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Fターム[5C034DD09]の内容

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Fターム[5C034DD09]に分類される特許

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【課題】
イオンビーム加工装置において、ビーム走査範囲内にある単数あるいは複数の特定箇所を所望の高さに移動調整する際、高さ情報をオペレータに伝え、高さ調整の作業効率を上げることが課題である。
【解決手段】
ビーム走査範囲内にある単数あるいは複数の特定箇所にイオンビーム照射手段のレンズ強度を調整して焦点を合せるレンズ電源と、それらレンズ強度から前記特定箇所の焦点高さを計算し、前記特定箇所の焦点高さ,前記特定箇所の相対高さ,前記焦点高さあるいは前記相対高さが許容値を含めた設定値内にあるか否かの判断結果の情報の内、少なくとも一つ以上の情報を表示する表示手段を備える。 (もっと読む)


【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能,高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、接触精度やプローブ操作性を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、試料ステージ移動制御とプローブ移動制御を、観察画像上において同一の座標系を用いて制御することにより、試料ステージの停止誤差をプローブ制御移動量として位置決め可能とする。また、観察画像を利用してプローブの先端位置を把握し、画像上の基準位置におけるプローブ座標を記憶する。本発明により、マイクロメートルオーダの試
料位置への正確なプローブ接触操作が容易となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、加工領域を変更する度毎に試料を試料ステージ機構に付け直す手間が不要のイオンミリング装置、及びイオンミリング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、試料に照射するイオンビームを発生させるイオン銃と、前記イオンビームによる照射加工が行なわれる前記試料を内置する試料室と、前記試料室の真空を保つために排気を行なう排気装置と、イオン生成のためのガスを注入するガス注入機構と、前記試料を設置して回動する試料ステージ機構を備えたイオンミリング装置において、前記試料ステージ機構は、前記試料を載せて回転する回転テーブルと、前記回転テーブルを駆動する回転機構と、前記回転テーブルの回転中心軸線と前記イオンビームの中心線との位置関係を偏心調整できる偏心機構と、前記試料ステージに設置した試料の中心線と前記回転テーブルの回転中心軸線との位置関係を偏心調整できる試料位置調整機構を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング(摘出)して、分析/計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント(搭載)する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】
半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からTEM観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。
【解決手段】
同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部(SEM部)1と試料作製加工用のイオンビーム部101とを併設し、SEM部1によるウエハ7の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ7上の欠陥(異物やパターン欠陥)の存在部位からのTEM観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ8上で一貫して行なえるようにした。 (もっと読む)


【課題】 立体的な試料を断面加工し、観察するための新たな方法の提供を課題とする。
【解決手段】 集束イオンビーム加工観察装置で立体的な試料を断面加工し、得られた断面を観察する方法において、試料直上に試料表面を保護するためのマスクとして前記装置内に設けられた可動式プローブを用い、該可動式プローブを試料の0.5〜5μm上方に配置して断面加工することを特徴とする試料の断面加工方法である。前記可動式プローブは、その先端を予め所望の断面加工の形状にして使用する。 (もっと読む)


本発明は、複数ガス源を備え、異なるイオン種を用いて多様な操作を実行して、加工物のサブミクロンのフィーチャを生成するかまたは変えるのに用いることのできるプラズマ・イオン・ビーム・システムを提供する。係るシステムは、本発明では、プローブ形成光学素子と組み合わせて多様なイオンのイオン・ビームを発生させるために使用するのに適し、ビーム源によって誘起される運動エネルギーの振動が実質的に生じず、これによって高分解能ビームが形成される、誘導結合型磁気増幅イオン・ビーム源を使用することが好ましい。
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【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能,高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 (もっと読む)


【課題】加工物表面を損傷することなく荷電粒子で加工物を照射し処理する方法を提供する。
【解決手段】クラスタイオンビーム108を生成するクラスタイオン源102を使用して加工物112を処理する。クラスタイオンは同じ電荷をもつ単一のイオンと同じエネルギーを有するが、クラスタを形成する原子または分子は粒子当たりのエネルギーが低いので加工物の表面の数ナノメートル内に損傷を限定する。クラスタイオンはフラーレン、ビスマス、金、またはXeをを含む。クラスタイオンビームはガス注入システム104から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。好ましくは別の荷電粒子ビームを生成するカラム(電子ビームカラム106または集束イオンビームカラム)を備え、画像化、エッチング、堆積等の処理を行う。 (もっと読む)


