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Fターム[5C034DD09]の内容

荷電粒子線装置 (3,257) | 集束イオンビーム装置 (430) | その他 (235)

Fターム[5C034DD09]に分類される特許

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S/TEM分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置。本発明の好適な実施形態は、マイクロマニピュレータと、真空圧を用いてマイクロプローブ先端をサンプルに付着させる中空マイクロプローブとを使用する。小さな真空圧をマイクロプローブ先端を通してラメラに印加することによって、ラメラをより確実に保持することができ、静電力だけを用いるよりも、ラメラの配置をより正確に制御することができる。勾配の付いた先端を有し、その長手軸線周囲に回転させることも可能なプローブを用いることによって、抽出されたサンプルをサンプル・ホルダ上に平坦に置くことができる。これによってサンプルの配置および配向を正確に制御することが可能になるので、分析の予測可能性および処理能力が大幅に増大される。
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【課題】TEM観察に好適な試料を容易に作製可能な試料作製装置及び試料作製方法を得る。
【解決手段】イオンビームを形成する照射光学系と、試料の観察部位をイオンビームにより切り出してなる微小薄片試料と、この微小薄片試料が載置及び接着される試料ホルダと、微小薄片試料に接着されるプローブを有し、このプローブを介して該微小薄片試料を試料ホルダまで移送する移送手段とを備えた試料作製装置において、移送手段とは別に、三次元方向に駆動可能な、試料ホルダに載置または接着された微小薄片試料の姿勢を調整する姿勢調整ニードルを設けた。 (もっと読む)


【課題】本発明は集束イオンビーム用ガス導入装置に関し、試料への加工性能を向上させることができる集束イオンビーム用ガス導入装置を提供することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビームを用いてイオンビーム支援エッチング又はビーム支援堆積を行なうことが可能な装置において、イオンビーム鏡筒の下に複数の流体送出システムとしてのパイプ8を複数有し、該パイプ8の出口であるノズル8a同士が1次イオンビーム17の軸と対称で内部を通過する流体が試料18面に向かう形状で構成され、該パイプ8への導入ガスの噴射条件を個別に制御できる構成であり、該パイプ同士間を連結する機構を有して構成される。 (もっと読む)


【課題】短時間で容易に、かつ、精度良くアパーチャの中心軸の位置調整が可能な荷電粒子ビーム装置、及び、アパーチャの軸調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置1は、荷電粒子源9と、アパーチャ18と、対物レンズ12と、観察手段32と、アパーチャ駆動部19と、制御部30とを備える。制御部30は、荷電粒子ビームIを照射することで、試料Nの表面N1に複数のスポットパターンを形成させるスポットパターン形成手段33と、スポットパターンのスポット中心の位置、及びハローの幾何学的な中心位置を算出する解析手段34と、各スポットパターンにおけるスポット中心の位置とハローの中心位置とを結んだ線同士が交差する位置に基づいて調整位置を算出する調整位置決定手段35とを有し、調整位置にアパーチャ18の中心軸を移動させることでアパーチャ18の位置を調整する。 (もっと読む)


【課題】電子部品などの大断面加工においても、加工精度を確保しつつ効率良く観察し、加工することが可能な集束イオンビーム装置、及び、試料の加工方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置1は、試料Mを載置する試料台2と、イオンビームI1、I2、I3となるイオンを発生させる複数のイオン源24、イオン源24との間に印加された電圧によってイオン源24からイオンビームI1、I2、I3を引き出す引出電極25、及び、引出電極25と複数のイオン源24のそれぞれとの間に独立して電圧を印加可能な電源部とを有するイオンビーム放出手段4と、イオンビーム放出手段4から放出された複数のイオンビームI1、I2、I3を試料M上で集束させることが可能なイオンビーム光学系5とを備える。 (もっと読む)


【課題】 SEM観察機能を備えないFIB装置でも、欠陥部分やコンタクトホールの中心位置を検出することが効率よく、実行できる試料断面作製方法を提供するものである。
【解決手段】 試料断面領域近傍に集束イオンビーム1を走査照射してエッチング加工しながら、集束イオンビーム1を照射することにより発生する二次電子2を検出する。検出した二次電子信号から加工終点検出機構16で加工終点を検出して、エッチング加工を終了する。 (もっと読む)


