分布の調整がなされるイオンビームに対する調整目標とされるビーム電流密度分布を修正する目標修正工程と、複数本のリボン状イオンビームの長辺方向と交差する方向にガラス基板を搬送させるガラス基板搬送工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室１０ａ、１０ｂと、１枚以上の基板２を搬送する基板搬送装置と、各処理室１０ａ、１０ｂにＺ方向に長いリボン状のイオンビーム５４ａ、５４ｂをそれぞれ供給して、基板搬送と協働して、基板２上に二つのビーム照射領域を、互いにＺ方向の一部分を重ね合わせて形成するイオンビーム供給装置５０ａ、５０ｂとを備えている。更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 （もっと読む）

ビームラインに沿って圧力の増加を被るイオンビームの注入の均一性を向上させるための方法および装置が提供される。本方法は、実質的に一定の速さにてワークピースを横切るイオンビームを動かす、メインのスキャン波形を生成する工程を含む。一定の高さおよび波形を有している補正波形（例えば、二次波形）もまた生成されて、メインのスキャン波形と混合され（例えば、可変のミキサーによって）、ビームのスキャン波形を形成する。混合比は、瞬時の減圧信号によって調整され得る。当該調整は、スキャン波形を連続的に修正するのに比べ、非常に速い速度にて、非常に容易に実施され得る。混合は、ビームがワークピースを横切って動く際のイオンビームの速さを変える不定の傾きを有するビームのスキャン波形を供給する。従って、不定の傾きを有する、得られるビームのスキャン波形は、高速スキャンの方向に沿うドーズにおける不均一性を補償する。
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