【課題】 立体的な試料を断面加工し、観察するための新たな方法の提供を課題とする。
【解決手段】 集束イオンビーム加工観察装置で立体的な試料を断面加工し、得られた断面を観察する方法において、試料直上に試料表面を保護するためのマスクとして前記装置内に設けられた可動式プローブを用い、該可動式プローブを試料の０．５〜５μｍ上方に配置して断面加工することを特徴とする試料の断面加工方法である。前記可動式プローブは、その先端を予め所望の断面加工の形状にして使用する。 （もっと読む）

【課題】 従来の電子顕微鏡用試料作製技術では、試料の断面薄膜化試料を作製するのみで、薄膜の状態のデバイス試料に電圧を印加し、デバイスを動作させることができなかった。
【解決手段】 収束イオンビーム装置内に複数のプローブを設け、プローブ間には自由に電圧を印加できる構成とする。また、プローブ間の電流を測定し、電流の有無を判定できる検知器を設ける。プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。電子顕微鏡の試料ホルダには、この電流導入端子に接触し、電子顕微鏡外部から電圧を印加できる電流導入機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】 試料の表面にイオンビームを照射して加工する際に、試料の損傷を最小限とする集束イオンビームの加工方法を提供する。
【解決手段】 イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。この際、加速電圧によって生じるイオンビームＢのエネルギー範囲を１ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ未満に設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、撮像素子、表示素子等の製造において、製造途上にあるウエハの堆積膜膜厚を精度良く検査する。
【解決手段】集束イオンビーム装置と走査型透過電子顕微鏡とからなる一台の装置に検査対象の半導体ウエハもしくはその類似素子を装填し、集束イオンビームによってウエハから試料を切り出す。切り出した試料は観測用ホルダに搭載し、薄膜化し、薄膜化した試料中の膜の膜厚を走査型透過電子顕微鏡によって測定する。 （もっと読む）

【課題】グレートーンのパターン膜の欠陥領域を確実に修正して所定の光透過率にする。
【解決手段】 FIB-CVD膜を形成する前に、欠陥の一部でパターン膜が正常な厚さでないながら残っている領域８ｂに集束イオンビームを照射して除去して、欠陥領域にはパターン膜が除去された状態にする前工程を設け、前工程後の欠陥領域の境界から前記集束イオンビームの半径に依存した寸法だけ内側の領域をFIB-CVD膜形成のための集束イオンビーム照射領域１０ｅとし、有機化合物蒸気吹付けと共に前記集束イオンビームを所定回数照射して、前記パターン膜と重ならない領域に所定の光透過率を持つFIB-CVD膜を形成した。また前工程とFIB-CVD膜を形成する工程の途中に同一の参照パターンの位置確認を行なって欠陥に照射する集束イオンビームの照射位置のドリフト補正を行った。 （もっと読む）