【課題】炭素系エミッタ材料の優れた性質である低電圧、高効率電子放出を利用した新規な平面電極の構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、球面状凹部と電界により電子を放出する電子放出突起が平面基板上に周期的均一構造をもって形成されてなる多孔体構造電界放出平面電極が提供される。このような多孔体構造電界放出平面電極は、平面基板上に均一に球状粒子の細密充填層（オパール層）を形成する第一の工程、高分子材料及び／又は高分子材料前駆体をオパール層の間隙に充填する第二の工程、当該高分子材料及び／又は高分子材料前駆体を固化する工程、及びオパール層を除去する第四の工程によって簡便に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜型電子源において、電子放出効率を向上させる。
【解決手段】薄膜型電子源の上部電極の材料として、Ｓｉよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。ホットエレクトロンが通過する上部電極（１１）中での電子のエネルギー損失が低減し、電子放出効率が向上する。従来並のダイオード電流の場合、高い放出電流が得られる。一方、従来並の放出電流密度の場合、低駆動電流で済む為、給電線および駆動回路を簡易化できる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ含有層に粒子を添加することにより、起立したカーボンナノチューブを適切な間隔で配置することのできる電界放射式ディスプレイを提供する。
【解決手段】カソードパネル１とアノードパネル２とを備え、カソードパネル１は、カソード基板３と、カソード電極４と、先端部がアノードパネル２側に露出して電子を放出するカーボンナノチューブ５およびカーボンナノチューブ５どうしの起毛間隔を定めるためのガラス粒子６を含むカーボンナノチューブ含有層７とを有し、アノードパネル２は、アノード基板１０と、アノード電極１１と、電子から与えられるエネルギーによって光を発する蛍光体１２とを有し、ガラス粒子６は、粒径が０．５μｍ〜２０μｍであり、かつカーボンナノチューブ含有層７の体積を１００％とした場合に、粒子含有率が体積比で１０％〜７０％であるものである。 （もっと読む）

【課題】エミッション遅延現象を抑制して動画像の実現の際に輝度の低下を最小化し，表示品質を高めることが可能な電子放出素子および電子放出素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子は，カソード電極６と，絶縁層を介してカソード電極６の上部に形成されるゲート電極１０と，カソード電極６に形成され，カソード電極６とゲート電極１０に印加された電圧の差から発生する電界によって電子を放出する電子放出部１２と，カソード電極６とゲート電極１０に電圧を印加する駆動部と，電子放出部１２から放出された電子を加速させるために陽の電圧が印加されるアノード電極２６とを含み，カソード電極６に印加される第１電圧（Ｖｃ）とゲート電極１０に印加される第２電圧（Ｖｇ）は０．４≦Ｖｃ／Ｖｇ＜０．８を満足する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォール膜の凹凸な表面上に電子引出電極を容易に高精度に形成することを可能となし、かつ、カーボンナノウォール膜から長期にわたり安定した電子放出させることを可能とすること。
【解決手段】基板１５上に多数のナノオーダの壁状炭素薄片が平面方向に集合連成された形態のカーボンナノウォール膜１８が電子放出材料として成膜され、該カーボンナノウォール膜１８上に粒子サイズが１００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子からなるナノダイヤモンド膜２０がカーボンナノウォール膜１８の凹凸表面を反映しない平坦な膜表面に成膜されている。 （もっと読む）

【課題】電子線励起により発光する蛍光体、特に電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）用に好適な赤色蛍光体を提供すること。
【解決手段】イットリウム化合物及びユーロピウム化合物の混合物若しくはイットリウム・ユーロピウム複合化合物を非還元性雰囲気下で焼成して粗蛍光体を得、次いで、粗蛍光体を粉砕した後、前記焼成時の雰囲気と同じ雰囲気下で再焼成することを特徴とする電子線励起赤色蛍光体の製造方法である。
【効果】本発明の電子線励起赤色蛍光体の製造方法は、電子線照射による発光輝度がより一層優れ、しかもメジアン径も小さくペースト化に適した蛍光体を得ることのできる製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 低加速電圧下においても蛍光体薄膜表面にチャージアップが起こることなく、十分な発光輝度が得られる蛍光体薄膜及びその形成方法並びにこの蛍光体薄膜を用いた薄膜蛍光体基板及びその作製方法の提供。
