【課題】Ｅ×Ｂウィーン質量フィルタにおいて、質量フィルタの入射側及び出射側エンドキャップでの磁場分布を調整するための方法及び構造を提供する。
【解決手段】戻り経路の磁束の磁気抵抗は、入射側及び出射側エンドキャップの外径に設けられたスロット内に複数の磁気シムを設けることによって、さらに、入射側及び出射側アパーチャを囲む円形の磁束ダム内に複数の磁気プラグシムを設けることによって、変更可能である。磁場を完全に機械的に調整することの利点としては、従来の電磁石の調整方法と比較して、高い信頼性、簡素化、低コスト及び消費電力の節約を含む。質量分離の磁場を生成するため、永久磁石及び電磁石のいずれかを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームシステムで使用するための大開口のウィーンＥ×Ｂ質量フィルタを提供する。
【解決手段】Ｅ×Ｂウィーン質量フィルタが、質量分離するために必要な電気双極子の電場と組み合わされた独立して調整可能な電場を提供する。独立して調整可能な電場は、より大きな光学的アパーチャを提供でき、非点収差を補正し、かつ磁場に平行及び／又は垂直な方向にビームを偏向するように使用可能である。 （もっと読む）

【課題】複数のイオン源から所望のイオン種を色収差なく選別する集束イオンビーム装置用の質量フィルタを提供する。
【解決手段】イオン源１１４により生成された複数のイオン１１０は、上部レンズ１０６により略平行なビーム３１０となり質量フィルタ３０４に入射する。質量フィルタ３０４は、互いの中心軸がオフセットされた上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕおよび下部ＥＸＢフィルタ３０６Lより構成され、ビーム３１０を質量毎に分離偏向した後、光軸３８０に平行な軌道として出射する。この際、上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕにより生じる色収差は下部ＥＸＢフィルタ３０６Ｌにより打ち消される。その後、質量分離アパーチャ３４２により所望のイオン３３２のみを通過させ下部レンズ１０８により基板１１２上に集束する。 （もっと読む）

【課題】同一のイオン源から引き出した複数のイオンビームを用いて、試料の加工と観察を可能にするイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２つ備え、各々のガス系統においてガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源を用いて、質量数の異なる少なくとも２種類のガスイオンを生成して、試料の加工時と観察時でガスイオンビーム種の切り替えを可能とする。 （もっと読む）

【課題】FIB加工における加工効率を低下させずにリアルタイムでSEM観察を可能にする技術を提供する。
【解決手段】本発明では、FIBカラムとSEMカラムを備える複合荷電粒子線装置に、電子ビームを試料に照射したときに発生する後方散乱電子が試料室の構造物に衝突することによって放出される二次電子（本明細書では、三次電子という）を検出するSE3検出器を設けている。そして、この三次電子を用いてSEM像を生成し、そのSEM像によって、イオンビームによる加工の状態を観察することが可能なようになっている。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることがなく，且つ高速の振動にも追従することが可能な制振機能に優れたビーム照射装置を提供すること。
【解決手段】加速器より射出されるイオンビーム若しくは電子ビームを，電界及び／若しくは磁界による質量分離装置及びビーム収束装置を備えたビームラインを経てチャンバ中の試料に入射するビーム照射装置に関する発明であり，前記ビームライン中を通過するビームの前記試料に対する振れを直接または間接的に検出し，検出されたビームの試料に対する振れに基づいて振れを消去するように質量分離装置及び／若しくはビーム収束装置を制御するビーム照射装置。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム装置は第１軸１４２に沿って放射されるイオンビーム１７０を発生させるためのイオンビーム源１１０と、イオンビームを整形するよう適合された開口ユニットと、所定の質量のイオンビームのイオンを偏向角でもって偏向するよう適合された収差補正型偏向ユニット１６２を含む。収差補正型偏向ユニットは電場を発生させるための電場発生コンポーネントと、実質的に電場に直交する磁場を発生させるための磁場発生コンポーネントを含む。装置は所定の質量とは異なる質量のイオンをブロックし、かつ既定の質量を有するイオンがその内部に侵入可能となるよう適合された質量分離開口部１５４と、第１軸に対して傾斜した第２光軸を有する対物レンズ１２４を更に含む。 （もっと読む）

【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源１からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第１の試料ステージ１３に載置された試料１１に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片３０３を載置する第２の試料ステージ２４が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第２の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短時間で良好な試料の断面観察を行うことが可能な収束イオンビーム加工観察装置を備える試料解析装置を提供する。
【解決手段】 試料６に対して収束イオンビームを照射して試料６を加工し観察する収束イオンビーム加工観察装置２と、蒸着手段を備え試料６の表面に蒸着膜を形成する真空蒸着装置３と、収束イオンビーム加工観察装置２と真空蒸着装置３とを連通し収束イオンビーム加工観察装置２と真空蒸着装置３の真空を破らずに試料６を収束イオンビーム加工観察装置２と真空蒸着装置３との間で移動させる連通路４と、連通路４の開閉を行う開閉手段５とを設ける。これにより、真空蒸着装置で蒸着膜を試料表面に積層して直ぐに該試料６を収束イオンビーム加工観察装置２に移動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はイオンビーム加工装置に関し、ＴＥＭに用いて好適な試料を遮蔽板を使用せずに作製することができるイオンビーム加工装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 イオンビームを用いて試料を加工する装置において、イオン源１と試料４の間にウィーンフィルタ２を配置し、イオン源１からのイオンビームを前記ウィーンフィルタ２を通すことで、ビームの形状を試料の加工に適した形に整形するように構成する。このように構成すれば、ＴＥＭに用いて好適な試料を遮蔽板を使用せずに作製することができる。 （もっと読む）