【課題】FIB加工における加工効率を低下させずにリアルタイムでSEM観察を可能にする技術を提供する。
【解決手段】本発明では、FIBカラムとSEMカラムを備える複合荷電粒子線装置に、電子ビームを試料に照射したときに発生する後方散乱電子が試料室の構造物に衝突することによって放出される二次電子（本明細書では、三次電子という）を検出するSE3検出器を設けている。そして、この三次電子を用いてSEM像を生成し、そのSEM像によって、イオンビームによる加工の状態を観察することが可能なようになっている。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】それぞれ直交に配置された集束イオンビーム鏡筒と電子ビーム鏡筒を有する複合荷電粒子加工観察装置において、試料ステージを、誤操作なく操作性の良い動作をさせる。
【解決手段】観察像を見て観察位置を動かす際、集束イオンビームと電子ビームの像表示部のそれぞれの座標系で指定した試料ステージ２の移動方向に対して、一つの試料ステージ２をそれぞれの座標系に対応した方向に移動する。 （もっと読む）

【課題】試料の構造を高いコントラストで撮像する。
【解決手段】粒子ビーム装置の試料室に導入した試料４の表面５６の特定の位置上にコントラスト剤前駆体５１を供給した後、粒子ビーム５０および／または光ビーム４７を前記特定の位置に供給する。粒子ビーム５０および／または光ビーム４７とコントラスト剤前駆体５１の相互作用によってコントラスト剤層５２を試料４の表面５６の特定の位置に貼付する。所定時間の間、試料４の表面５６上にコントラスト剤層５２を残す。所定時間の間、コントラスト剤層５２の第１の部分５３は試料４内に拡散し、コントラスト剤層５２の第２の部分５４は試料４の表面５６上に残留する。光学装置および／または粒子光学装置および／または粒子ビーム５０を用いて試料４を撮像する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は試料ホルダ及びマルチビームシステムに関し、プリティルトホルダを用いて薄膜加工とＳＴＥＭ観察を試料の乗せ替え無しに行なうことができる試料ホルダを提供することを目的としている。
【解決手段】透過電子検出器２５を電子光学系の電子ビームが試料２３を透過する延長線上に備え、加工状況を２次電子像と走査透過電子像を少なくとも２種類以上同時或いは交互に観察可能になるように試料配置する試料ホルダを有するマルチビームシステムに用いる試料ホルダであって、所定の厚みまで加工した試料を固定するメッシュ２３ｂと、該メッシュに加工した試料をセットするチップオンカートリッジ３０と、該チップオンカートリッジが取り付けられる試料ホルダ部４０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】周期構造を有する試料でも観察対象の構造の断面を観察可能な断面加工観察を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料５上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器７ａと、異なる断面間隔の断面を作成する集束イオンビーム３の照射信号を集束イオンビーム照射系１に送信する処理を行う処理機構１１と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】効率の良い断面加工観察プロセスの実現を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器で検出した検出信号の変化を検出し、荷電粒子ビーム４の照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系２に送信する処理を行う処理機構１１と、を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。
【解決手段】まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。薄膜形成工程においては、まず、ＰＬＬＡを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する（塗布液準備：Ｓ１）。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する（回転塗布：Ｓ２）。
次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。ここでは、ＰＬＬＡ薄膜層１２の厚さを１μｍ以下となるように設定し、イオンビームの電流を１ｎＡ以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクの反射層の反射率を大幅に低下させることなく欠陥修正を行うこと。
【解決手段】水素イオンビームを発生する電界電離型イオン源と、水素イオンビームをＥＵＶマスク上に集束させ、走査照射するイオン光学系と、ＥＵＶマスクを載置する試料台と、ＥＵＶマスクから発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の出力信号に基づいてＥＵＶマスクの観察像を形成する像形成部と、を有する装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のカラムを備える粒子ビーム装置に於いて、試料との相互作用粒子の高エネルギー分解能と検出効率を実現する。
【解決手段】第１粒子ビームカラム２、第２粒子ビームカラムおよび少なくとも１つの検出器３４を有する粒子ビーム装置に於いて、検出器は第１中空体３６，３７内部の第１吸入口３９，４０を有する第１キャビティ３５，３８内において、第１粒子ビームカラム２および第２粒子ビームカラムが配置される平面とは異なる平面上に配置される。第１粒子ビームカラム２上には少なくとも１つの制御電極４１が配置され、第２粒子ビームカラムは終端電極を有する。第１相互作用粒子および／または第２相互作用粒子が第１吸入口３９，４０経由で第１中空体３６，３７内部の第１キャビティ３５，３８に入射するように、第１中空体電圧、制御電極電圧、および／または終端電極電圧を選択する。 （もっと読む）

【課題】試料内部の結晶方位情報を容易に取得可能にすることを図る。
【解決手段】試料１１に電子ビーム１ａを照射するための電子ビーム鏡筒１と、試料１１を支持する試料台３と、試料１１から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器６と、試料１１に集束イオンビーム２ｂを照射するための集束イオンビーム鏡筒２とを有する電子顕微鏡を提供する。 （もっと読む）

