【課題】本発明は、高電圧ケーブルが不要で耐振動性能でも有利な荷電粒子線装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム発生源と、荷電粒子ビームが照射される試料を載置する加工用の試料台と、荷電粒子ビーム発生源に加速電圧を印加する荷電粒子ビーム発生源用高電圧電源と、試料に照射する荷電粒子ビームの照射速度を減速する減速電圧を加工用の試料台に印加する減速手段とを備え、減速手段は、昇圧電源部と、低圧供給用外部電源部とを有し、昇圧電源部を加工用の試料台に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、荷電粒子線加工装置において、反応性ガスが光学鏡筒内に流入することによって発生する、加工点位置ずれ，フォーカスずれ、及びビーム分解能低下に伴う像質劣化などの不良問題を解決することに関する。
【解決手段】
本発明は、対物レンズ近傍にガスカーテンを形成し、光学鏡筒内への反応性ガスの流入を防ぐことに関する。本発明により、光学鏡筒内の真空度低下や、光学鏡筒内への絶縁膜形成を低減でき、加工性能や装置稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は微細構造の作製方法に関する。
【解決手段】 先駆体流体が存在する中で基板全体にわたって集束粒子ビームを走査することによって、パターニングされたシード層が形成される。ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。 （もっと読む）

【課題】ピクセルを複数含む加工領域画像を変形しても、もとの画像を再現した加工を行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム２０Ａを試料２に照射する集束イオンビーム照射機構２０と、集束イオンビームを試料に照射して生じる二次荷電粒子を検出する検出器７０と、検出器の検出データに基づき、試料の試料画像を生成する画像生成手段９０と、試料画像上で、集束イオンビームの照射位置に対応したピクセルを複数含む加工領域画像を設定する加工領域設定手段９０と、加工領域画像に含まれるピクセルの座標を、試料への照射位置として設定する照射位置設定手段９０と、ピクセル毎に定められた輝度に応じて、集束イオンビーム照射機構から照射される集束イオンビームのドーズ量を設定するビーム設定手段９０と、加工領域画像が変形された場合に、該加工領域画像を補間処理する補間手段９０とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。
【解決手段】試料ステージ面は、該試料ステージ面に対してメッシュ挟持用の傾斜溝を有する。集束イオンビームの照射により試料基板から微小試料片を切り出し、マイクロプローブで分離摘出後、前記試料ステージ面の傾斜溝に挟み込まれたメッシュを、メッシュの側面が前記集束イオンビームに垂直な向きとなるように傾ける。微小試料片の観察平面が集束イオンビームと垂直な向きとなるように前記メッシュの端面に接着した後、傾斜した試料ステージを回転軸の周りに１８０度回転させる。集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 （もっと読む）

【課題】試料ホルダを装着可能な電子顕微鏡の使用者の誤操作を低減するとともに、試料の情報の管理を容易にする。
【解決手段】試料ホルダ内にメモリに試料ホルダの情報もしくは載っている試料の情報を格納する。電子顕微鏡に装着された試料ホルダのメモリにアクセスすることにより試料ホルダの情報を電子顕微鏡へ送ることで、使用者は試料ホルダの特性を間違えることなく使用する事ができ、試料の情報を誤って記録する危険性を低減できる。 （もっと読む）