【課題】LMIS汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜66中に存在する欠陥の原因となる異物65を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡43で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物65の観察やEDXによる異物65の元素分析ができるように非金属のイオンビーム22で試料31を加工する。 (もっと読む)


【課題】微細な試料を無用に変質させることなく高精度に微細部位の断面の分析が可能な微細部位解析装置を提供する。
【解決手段】試料を断面加工して解析する微細部位解析装置は、試料台1と集束イオンビーム装置2と回転機構3と電子ビーム装置4と補正部5と分析装置6とからなる。集束イオンビーム装置2は、試料が置かれた試料台に向かって斜め方向の視線を有するよう配置され、試料台に対して斜め方向にターゲットを切断する。回転機構3は、ターゲットを中心に試料台を着眼位置中心回転させる。電子ビーム装置4は、切断するターゲットを探索すると共に回転中のターゲットを観察する。補正部5は、電子ビーム装置により観察されるターゲットの位置を補正する。分析装置6は、集束イオンビーム装置からターゲットの断面に照射される集束イオンビームにより放出される二次イオンを分析する。 (もっと読む)


【課題】イオンビームによる加工プログラムの作成を効率的に行う。
【解決手段】被加工物である光学素子材料7を搭載する駆動ステージ6に、イオンビーム3の電流状態を測定するファラデーカップ8を設置する。光学素子材料7の加工におけるイオンビーム3による単位時間あたりの除去量および除去形状をファラデーカップ8の出力から算出し、所望の加工形状を得るための加工プログラムを作成する。この加工プログラムに従って、光学素子材料7を加工するときのイオンビーム3の照射量等を制御する。 (もっと読む)


【課題】帯電粒子ビーム操作のためにサンプルを配向させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルが、サンプルの主表面がプローブ・シャフトに対して垂直ではない角度にある状態で、プローブに付着され、プローブ・シャフトは、サンプルを再配向させるために回転される。一実施形態では、サンプル・ステージに対して45度などのある角度に配向されたプローブは、平坦領域がプローブの軸に対して45度で平行に配向された、すなわち、平坦領域がサンプル・ステージに平行であるプローブの先端を有する。プローブ先端の平坦領域は、サンプルに付着され、プローブが180度回転されるとき、サンプルの配向は、水平から垂直に90度変化する。次いで、サンプルは、TEM格子をサンプル・ステージ上で垂直配向TEM格子に付着される。サンプル・ステージは、薄くするためにサンプルの背面をイオン・ビームに向けるように回転および傾斜される。 (もっと読む)


【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器10に接続され非金属イオン種のイオンビーム11を試料35に照射するイオンビームカラム1と、イオンビーム11により試料35から切り出されたマイクロサンプル43を摘出するプローブ16を有するマイクロサンプリングユニット3と、マイクロサンプル43とプローブ16とを接着するガスを流出させるガス銃2と、イオンビームカラム1が接続されたと同一の真空容器11に接続され汚染計測用ビーム13をイオンビームカラム1によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム6Aと、汚染計測用ビーム13を照射した際にイオンビームカラム1によるイオンビーム照射跡から放出される特性X線を検出する検出器7とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 (もっと読む)


【課題】
絶縁物を含む試料表面での帯電を抑制するための経験や熟練技能工程を排除した、信頼性の高い帯電制御技術を提供し、総合的に分析や試料作製効率の良い荷電粒子線装置を提供する
【解決手段】
荷電粒子源(1)と、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線(11)を集束し偏向せしめるための荷電粒子光学系(5、6)と、荷電粒子線を試料(8)に照射して試料からの2次粒子を検出するための検出器(9)と、試料を搭載する試料台(7)とを備えた荷電粒子線装置において、試料台の表面に対して移動可能に設けた中和用電極(20)と、中和用電極に印加する電圧および移動を制御する中和用電極制御装置(10)とを有し、荷電粒子線を照射して帯電した試料上の照射領域と中和用電極との間で電荷交換または電流を発生せしめて、帯電を中和制御するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】TEMサンプルを基板から抽出する方法を提供すること。
【解決手段】方法は、サンプル上に穴をミリングすることと、プローブを穴に挿入することとを含む。サンプルはプローブに接着し、プローブの上にある間、移送時に処理することができる。他の実施形態では、サンプルは基板から切り出され、静電引力によってプローブに接着する。サンプルは、真空室においてTEMサンプル・ホルダの上に配置される。 (もっと読む)