【解決手段】 母材酸化物と付活材としてのランタノイド元素と導電性酸化物となり得る物質とを多元蒸着し、次いで焼成することにより導電性蛍光体薄膜を形成する。透明基板、導電膜、及び導電性蛍光体薄膜から３層構造の薄膜蛍光体基板を作製する。透明基板上に導電膜を形成し、この上に導電性蛍光体薄膜を形成するか、又は透明基板上に導電性蛍光体薄膜を形成し、この上に導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出現象を利用しつつ簡便なプロセスで作製できるモジュールを提供し、発光デバイスとしてディスプレイのみならず広範囲な分野において活用を図ることを目的とするものである。特に、高効率電子放出特性を有し、長寿命を持つエミッタ材料を提供し、また、低温で再現性に優れたエミッタ加工プロセスも提供する。
【解決手段】透明導電ガラス及び有機蛍光体薄膜からなるアノード基板と、半導体基板及び電界電子放出材料薄膜からなるカソード基板と、アノード基板とカソード基板とを対向して配設させ、基板間の空隙を高真空雰囲気に保持させるスペーサと、アノード基板とカソード基板と間に電界を印加させる電圧印加回路とを有し、基板間の空隙を真空チャネル領域として、基板間に電界を印加することにより電界電子放出材料薄膜からの電子を有機蛍光体薄膜に注入させて発光させることを特徴とする電界放出発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＤなどに用いられる蛍光体において、発光輝度を高めるとともに輝度劣化を抑制し使用寿命を改善する。
【解決手段】本発明の表示装置用青色発光蛍光体は、ＡｇおよびＡｌを付活剤とする立方晶系の硫化亜鉛蛍光体を主体とし、表面にＳｉとＫをそれぞれ含有する層を有する。また、本発明の表示装置用緑色発光蛍光体は、ＣｕおよびＡｌを付活剤とする立方晶系の硫化亜鉛蛍光体を主体とし、表面にＳｉとＫをそれぞれ含有する層を有する。蛍光体に対するＳｉの含有割合は０．００５〜０．１重量％とすることが望ましい。また、Ｓｉ／Ｋが重量比で１．０〜２．５であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 高濃度のＭｇが固溶したＺｎＭｇＯ系粉末蛍光体を提供し、これを用いた発光デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、微小基板表面に少なくとも表面の全部または一部に化学式がＺｎ_(1-x)Ｒ_xＯ：Ｚｎ（ＲはIIＡ族元素，０．０５≦ｘ）で表され、かつ六方晶構造を持つ表面層が形成されていることを特徴とする粉末蛍光体である。また前記化学式中のＲがＭｇであるのが好ましい。さらに本発明は上記粉末蛍光体の製法、およびこれを用いた発光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 高精細かつ輝度が高い、画質の良い画像表示装置を提供する。
【解決手段】 上記目的は、蛍光体により形成された厚さ40μm以下の蛍光膜を有し、かつ蛍光体の少なくとも一部に、組成がY_2-x-yTb_xSc_ySiO₅(但し、ｘ、ｙは、0＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１を満たす数)で表される蛍光体を用いたことを特徴とする画像表示装置において達成できる。また、この蛍光体についてのX線回折で、最も強く現れる回折ピークの位置を2θ=30.65°以上30.9°以下とすることで、望ましい特性を得られる。このような蛍光体は、Y、Sc、及びTb同時に含む化合物を、Siを含む化合物と混合し、加熱焼成する事により得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 ナノチューブを電子源とした自発光平面表示装置において、ナノチューブの耐熱性を向上させ、パネルプロセスの大幅な簡略化及びコスト低減化を実現可能とする自発光平面表示装置を提供する。