【課題】試料の観察および加工を可能にする単一カラムのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】ガス電界イオン源から引き出されたイオンビームを集束させて試料２４に照射し、試料を加工および観察する集束イオンビーム装置であって、前記イオン源はイオンを生成するエミッタチップ１３と、これを加熱する加熱手段１５と、第１のガスおよび少なくとも１つの第２のガスを導入するガス導入口１１０，１１２と、何れかのガスのイオンビームを生成するために第１のエミッタチップ温度と第２のエミッタチップ温度とを切り替えるコントローラ１７２とを備える。前記第１のガスは軽いガスであり、観察モード用に用いられ、前記少なくとも１つの第２のガスは重いガス（不活性ガス、反応ガス）であり、スパッタリングモード用（不活性ガスの場合）、または反応モード用（反応ガスの場合）に用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭ試料作成のための改善された方法。
【解決手段】ＦＩＢ／ＳＥＭデュアルビームにおいてＳＥＭ−ＳＴＥＭ検出器を使用することにより、ＳＴＥＭ信号で試料膜厚を観察しながら、ＦＩＢを用いて試料を薄膜化することができる。本発明の好ましい一つの実施形態では、再現性があって自動化に適している正確なエンドポイント検出の方法を使用することによって、Ｓ／ＴＥＭ試料の膜厚を測定し、Ｓ／ＴＥＭ試料を作成することができる。また、好ましい実施形態では、ＴＥＭ薄膜作成中に自動的なエンドポインティングを実現することができ、手動による薄膜化中に使用者に試料膜厚に関する直結フィードバックを提供することができる。したがって、本発明の好ましい実施形態では、試料を薄膜化する際にエンドポイントを決定するための改善された方法、及びＴＥＭ試料作成のスループットと再現性を向上するように、部分的又は完全に自動化されたエンドポインティングの方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の投射型イオンビーム加工装置では大面積の高速イオンビーム加工は可能であったが、高分解能加工を要求される微細加工においてはイオンビーム電流の確保が難しく、大電流大面積高速加工と微細加工の両立が実現できていなかった。そこで、大電流大面積高速加工と微細加工を両立する投射型イオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】イオン源から試料ステージに向かって、 第１レンズ、第１マスク機構、第２レンズ、第２マスク機構、第３レンズとを順に配置し、高速加工のためには投射開口を第１マスク機構に搭載し、微細加工のためには第１マスク機構と第２マスク機構に細長い矩形開口を用いることで、高速加工と微細加工を両立することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

荷電粒子ビームとレーザ・ビームとを一緒に使用して、基板をマイクロ機械加工する。第１のビームは、加工物のある領域の状態を変化させ、第２のビームは、状態が変化した材料を除去する。一実施形態では、イオン・ビームが、光子吸収性の欠陥を生成して、局所アブレーションしきい値を低下させ、レーザ・ビームが、イオン・ビームによって画定されたある領域の材料を除去することを可能にする。レーザ・ビームと荷電粒子ビームの組合せは、レーザ・ビームによって提供される高いエネルギーのために、荷電粒子ビームのスポット・サイズと同等のサイズのフィーチャを、荷電粒子加工よりも大きなミリング速度で形成することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＢ−ＦＩＢを利用して透過型電子顕微鏡用の薄膜試料を作成する際、ＳＥＭにより観察可能面は、ＦＩＢプロセスを監視しながら作成することは可能だが、裏側のＦＩＢプロセス面はＳＥＭによる観察監視不可能であった。
【解決手段】 本発明のＤＢ−ＦＩＢ装置内に既存する試料ステージに追加、および脱着可能な被試料支持部の回転機構は、ＦＩＢ光軸に対し直行するアジマス上にて、被試料を取り付けた試料固定部を１８０°回転可能なθ軸回転機構を用いることで、それまで、ＳＥＭ観察不可能だったＢ面をＳＥＭ光軸へ向けることができ、さらにＦＩＢ装置に有する既存の５軸ステージローテーション機構を１８０°回転させることで、被試料のＡ面に対し、ＦＩＢ照射の入射方向と同一方向からＢ面からの薄膜化処理が可能となるので、Ｂ面もＳＥＭ観察監視可のもと、ＦＩＢエッチング処理が行える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】開示されている方法は、フィーチャの断面を繰り返し生成することによって、１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する。方法は、１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をミリングする工程を含み、ミリングされた表面は、フィーチャが位置する層と実質的に平行である。ミリング工程ごとに、１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化工程が、複数の断面画像を生成する。複数の断面画像の各々は、加工済みフィーチャの表現に再構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は断面観察用走査電子顕微鏡に関し、観察断面が明るく見えるような断面観察用走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】観察試料１０３に近い位置に配置され、２次電子信号又は反射電子信号を検出する第１の信号検出器１０４と、該第１の信号検出器１０４の出力を記憶する第１の画像メモリ１１４と、観察試料１０３の上部に配置され、２次電子信号又は反射電子信号を検出する第２の信号検出器１０５と、該第２の信号検出器１０５の出力を記憶する第２の画像メモリ１２４と、前記第１の画像メモリ１１４の出力と前記第２の画像メモリ１２４の出力とを受けて、何れかの画像をマスクしてマスクした画像とマスクしない画像との論理演算を行ない、前記試料の試料断面の画像を強調した画像を得る画像演算装置１２１と、を具備して構成される。 （もっと読む）