【課題】イオンビームのドリフトを早期に視覚的に検出可能な集束イオンビーム装置の実現する。
【解決手段】加工位置決め画像52上に設定した加工領域53に対しイオンビーム8を照射することで試料9を加工していく。加工進捗画像54は偏向制御信号に同期してリアルタイムで表示されるため加工領域53の最表面の情報が常に表示される。加工位置決め画像52には試料9表面上の情報である形状55が表示され、加工進捗画像54には加工領域53の最表面上の情報である形状56が表示されている。加工位置決め画像52の形状55と加工進捗画像54の形状56の位置が互いに一致し意図した領域が加工されていることが判断できる。加工位置決め画像52の形状55と加工進捗画像54の形状56の位置が互いにずれていると意図した領域とは別の領域が加工されていることが判断できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は2レンズ,3レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び2レンズ,3レンズ光学投影型収差補正集束イオン・リソグラフィー装置を提供することを目的としている。
【解決手段】イオン源からイオンビームを引き出す引出電極と、引き出されたイオンビームの開き角を制御するコンデンサレンズから構成されるガンレンズ、前記イオン源から発生した比較的広い放射角をもつイオンビームからの特定の放射角を持つイオンビームを取り出す電流制限絞り、該電流制限絞りを通過したイオンビームの電流量を変えることなく開き角制御が可能な静電型開き角制御レンズ、色収差や球面収差を補正する静電型収差補正装置、ビームを試料上に集束するための静電型対物レンズの順で並べられ、更に集束したイオンビームを試料上の2次元方向に走査するデフレクタを備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源1からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第1の試料ステージ13に載置された試料11に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片303を載置する第2の試料ステージ24が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第2の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置1は、試料Sを載置する試料台2と、試料台2を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ3と、試料Sに対して集束イオンビームI1、I2を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒11及び第二の集束イオンビーム鏡筒12とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒11及び第二の集束イオンビーム鏡筒12は、互いの集束イオンビームI1、I2の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている (もっと読む)


【課題】試料の同一視野から表面構造情報、内部構造情報および内部組成情報を同時に取得できる機能を有する集束イオンビーム加工観察装置を提供し、また、この集束イオンビーム加工観察装置を用いて試料の多方向から取得される試料の構造および組成に関する情報を基づき試料加工位置を正確に設定して、試料加工および試料観察を行う方法を提供する。
【解決手段】前記試料構造および組成情報を同時に取得するため、二次電子検出器、透過電子検出器、エネルギー分散型X線分光器あるいは電子線エネルギー損失分光器を備えつける。また、試料回転および傾斜機能を備えた試料台を用いる。さらに、マーキング加工を行う。 (もっと読む)


【課題】温度変化によって膨張、収縮したとしても保持している試料の位置を変化させること無く、正確に位置決め、保持することが可能な試料保持機構、及び、この試料保持機構を備えた試料加工・観察装置に提供する。
【解決手段】試料加工・加工観察装置1は、試料保持機構20を備えている。試料保持機構20は、試料Sを保持する試料ホルダ21と、試料ホルダ21を着脱可能に支持するベース22とを備える。これらの間には、回転可能に支持する回転支持部27と、回転中心27aからX方向に向って摺動可能に支持するスライド支持部28と、X方向及びY方向に摺動可能に支持する当接支持部とが、着脱可能に設けられている。上面21aには、回転中心27aからY方向及びX方向に沿って配置され、試料Sの一辺S1及び他辺S2に当接するX方向位置決めピン31及びY方向位置決めピン32が設けられている。 (もっと読む)


【課題】加速電圧を下げたSTEM観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。
【解決手段】仕上げ加工に使用するイオンビームのエネルギーを低くすると共に、試料への入射角度を試料形状に合わせて最適化し、STEM像の着目する要素の変化をモニタして加工の終了時点を検出する。 (もっと読む)


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