【課題】ミクロンサイズの試料を確実に、素早く、熟練を要さず簡単にハンドリングでき、製造も容易な微細試料ハンドリング装置を提供する。
【解決手段】基部１１から所定の距離をおいて略平行に延びる一対のアーム１２ａ，１２ｂ、及び一対のアームのそれぞれから互いに接近する方向に延びる一対のアーム先端部１３ａ，１３ｂを有する本体部材、形状記憶合金ワイヤを敷設する溝と固定する導電性膜を半導体プロセスによって作製し、形状記憶合金線に通電することにより収縮させて、アーム先端部１３ａ，１３ｂを閉じる。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子線装置で荷電粒子照射により試料から生じる試料の飛散物質，汚染物質その他の試料から生じる試料の一部分による試料への堆積を抑制することができる。
【解決手段】
荷電粒子源と、荷電粒子源から発生した荷電粒子を試料上に照射させる光学機構と、荷電粒子の照射により試料の被照射領域から発生した荷電粒子を検出する検出機構を有し、前記被照射領域に対応した位置に配置可能に形成され、前記照射により試料から分離された試料の一部分を付着させる付着機構と、を備えることを特徴とする荷電粒子装置である。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒１と電子ビーム鏡筒２を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域７と照射禁止領域８を設定し、第三に前記照射可能領域７のみに電子ビーム照射を制限する。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構成な集束イオンビーム装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置が記載されている。集束イオンビーム装置は、イオンを生成するためのエミッタ領域を備えるガス電界イオン源エミッタを収容するための筐体を含むイオンビームカラムと、ガス電界イオン源エミッタからイオンを引き出すための電極と、第１のガスおよび第２のガスをエミッタ領域へ取り込むため適合した１個以上のガス入口と、第１のガスまたは第２のガスから生成されたイオンビームを集束させるための対物レンズと、電極とガス電界イオン源エミッタとの間に電圧を供給するための電圧源と、第１のガスのイオンのイオンビームまたは第２のガスのイオンのイオンビームを生成するための電圧源の第１の電圧と第２の電圧とを切り替えるコントローラとを含む。 （もっと読む）

【課題】 集束荷電粒子ビーム照射位置近傍のサンプルの温度を測定し、高精度な微細加工を行う集束荷電粒子ビーム加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】 穴開き構造の走査熱顕微鏡カンチレバー1またはカンチレバーから探針先端が突き出した構造の走査熱顕微鏡探針を使用して、ビーム照射位置近傍のサンプル6の表面温度を測定できるようにする。走査熱顕微鏡で集束荷電粒子ビーム3照射によるサンプル6表面の温度上昇測定し、所定温度を超える場合には加工を中断し、温度が下がるまで待つ。あるいはサンプル6表面の温度をモニターし、サンプル6表面の温度が真空内の温度とほぼ同じになってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を開始する。あるいはサンプル6の温度を測定し、サンプルがヒーター等の加熱により所定の温度になってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を行う。 （もっと読む）

【課題】高分子材料や有機材料等の熱に弱い材料の断面を、イオンビームの熱による影響を抑制し、かつ、短時間で加工可能な集束イオンビームによる高分子材料加工方法及び装置を実現する。
【解決手段】試料７から微小試料片を大電流イオンビームにより切り出す前に、微小試料１８に熱影響を与えない小電流イオンビーム１６により微小試料１８の周囲に熱伝達抑制用の溝１９を形成し、その後、形成した溝１９の外周を大電流イオンビームにより微小試料片を切り出す。試料に熱影響を与えない小電流イオンビームにより微小試料片１８を切り出すことも考えられるが、微小試料片１８を切り出すまでに長時間を要する。試料７に熱影響を与えない小電流イオンビーム１６による溝１９の形成加工は、試料片の切り出し加工より短時間で終了可能である。 （もっと読む）

【課題】粒子ビームによって活性化された反応ガスを用いて物体を加工する加工システムであって、小型のガス供給装置を用いた加工システムを提供する。更に、加工中に物体を検査して、加工状態を監視及び制御できる加工システムを提供する。
【解決手段】システムは粒子ビームカラム２６と、物体３３を載置する物体ホルダ２４と、ガス供給装置２８とを備える。物体ホルダは、基台２０と、該基台に対して移動可能な第１テーブル２１と、該第１テーブルに対して移動可能な第２テーブル２２と、該第２テーブルに対して回転可能な第３テーブル２３とを備えて構成され、ガス供給装置２８はカニューレ３０とガスリザーバ３１を備え、ホルダ３２によって第１テーブル２１に固定されている。粒子ビームカラム２６で物体３３を加工した後、該粒子ビームカラムを用いて物体から放出される電子を電子検出器１７で検出し加工部の顕微鏡画像を取得する。 （もっと読む）

