【課題】本発明は、上記課題に鑑み、広い領域で高精細な加工ピッチを実現し、広い領域を高精度に観察を行うことができる荷電粒子線装置及び加工・観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】偏向量の緻密な高精細スキャンと偏向量の大きなイメージシフトという２種類以上のＦＩＢ偏向制御を同期させ、従来よりも広い領域を高密度でスキャンする。また、ＦＩＢのイメージシフトを用いて加工された位置にＳＥＭのイメージシフトを追従させる。作製した一つの断面に対し複数枚のＳＥＭ像を取得し、それをつなぎ合わせることによって高精細な画像を作成する。本発明により、従来よりも広い領域を高精細スキャンで加工し、高精細な三次元構築用データを取得することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
したがって、本発明の目的は、像への影響を低減する試料ホルダー先端部を提供することにある。
【解決手段】
【００７０】
本発明の試料ホルダー先端部は、試料と、前記試料を搭載する先端部とを有する試料ホルダー先端部であって、前記先端部の回転軸と、前記試料の回転軸とが略一致することを特徴とする。本発明の試料ホルダー先端部の製造方法は、試料を切りだす工程と、試料ホルダー先端部の試料搭載部分へ、前記切りだした試料を取り付ける工程と、前記試料搭載部分の回転軸に合わせて、前記試料を加工して、前記試料を回転軸を中心とした柱状にする工程とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直交に配置された２つの荷電粒子ビーム鏡筒を有する装置において、試料ステージ移動の操作性向上を図る。
【解決手段】集束イオンビーム鏡筒４と、それと直交する電子ビーム鏡筒５と、試料１１を移動させる試料ステージ２と、試料１１を観察する光学顕微鏡１４と、集束イオンビーム像及び電子ビーム像並びに光学顕微鏡像を表示可能な表示部９，１０と、各像の座標系に合わせて試料ステージ２を移動させるステージ制御部３と、を有する複合荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ鏡筒とＳＥＭ鏡筒を直角に構成した装置において、観察している試料の位置関係を作業者が把握しやすいＦＩＢ像とＳＥＭ像を表示すること。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＦＩＢ鏡筒１と略直角に配置されたＳＥＭ鏡筒２と、試料４を載置する試料ステージ３と、試料４から発生する二次粒子を検出する二次電子検出器５と、検出信号からＦＩＢ像とＳＥＭ像を形成する観察像形成部１５と、ＦＩＢ像内の試料の左右の向きとＳＥＭ像内の試料の左右の向きが同じであるＦＩＢ像とＳＥＭ像を表示する表示部９と、を有する複合荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】電荷移動機構を使用して、小構造物に対して材料を局所的に付着させまたは材料を局所的に除去する。
【解決手段】加工物全体を浴に浸す必要なしに局所的な電気化学電池が形成される。この電荷移動機構を、荷電粒子ビーム２３１またはレーザ・システムとともに使用して、集積回路、マイクロエレクトロメカニカル・システムなどの小構造物２２０を改変することができる。この電荷移動プロセスは、空気中で、または実施形態によっては真空チャンバ２０４内で実行することができる。 （もっと読む）

【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

【課題】試料の鮮明な画像を撮影することができる電子顕微鏡システム及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】電子顕微鏡システムは、電子線を発生させる電子銃と、電子線を試料に照射するための光学系と、当該試料をセットするステージと、当該試料を観察するために、当該試料への電子線の照射を基に試料を撮影する撮影機構と、撮影機構が撮影した当該試料の画像を解析する解析機構と、当該試料と撮影機構との相対的位置を調節する位置調節機構と、を備える。位置調節機構は、解析機構の解析結果を基に、ステージ又は撮影機構の視野のうちの少なくとも一方を移動させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ装置による試料の自動加工を行うにあたって、加工領域の位置を特定する識別マークを正常に検知出来ずに、加工が失敗する場合がある。識別マークを正常に検知するためには、各種設定値を適宜に調整する必要があるが、この調整作業は加工領域および識別マークにダメージを与えてしまう。
【解決手段】加工対象である試料の表面に、加工領域と、識別マークとに加えて、基準形状を形成する。この基準形状を、識別マークを検出するために必要な設定値群を調整するために用いることで、識別マークや加工領域にダメージを与えることなく設定値群の調整を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】複数のイオン源から所望のイオン種を色収差なく選別する集束イオンビーム装置用の質量フィルタを提供する。
【解決手段】イオン源１１４により生成された複数のイオン１１０は、上部レンズ１０６により略平行なビーム３１０となり質量フィルタ３０４に入射する。質量フィルタ３０４は、互いの中心軸がオフセットされた上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕおよび下部ＥＸＢフィルタ３０６Lより構成され、ビーム３１０を質量毎に分離偏向した後、光軸３８０に平行な軌道として出射する。この際、上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕにより生じる色収差は下部ＥＸＢフィルタ３０６Ｌにより打ち消される。その後、質量分離アパーチャ３４２により所望のイオン３３２のみを通過させ下部レンズ１０８により基板１１２上に集束する。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層以外の試料の消失を抑制してダメージ層を全て除去することができるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射装置は、試料１を支持するための試料ステージ２と、試料ステージ２に支持された試料１に電子線ＥＢを照射するための電子線照射機構３と、電子線照射機構３で照射された電子線ＥＢにより試料１で励起されたカソードルミネセンス光の波長を検出するための光検出機構４と、試料ステージ２で支持された試料１のダメージ層に不活性ガスイオンビームを照射するための不活性ガスイオンビーム照射機構５と、光検出機構４で検出されたカソードルミネセンス光の波長に基づいて不活性ガスイオンビーム照射機構５で照射される不活性ガスイオンビームＩＢの照射量を制御するための制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高い装置操作スキルを必要とせず、試料、プローブや試料台等の加工対象物を加工することができる装置および方法を提供する。
【解決手段】先ず、イオンビームの走査信号と加工対象物の吸収電流に基づいて加工対象物の形状を求める形状生成処理を行い、次に、加工対象物の像に加工パターンを配置する加工パターン配置処理を行い、更に、イオンビーム照射による加工対象物の加工中に加工対象物の像と加工パターンの比較結果から、イオンビーム照射を停止するイオンビーム停止処理を行う。 （もっと読む）

