【課題】 １つの装置でウエーハと微小サンプルの両方を扱えるようにし、一連のウエーハ、微小サンプルの加工、高解像度の分析等の処理を簡単にする。
【解決手段】 イオンビーム３は収束、走査偏向され、微小サンプル５上の所望の微小領域に照射される。照射された部分はスパッタ、除去される。このエッチング加工処理により、サンプルに穴あけ加工、切断加工、薄膜化加工を行うことができる。電子ビーム４は収束、走査偏向され、微小サンプル５の上の所望の微小領域に照射される。微小サンプル用ホルダ７に保持・搭載された微小サンプル５に照射するイオンビームや電子ビームは、ウエーハ６やウエーハホルダ９上に搭載した微小サンプル１０に照射する場合よりも、対物レンズとサンプルとの距離であるワーキングディスタンス（ＷＤ）を短くできるため、より細く収束することができる。従って、加工、観察、分析をより高解像度に行うことができるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】
２つのビーム軸を有する荷電ビーム装置において、２つのビーム軸を交差させる軸合わせを効率化する。
【解決手段】
重力方向の第１ビーム軸を有する第１のビーム照射系と、重力方向に対して傾斜した第２ビーム軸を有する第２のビーム照射系と、有する荷電ビーム装置において、先ず、試料を上下方向に移動させて、第１ビーム軸と試料の表面の交点Ｏｉと第２ビーム軸と試料の表面の交点Ｏｅの間のＸｉ方向の距離ΔＸｉをゼロにする。次に、第２のビーム照射系を水平方向に移動させて、第１ビーム軸と試料の表面の交点Ｏｉと、第２ビーム軸と試料の表面の交点Ｏｅの間のＹｉ方向の距離ΔＹｉをゼロにする。こうして粗調整を行った後に、微調整を行う。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工とＳＥＭ観察の繰返しによる加工断面の奥行き方向のＳＥＭ観察において、加工断面が奥行き方向に移動することに伴って発生するＳＥＭ観察の観察視野ずれと焦点ずれを補正する。
【解決手段】断面加工領域の表面の高さと傾き情報を加工に先立って算出し、これらの情報を利用して、加工時における加工断面の移動量に応じたＳＥＭ観察の観察視野ずれと焦点ずれを予測し、この予測値に従ってＳＥＭを制御する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した試料面は平坦であり、走査電子顕微鏡での構造観察には適していなかった。
【解決手段】材料毎のスパッタイールド差を大きくするアシストガスを利用した集束イオンビームアシストエッチングにより、構造毎の微小凹凸を形成することで、走査電子顕微鏡観察に適した試料作製を実現する。 （もっと読む）

【課題】 試料表面の穴にデポジション膜を正確に形成することができる技術を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、試料表面に穴をあけ又は試料表面の穴にデポジション膜を形成するイオンビーム加工・観察装置に関する。イオンビーム加工・観察装置には、試料表面の穴の深さ又は穴に形成されたデポジション膜の高さを計測する計測器が設けられている。試料表面の穴あけ加工中又は試料表面の穴埋め加工中、穴を含む領域の像と穴の深さ又はデポジション膜の高さが表示される。 （もっと読む）

【課題】最小限のイオンビーム照射で電子ビームとイオンビームの位置合わせを行い、イオンビームによるダメージを低減させた複合荷電粒子ビーム装置を提供する。更にイオン顕微鏡観察による位置特定が困難なイオンビーム照射においても電子ビーム照射にて位置特定することを可能にした複合荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】ＳＥＭ鏡筒２とＦＩＢ鏡筒１と二次電子検出器４とを備えた複合装置において、ＳＥＭ鏡筒から電子ビームを試料面に走査し試料面上にマイナスの電荷を帯電させると共にその顕微鏡画像（ＳＥＭ像）を観察する。観察しながらこの帯電した領域にＦＩＢ鏡筒からプラスイオンを照射すると、ＦＩＢ照射位置にコントラスト変化が現れる。このコントラスト変化位置を測定することでＦＩＢ照射位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】 低速の多価イオンを用いて空間的に正確で、かつ、イオン注入量などを精密に制御できる多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 多価イオン照射装置３０は、多価イオン発生源１と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイド３３と、試料３５を搭載する可動の試料台３６と、二次電子検出器３８と、を含み、多価イオン３４を可動の試料台３６の制御により試料３５の所定位置に照射する。多価イオンガイド３３の他端部はキャピラリー部からなっている。多価イオンガイド３３で収束した多価イオン３４を、試料３５に空間分解能が高く、かつ、正確なドーズ量で照射することができる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームにより試料体が切除されて観察断面が更新された際に、観察断面に対する電子ビームの焦点を合わせるようにする。
【解決手段】 試料体２００にイオンビームＩＢを照射して観察断面２０２を形成するイオン銃１０２と、イオン銃１０２により形成された観察断面２０２に電子ビームＥＢを照射する電子銃１０４と、観察断面２０２と電子ビームＥＢの焦点との関係を調整する焦点調整部１０６と、イオン銃１０２のイオンビームＩＢの照射による試料体２００の切除量に基づいて、焦点調整部１０６を制御する焦点制御部１０８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】 FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】 分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 被加工物を外部に出さずに、容易に移し変えて効率良く加工を行うこと。
【解決手段】 予め決められた範囲の観察領域Ｗ内で被加工物Ｄ、Ｌを観察しながら集束ビームＢを照射して被加工物Ｄ、Ｌを加工する際に用いられるものであって、被加工物Ｄ、Ｌを上面２ａ、３ａにそれぞれ載置可能な載置台２、３を複数有するテーブル１０と、載置台２、３をそれぞれ上面２ａ、３ａに垂直なＺ軸回りに回転させると共に、上面２ａ、３ａを任意の角度に傾斜させる回転傾斜手段１１とを備え、テーブル１０が、観察領域Ｗ内に、複数の載置台２、３をそれぞれ配置させるように移動可能とされている加工用ステージ４を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