【課題】 一定のユーセントリックポイントを維持しつつシステム操作中にもかかわらずカラム傾斜角度の範囲に亘ってカラムを傾斜できるシステムと方法を提供する。
【解決手段】 カラム傾動装置（２０００）は、第１のサブアセンブリ（２１００）と第２のサブアセンブリ（２２００）を装備する。第１のサブアセンブリ（２１００）は据え置きにされるが、一方、モーター（２２２０）とギアユニット（２２４０）によって第２のサブアセンブリ（２２００）は、ビームが一定のユーセントリックポイントをいつも通るように、第１のサブアセンブリ（２１００）に対して移動する。ビームカラムは、第２のサブアセンブリ（２２００）と共に動くように、それに取り付けられる。真空を維持しながら、両サブアセンブリ（２１００）と（２２００）間の動きを可能にするために蛇腹アセンブリ（２３００）が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、加工や観察を所望する微小領域を急冷しつつ、試料汚染や霜付着を防止することに関する。
【解決手段】本発明は、気体もしくは液体を直接試料に吹き付けることにより、加工・観察を所望する微小領域を急冷することに関する。冷媒の照射量と照射位置を切り替えることにより、試料汚染や霜付着を防止できる。本発明によれば、冷却条件下であっても試料汚染や霜付着を防止できる。これにより、例えば、冷却条件下における試料への保護膜形成を効果的に行うことできる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、光学系の操作により、試料ステージを機械的に傾斜させた場合と同等な集束イオンビーム加工観察を実現することに関する。
【解決手段】本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り，チルト偏向器，ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。本発明により、試料ステージの調整や操作を伴わない薄膜加工や断面加工を実現できる。本発明によれば、集束イオンビームによる薄膜加工や、断面出し加工を自動化し、歩留りを向上させることができる。例えば、断面モニタに利用して終点検知することにより、断面加工の自動化も容易となる。 （もっと読む）

【課題】 電流検出器の開口部交換時にも予備加工を必要とせず、生産性の面で効率的なイオンビーム加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 イオンビームを被加工物表面に走査させて前記被加工物を加工するためのイオンビームを用いた加工装置であって、前記イオンビーム及び前記被加工物を相対的に移動させるための前記被加工物を搭載したステージと、前記ステージ上に配置され、前記イオンビームのビーム径より小さい開口部を有する加工用電流検出器と、前記ステージ上に配置され、前記イオンビームのビーム径より小さい開口径を有する校正用電流検出器とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面に大きな凹凸部を有する試料であっても集束イオンビームで縦筋の少ない断面を形成すること。
【解決手段】試料に第一の断面を形成する工程と、第一の断面と交差する第二の断面を集束イオンビームで形成する工程とを含む試料加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。
【解決手段】本方法では、ＦＩＢシステムをミリング・モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第１のセットと、画像化モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第２のセットの２つのＦＩＢシステム動作パラメータ・セットが利用される。これらの動作パラメータは、ＩＣＰ源内のガス圧、ＩＣＰ源へのＲＦ電力およびイオン抽出電圧を含むことができ、いくつかの実施形態では、レンズ電圧およびビーム画定アパーチャ直径を含むＦＩＢシステム・イオン・カラム内のさまざまなパラメータを含むことができる。最適化されたミリング・プロセスは、基板の表面から材料をバルク（低空間分解能）高速除去する最大ミリング速度を提供する。最適化された画像化プロセスは、ミリング中の基板領域の画像化を改善するため、最小化された材料除去およびより高い空間分解能を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料のイオンビーム照射による高精度の薄膜加工と電子ビーム照射による高分解能のＳＴＥＭ観察の両者を、ほぼ試料を動かすことなく、高スループットで実施する。
【解決手段】ＦＩＢ照射系１６の照射軸とＳＴＥＭ観察用電子ビーム照射系５の照射軸をほぼ直交させ、その交差位置に試料７を配置して、試料のＦＩＢ断面加工面をＳＴＥＭ観察用試料の薄膜面にとる。透過・散乱ビーム検出手段９ａ，９ｂは、電子ビーム照射軸上で電子ビーム照射方向からみて試料の後方に配置する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置を有しない集束イオンビーム装置により断面加工観察を効率よく連続実施が可能な断面加工観察装置の提供。
【解決手段】集束イオンビームによるエッチング加工で試料に断面を形成し、集束イオンビームによる断面観察で断面観察像を取得し、断面を含む領域をエッチング加工して新たな断面を形成し、新たな断面の断面観察像を取得する断面加工観察方法において、試料上のマークと断面を含む領域に集束イオンビームを照射し表面観察像を取得し、表面観察像でマークの位置を認識し、マークの位置を基準にして新たな断面を形成するための集束イオンビームの照射領域を設定して試料断面のエッチング加工を行うことを特徴とする断面加工観察方法を用いる。 （もっと読む）