【課題】構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。
【解決手段】局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡用試料の薄膜化を可能とすること。
【解決手段】一端３４が他端より膜厚の小さい先細り形状の支持台の前記一端に、前記一端側から前記他端側をみて、試料の正面がみえるように前記試料を前記一端に搭載する工程と、前記試料の正面から、前記試料に集束イオンビームを照射する工程と、前記試料の背面から、前記試料の前記支持台の膜厚方向の面である上面４４ａ、４４ｂにイオンビーム８２を照射することにより、前記上面をイオンミリングする工程と、を備えることを特徴とする電子顕微鏡用試料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子システムにおいて異なるビーム電流を有する動作モードを高速に切り替える方法を提供する。
【解決手段】実施しようとする加工に応じてＦＩＢカラム内の電極電圧の設定を行い（２６０８，２６２４）、小径のビーム画定絞り（ＢＤＡ）を選択し（２６１０、２６２６）、小電流で整列マークを画像化し（２６１２，２６２８）、前記マークの位置を決定する。次いで、ミリング用のＢＤＡ（大または中間の径）を選択し（２６１４、２６３０）、前記位置情報に基づいて大または中の電流でミリングを行う（２６１６，２６３２）。前記画像化からミリングへの切換えの際には、ＢＤＡだけを変更し、ＦＩＢカラム内の電極電圧は変更せず、ビームの位置変更もしない。これにより、電源設定時間に起因する遅延を回避する。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】同一のイオン源から引き出した複数のイオンビームを用いて、試料の加工と観察を可能にするイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２つ備え、各々のガス系統においてガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源を用いて、質量数の異なる少なくとも２種類のガスイオンを生成して、試料の加工時と観察時でガスイオンビーム種の切り替えを可能とする。 （もっと読む）

【課題】試料表面に膜を施すことなく試料表面の電荷を平衡に保ち安定した試料の加工および観察が可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】マイクロプローブ１２に固定部５０１を介して固定された枠状の導電板１９を絶縁性試料７に接地（接触）させる。その状態で、導電板１９の枠内にイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行う。このとき、試料７上の電荷は、導電板１９及びマイクロプローブ１２を介して装置方向に移動するため、試料７の表面がチャージアップすることが防止される。加工、観察が終了したら、導電板１９を試料７上から離すため、マイクロプローブ１２を動かし、退避させる。 （もっと読む）

【課題】２つのコラムを用いて、試料の加工や解析、検査をする際の焦点調整を容易化する。
【解決手段】第１粒子ビームコラム２と第２粒子ビームカラム３とを有する粒子ビーム装置１に於いて、試料キャリア２４は、第１ビーム軸２１との間に第２角度Ｗ２を、また、第２ビーム軸２２との間に第３角度Ｗ３を成す回転軸２５を有し、それぞれのカラムに対応した第１位置と第２位置の間で回転可能である。第１ビーム軸２１と第２ビーム軸２２は一致点２３で公差し、試料表面が第１位置にあるとき、一致点２３と第１粒子ビームコラム２との距離は、試料表面と第１粒子ビームコラム２との距離より大きく、又、試料表面が第２位置にあるとき、一致点２３と第２粒子ビームコラム３との距離は、試料表面と第２粒子ビームコラム３との距離よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源１からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第１の試料ステージ１３に載置された試料１１に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片３０３を載置する第２の試料ステージ２４が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第２の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 （もっと読む）