直接連続して、サンプル表面の各部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、前記サンプル表面の前記各部分は、第１の方向に列を形成し、前記荷電粒子ビームが前記サンプル表面において平均スポットサイズｆを有し、前記各部分は、それぞれ隣接部分から、第１方向に少なくとも距離ｄだけ離れており、比率ｄ／ｆは２以上であることを特徴とする方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】試料加工方法および装置において、集束イオンビームを用いて試料の加工を行う場合に、試料の加工精度を向上することができるようにする。
【解決手段】試料１に位置参照マークを形成し、集束イオンビームによって位置参照マークを走査して、試料１における位置参照マークの位置情報を取得し、この位置情報に基づいて集束イオンビームの試料１に対する照射位置を補正して、試料１の加工を行う試料加工方法であって、試料１上に、マーク部３、４を形成し、集束イオンビームによって、マーク部３、４のいずれかを走査して、マーク部３、４のいずれかの位置情報を取得し、マーク部３、４のいずれかの位置情報に基づいて、集束イオンビームの試料１に対する照射位置を補正して、試料１の加工を行う。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームの切削断面から発生する熱はエポキシ樹脂を介して放熱されるので、放熱効果が小さく、熱損傷のために良好な切削断面が得られなかった。
【解決手段】ＭＥＡサンプル１の両側をケース２内で２つの冷却ブロック３，４によって抑える。冷却ブロック３はケース２に固定され、冷却ブロック４はケース２内で可動とされる。ケース２には集束イオンビーム照射用の窓２ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からＴＥＭ観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。
【解決手段】
同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部（ＳＥＭ部）１と試料作製加工用のイオンビーム部１０１とを併設し、ＳＥＭ部１によるウエハ７の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ７上の欠陥（異物やパターン欠陥）の存在部位からのＴＥＭ観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ８上で一貫して行なえるようにした。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。 （もっと読む）

【課題】 簡便に試料小片の姿勢を９０度、１８０度、あるいは任意の角度だけ回転させて試料台に固定可能な装置を提供すること。
【解決手段】 試料７の表面とマニピュレータ回転軸２の交点を一端とする試料表面に垂直な線分をマニピュレータ回転軸２の周りに回転して得られる円錐側面と、試料表面の２つの面によってつくられる交線１１に、試料小片の特定の方向を一致させた後、試料小片をマニピュレータで支持し、マニピュレータ回転軸２を動作させることを特徴とする試料作成装置。 （もっと読む）

【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源１からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第１の試料ステージ１３に載置された試料１１に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片３０３を載置する第２の試料ステージ２４が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第２の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡観察用試料を容易に作製し且つ透過型電子顕微鏡ホルダに装着することができることを目的とする。
【解決手段】集束イオンビーム装置は、試料室、イオンビーム光学系、試料ステージ、サイドエントリ型ステージ及び透過型電子顕微鏡試料ホルダ、及び、マイクロサンプリングステージ及び試料ホルダ交換機構、を有し、試料ステージは、試料を移動させるｘテーブル、ｙテーブル、ｚテーブル、ローテーションテーブル及びチルトテーブルを有し、上記サイドエントリ型ステージは、ｘ微動部及びｙｚｔ微動部を有し、上記ｘ微動部とｙｚｔ微動部は、上記試料室にて対向するように配置され、上記ｘ微動部は、上記チルトテーブルに設けられたチルト軸に設けられた中空部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ガスイオン源１１から引き出されたイオンビーム１２を試料３１に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム１２を通過させてイオンビーム１２の断面を成形する開口１５ａ〜１５ｃを有するマスク１５と、ガスイオン源１１に印加する加速電圧及びマスク１５の動作を制御するイオンビームカラム制御部１８とを備え、イオンビームカラム制御部１８は、マスク１５の開口１５ｂ，１５ｃに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム１２を投射して試料３１又は試料片５０を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料３１又は試料片５０の観察面にイオンビーム１２を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）