【解決手段】 カソード電極ＣＬ上の電子源ＥＭＳに硼素及び窒素を構成元素として含んだナノチューブを使用することにより、耐熱性が大幅に向上し、大気中でのパネル封止が可能となるので、パネルプロセスの大幅な簡略化及びコスト低減化が可能となる。さらには、耐環境性に強い電子源ＥＭＳを実現することにより、電子源寿命を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】色純度が高く発光輝度が高められた表示装置用蛍光体を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用蛍光体は、ＣｅまたはＥｕを付活剤とする三元化合物蛍光体を主体とし、加速電圧が１５ｋＶ以下の電子線により励起されて発光する蛍光体であり、前記三元化合物を構成する第１の元素が、ＮａおよびＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれる少なくとも１種類の元素であり、第２の元素がＹまたはＳｉであり、第３の元素がＳであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 十分な寿命を有し且つ低速電子線でも高輝度で発光する低速電子線用蛍光体、蛍光体ペースト、および蛍光表示装置を提供する。
【解決手段】 低速電子線用蛍光体は、Ca_1-xSr_xTiO₃:Pr,Zn,Liから成る蛍光体粒子６の表面に熱処理によって酸化物に変化する錫化合物が付着して構成される。この蛍光体８を蛍光表示装置を構成するために基板等に塗布して熱処理を施すと、蛍光体粒子６の表面に酸化錫から成る保護層４が形成される。そのため、初期輝度の大きな低下を伴うことなく、保護層４を設けない場合に比較して蛍光体８の劣化が抑制される。したがって、比較的高い輝度を維持しながら、炭素やバリウム等による劣化が抑制され、例えば1000時間程度以上の長寿命が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、スペーサの周囲の異常発光現象及び表示均一度の低下を最少化することができる、電子放出素子を提供することにある。
【解決手段】本発明による電子放出素子は、単位画素が設定される第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出ユニットと、第２基板のうちの第１基板との対向面に互いに所定の距離をおいて形成され、少なくとも一つの単位画素に対応するように位置する蛍光層と、蛍光層の間に位置する非発光領域と、第１基板と第２基板との間で非発光領域に対応して位置するスペーサとを含む。この時、非発光領域はスペーサが位置するスペーサローディング領域を含み、スペーサローディング領域は下記の条件を満たす。
０．２≦Ａ／Ｂ≦０．５
ここで、Ａはスペーサローディング領域の幅を示し、Ｂはスペーサローディング領域の幅が定義された方向に沿って位置する単位画素のピッチを示す。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＤなどに用いられる緑色発光蛍光体において、発光輝度を高めるとともに、輝度劣化を抑制し使用寿命を改善する。
【解決手段】 本発明の表示装置用緑色発光蛍光体は、銅およびアルミニウムを付活剤とする立方晶系の硫化亜鉛蛍光体を主体とし、付活剤である銅の濃度が硫化亜鉛に対して２００〜１２００ｐｐｍであることを特徴とする。この硫化亜鉛蛍光体粒子の表面に、マグネシウムおよびリンを含む層を形成することにより、さらに輝度劣化特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＤなどに用いられる青色発光蛍光体において、発光輝度を高めるとともに、輝度劣化を抑制し使用寿命を改善する。
【解決手段】本発明の表示装置用青色発光蛍光体は、銀およびアルミニウムを付活剤とする立方晶系の硫化亜鉛蛍光体を主体とし、付活剤である銀の濃度が硫化亜鉛に対して３００〜１２００ｐｐｍであることを特徴とする。この硫化亜鉛蛍光体粒子の表面に、マグネシウムおよびリンを含む層を形成することにより、さらに輝度劣化特性を改善することができる。 （もっと読む）

電界放出特性は、金属酸化物で炭素材料をコーティングすることによっても改善し得る。こうした金属酸化物は、炭素材料の仕事関数を低下させることに寄与し、また、特に高電流密度での動作時において、炭素材料の電界放出特性の寿命を改善する。
（もっと読む）

本発明は、従来の希土類付活サイアロン蛍光体より高い発光輝度を有する酸窒化物蛍光体を提供することにある。その解決手段は、酸窒化物蛍光体の材料設計を一般式ＭＡ１（Ｓｉ_６−ｚＡｌ_ｚ）Ｎ_１０−ｚＯ_ｚ（ただし、ＭはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる１種または２種以上の元素）で示されるＪＥＭ相を主成分として生成せしめ、これによって例えば、蛍光スペクトル最大発光波長が４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、励起スペクトル最大励起波長が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の高輝度の酸窒化物蛍光体を提供しうるものである。
（もっと読む）