【課題】二つの荷電粒子ビームが同一の観察点に集束するための試料の高さを算出して、試料台を傾斜することなく、短時間で精度良くかつ容易に試料の高さ調整を行う。
【解決手段】イオンビーム２ｂ照射による二次電子像と電子ビーム１２ｂ照射による二次電子像の倍率と、イオンビーム２ｂ照射による二次電子像の観察点と電子ビーム１２ｂ照射による二次電子像の観察点との距離から、イオンビーム２ｂと電子ビーム１２ｂが同一の観察点に集束するための前記試料の高さを計算手段１４で算出する。 （もっと読む）

【課題】 基板１０２の表面に位置する被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭで観察すると、ＳＥＭでの観測に用いる電子線が蓄積され、観察面１０７がチャージアップしてしまい、観察面１０７に蓄積された電荷の影響により、観察面１０７上に入射された電子が反射されることにより、観察像が白く光り、ＳＥＭによる観察が困難であった。
【解決手段】 集束イオンビームを用いて、被観察体１０５の深さよりも深く、かつ被観察体１０５を囲うような溝状の接地された導電体１０３で被観察体１０５の外周の少なくとも一部を囲むようにした。被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭ観察する際の電子線の照射により蓄積された電荷を効率的に導電体１０３に逃がすことができるため、チャージアップによる断面像の乱れを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 チップ１０１の表面をスライスするように除去し、ＳＥＭ１０７により断面観察を行なう工程を繰り返し、３次元像を形成する場合、チップ１０１表面の保護膜１０２が一番先に除去されるため電荷の放出経路がなくなり、チャージアップ現象が発生してしまう。
【解決手段】 斜面１０５を、チップ１０１の表面に対向する位置にある観察面１０６の観察を行なう場合にＳＥＭ１０７からの電子線を遮らぬようＦＩＢを用いて形成する。観察面１０６をＳＥＭ１０７で観察した後、観察面１０６をスライスするように除去し、再びＳＥＭ１０７により新たな観察面の観察を行なう。チップ１０１の表面部には導電性の保護膜１０２が形成されているため、最表面までスライスして除去しても、電荷の逃げ道が確保されているため、チャージアップ現象を防止できる。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
（もっと読む）

【課題】高加速電圧で収差補正機能を備えた荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線源と該荷電粒子線源から荷電粒子を引き出すための引き出し電極と荷電粒子線の収束手段を含む荷電粒子線銃と、該粒子線銃から放出された荷電粒子線を加速する加速手段と前記粒子線銃と加速手段の間に収差補正手段を設けて、引き出し電位あるいは、それとほぼ同等の加速初期段階のビームに、試料面上での粒子線プローブの収差をキャンセルするだけの収差を与えることにより上記課題を、解決する。 （もっと読む）

【課題】プローブ交換時における装置の停止時間を短縮し、装置稼働率を向上させるマニピュレータを提供する。
【解決手段】真空チャンバにエアロック室を設け、このエアロック室を、本体の真空チャンバと真空ベローズで接続する。エアロック室にはプローブホルダを取り付け、本体に設けた移動機構によりエアロック室ごとプローブを移動する。エアロック室は排気ポートから真空排気を可能とし、エアロック室と真空チャンバの間を真空バルブで仕切る。プローブはエアロック室と真空チャンバの間を移動できるよう、第２の移動機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電圧ケーブルが不要で耐振動性能でも有利な荷電粒子線装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム発生源と、荷電粒子ビームが照射される試料を載置する加工用の試料台と、荷電粒子ビーム発生源に加速電圧を印加する荷電粒子ビーム発生源用高電圧電源と、試料に照射する荷電粒子ビームの照射速度を減速する減速電圧を加工用の試料台に印加する減速手段とを備え、減速手段は、昇圧電源部と、低圧供給用外部電源部とを有し、昇圧電源部を加工用の試料台に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
試料から分析や観察に必要な部分のみの試料片を短時間に摘出でき、かつ安定した試料像の観察または精度の高い試料の加工ができる試料作製装置を提供する。
【解決手段】
試料室と、該試料室内に設置される試料ステージと、該試料ステージにセットされた試料から摘出した試料を載置する、該試料ステージに載置された試料ホルダと、前記試料ステージにセットされた試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射光学系と、を備えた試料作製装置であって、前記試料ホルダを前記試料ステージと独立して移動させる試料ホルダ移動機構を備えた試料作製装置。 （もっと読む）

【課題】
ＦＩＢを利用して元試料から微小試料を摘出して微小領域の分析や観察を可能にする試料作製装置において、ＥＤＸ分析時に高い信頼性を有し、高倍率の観察に耐えられる試料作製を可能とすること。
【解決手段】
集束イオンビーム照射手段と、該集束イオンビーム照射手段からの集束イオンビームを照射する試料を固定するための試料台と、を備えた集束イオンビーム加工装置であって、前記試料台の、少なくとも表面が炭素からなる集束イオンビーム加工装置。また、集束イオンビームを照射する試料を固定するための試料台の少なくとも表面が、炭素，導電性高分子材料，炭素繊維，ガラス状炭素，高分子材料，炭素細棒の中から選ばれた少なくとも１種からなる集束イオンビーム加工装置の試料台。 （もっと読む）