１つ又は複数のサンプルからの電子を検出するシステム及び方法を開示する。いくつかの実施形態では、本システム及び方法は、サンプル表面からの二次電子を偏向させるための１つ又は複数の磁場源を含む。
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【課題】断面および観察対象断面が所定位置に配置された複数の断面像を取得することが可能な、画像取得方法を提供する。
【解決手段】断面像撮影工程（Ｓ５２）の前に、観察対象断面以外の領域をＥＢ走査してリファレンスマーク画像を撮影するマーク画像撮影工程（Ｓ４２）と、撮影されたリファレンスマーク画像をリファレンスマーク基準画像と比較して、所定時点に対する現在のＳＥＭドリフト量を算出するドリフト量算出工程（Ｓ４４）と、所定時点に対する現在の観察対象断面のオフセット量を算出するオフセット量算出工程（Ｓ４６）とを有し、断面像撮影工程（Ｓ５２）では、所定時点におけるＥＢ走査領域をＳＥＭドリフト量およびオフセット量に基づいて補正し、断面像を撮影する構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、観察視野近傍の微小領域の正確な温度計測が可能な集束イオンビーム装置用の局所領域温度計測装置及び温度計測方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ビームアシストデポジション機能を有する集束イオンビーム装置に着脱可能であり、局所領域温度計測装置のホルダー先端部に設けられる接触型温度計測部と、接触型温度計測部を保護する絶縁ガイドと、接触型温度計測部を絶縁ガイドから露出させる微動駆動制御部と、を少なくとも備えることを特徴とする集束イオンビーム装置用の局所領域温度計測装置、及び、これを用いた局所領域の温度計測方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は収差補正集束イオンビーム装置に関し、色収差拡大時にエミッション電流の変動を抑制することができる収差補正集束イオンビーム装置を提供することを目的としている。
【解決手段】正の加速電圧が印加されているイオン源１５と、加速電圧よりも低い電位が印加されている引出電極４と、引き出されたイオンビームの開き角を制御する開き角制御レンズと、色収差や球面収差等を補正するための収差補正装置と、イオンビームを試料上に集束するための対物レンズを備えた収差補正集束イオンビーム装置において、加速電圧の変化に伴いイオン源１５と引出電極４間の電圧を一定にするように、又は少なくとも加速電圧を変化させた場合よりもイオン源１５と引出電極４間の電圧変化が小さくなる方向に加速電圧と引出電圧の２電圧を同時に変化させ、色収差を拡大させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察をおこなうための薄膜試料を作製する方法において、大きな試料基板から観察所望部位を確実に抽出し、薄膜試料作製のための仕上げ加工を行なう際に、観察所望部位を試料ホルダに安定して保持することができるようにする。
【解決手段】 ナノピンセット４０の先端で、試料ブロック２７上部の凸部２７ａを掴む。試料ブロック２７を試料基板２３から掴みだし、シリコンブロック２９の端面２９ａに予め形成された溝４１に試料ブロック２７を差し込む。
試料ブロック２７の外壁面と溝４１の内壁面の摩擦力が大きくて、ナノピンセット４０で試料ブロックを把持する力だけでは試料ブロック２７を溝４１に圧入することが困難な場合は、試料ブロック２７の凸部２７ａの段差部をナノピンセット４０の先端で押圧する。 （もっと読む）

【課題】対象試料から薄片試料を切り出した後に、正確に対象断面に仕上げ加工を行うことが可能な薄片試料作製方法を提供する。
【解決手段】薄片試料作製方法は、対象試料の対象断面を含む位置に荷電粒子ビームを照射して、対象試料Ａに対象断面を含む薄片部を形成する薄片部形成工程Ｓ２と、細長な保持手段の先端によって薄片部を保持して薄片試料として対象試料から取り出す試料取り出し工程Ｓ３と、保持手段を軸回りに回転させることで、取り出した薄片試料を反転させる試料反転工程Ｓ４と反転した薄片試料の一部を、薄片試料を固定するための固定台に予め形成した薄片試料の側面を支持する挿入溝に挿入した後に、薄片試料と固定台とを少なくとも一箇所で接合させる試料固定工程と、固定台に固定された薄片試料の対象断面を含む面に荷電粒子ビームを照射する仕上げ工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）