【課題】集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】装置はイオン発生用のエミッタ領域を備えたエミッタを収容するための閉鎖空間を含むイオンビームカラムと、第1ガスをエミッタ領域に導入するよう適合された第1ガス流入口と、第1ガスとは異なる第2ガスをエミッタ領域に導入するよう適合された第2ガス流入口と、第1ガスの導入と第2ガスの導入との切り替えを行うよう適合された切替ユニットを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング(摘出)して、分析/計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント(搭載)する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 (もっと読む)


電子顕微鏡システム3及びイオンビーム加工システム7を備える粒子光学装置であって、電子顕微鏡システムの対物レンズを備え、この対物レンズは、被検査対象物の位置11に最も近い位置に配置されている、電子顕微鏡システムの構成要素としての環状電極を有する。この環状電極と、イオンビーム加工システム7の主軸9との間には、シールド電極81が配置されている。
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【課題】イオンビームを照射することによって生成された二次粒子が加工領域に再付着することを抑制する。
【解決手段】試料2の断面領域に不活性ガスを吹き付けながら試料2の断面領域に所定径に集束させたイオンビームを照射,走査させることによって、試料2の断面の平滑化を行う。このようなイオンビーム加工方法によれば、試料2を断面加工した際に発生する二次粒子は不活性ガスにより吹き飛ばされので、二次粒子が試料2の断面領域に付着することがない。 (もっと読む)


【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の3次元的構造を観
察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片10の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる
部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片10を1軸
全方向傾斜試料ホルダに、突起11の中心軸と試料傾斜軸Zを一致させて固定し
、高角に散乱された電子で結像したTEM像を投影像として用い、再構成を行う
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【課題】反応性ガスによる汚れを効率良く除去することができる荷電ビーム装置、及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】試料4が載置され適宜移動可能な試料ホルダー3上に、試料4上の荷電ビーム照射部分に反応性ガス18を供給するガス銃11を挿入するためのガス供給部挿入口17、及び荷電ビーム6を導入するための荷電ビーム導入口16を有するクリーニング室8を設け、ガスノズル12に付着した付着物14を除去する。 (もっと読む)


【課題】 装置のコストアップが生じることなく探針の交換作業を効率的に行う。
【解決手段】 試料室2内において、第1の探針6の先端部をメタルデポジションによりダミー部材11に固着し、イオンビーム1bの照射により第1の探針6を切断して先端側部分6bと基端側部分6aとに分離し、ダミー部材11を移動させて当該先端側部分6bを移動し、保持部材13に固定された第2の探針12を当該基端側部分6aにメタルデポジションにより固着し、イオンビーム1bの照射により第2の探針12と保持部材13とを分離し、その後保持部材13を第2の探針12から移動させる。 (もっと読む)


【課題】ガス処理を行ってもビーム分解能の低下を抑制することができる荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】
電子ビーム19を生成する電子源3、及びこの電子源3からの電子ビーム19を試料30上に集束させる電子レンズを形成する対物レンズ磁路23を有する鏡体150を備える荷電ビーム装置において、試料30上の電子ビーム19の照射部分に向かって反応性ガスを噴出する噴出孔130を有し、鏡体150内に取り付けられたガス銃28を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、アトムプローブ分析用試料の作製方法において、AP分析時の強い静電引力に十分耐えることができる試料基板とブロック状試料との強固な接着固定手法を提示することにある。
【解決手段】本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針2と移植試料片1の双方にFIBのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにFIBのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 (もっと読む)


【課題】描画加工に費やす時間が短縮でき、試料の加工や観測の精度が高い半導体の加工観察装置を提供すること。
【解決手段】Gaイオンビームが含まれる描画加工用イオンビームを照射する加工装置と、電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置と、Arイオンビームが含まれる除粉用イオンビームを照射する除粉装置と、これらの三つの装置をまとめて収める真空容器と、この真空容器に置かれ、かつ試料を載置する載置テーブルとを有し、三つの装置の照射する各ビームが試料に集合するように配置され、電子ビームの照射で試料から発生する二次電子を検知する検知器を有し、かつ電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置の加速電圧を0.6keV〜3keV程度にしたことを特徴とする。 (もっと読む)


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