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Fターム[5C051DB06]の内容

ファクシミリ用ヘッド (33,712) | ヘッドの構成要素 (10,809) | 配線;電極 (315)

Fターム[5C051DB06]に分類される特許

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【課題】接触による電子放出素子の機械的損傷を防止するとともに、イオンの拡散を抑制して、高解像度の静電潜像を描画可能とするイオンフロー型静電描画装置を提供する。
【解決手段】感光体に対向する凹部2aが形成されたガラス基板2の該凹部2a内に、感光体に向けて電子を放出する電子放出素子11を設け、さらに、この電子放出素子11に臨むように、2つのフローティング電極24を、凹部2aの側壁部2ab上に積層する。2つにフローティング電極24は、凹部2aの底面に対してそれぞれ傾斜して設けられている。 (もっと読む)


【課題】 ホログラム領域の読み取りが可能でありつつ、薄型化を図ることが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 イメージセンサモジュール101は、主走査方向xに配列された複数の受光部を有するセンサIC500と、読み取り対象物890から向かってきた光をセンサIC500に結像させるレンズユニット400と、副走査方向yにおいてレンズユニット400に対して離間した位置に置かれた主走査方向xに延びる出射面283Aを有し、この出射面283Aから主走査方向xに延びる線状光を読み取り対象物890に向けて出射する光源ユニット200Aと、副走査方向yにおいてレンズユニット400と出射面283Aとの間に置かれた主走査方向xに延びる出射面283Bを有し、この出射面283Bから主走査方向xに延びる線状光を読み取り対象物890に向けて出射する光源ユニット200Bと、を備える。 (もっと読む)


【課題】 受光部の部位によって計測値にバラつきが生じにくいイメージセンサを提供する。
【解決手段】 金属層3を含む上面を有している配線基板1と、受光部2aを有しており、複数の金属部材6によって金属層3に接合されているセンサ素子2とを備えており、複数の金属部材6が、平面視において受光部2aに重なる第1領域5aに設けられた第1金属部材6aと、第1領域5aの周囲の第2領域5bに設けられた第2金属部材6bとを含んでおり、第1金属部材6aが、第2金属部材6bよりも広く設けられているイメージセンサである。受光部2aの中央領域とその周囲領域とで、受光部2aの温度の差を低減して、受光部2aの感度のばらつきを低減する。 (もっと読む)


【課題】分割出力されたセンサ信号の合成を行う際の処理を容易とするイメージセンサユニットを提供する。
【解決手段】光電変換部PDからのセンサ信号をシフトレジスタSRにより2以上に分割して転送する光電変換素子13を複数個備え、それらの光電変換素子13からのセンサ信号を2以上のチャンネルで出力すると共に、光電変換素子13より出力される転送終了の制御信号Sを分割された2回目以降のセンサ信号の転送開始の制御信号とするイメージセンサユニット4であって、光電変換素子13を最大数備えたチャンネルにおける終端に位置する光電変換素子13より出力される転送終了の制御信号Sを、光電変換素子13の全てに入力する。 (もっと読む)


【課題】高出力化を図る発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ゲートに一定の電位が印加されたときアノードとカソード間で導通することが可能な3端子構造のシフト部サイリスタT1〜T6と、シフト部サイリスタT1〜T6から分離するように形成された発光ダイオードL1〜L6と、シフト部サイリスタT1〜T6のゲート間を結合する結合ダイオードD0〜D6とを有する。発光ダイオードL1〜L6のアノードは、対応するシフト部サイリスタT1〜T6のゲートに短絡され、発光ダイオードのカソードは、外部からの発光信号ラインΦI1またはΦI2に接続される。点弧されたシフト部サイリスタに接続された発光ダイオードは、発光信号ラインΦI1またはΦI2から供給される信号に応じて発光または非発光する。 (もっと読む)


【課題】狭幅化と高密度かつ高速な書込みに対応した高速データ転送における信号品質の確保の両立を図ることのできる光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】複数の発光源102及びその電極配線を有する有機EL基板101と、発光源102の光ビームを被照射面上に結像するレンズアレイ105と、有機EL基板101とレンズアレイ105とを保持し、画像形成装置の面板と当接する突当部106aを有するハウジング106と、発光源102の駆動を制御する駆動制御回路150及び駆動制御回路150の信号配線を有し、ハウジング106を保持するプリント基板107と、プリント基板107をその基板面と平行な方向に前記被照射面側に付勢して突当部106aを前記面板に当接させる付勢手段と、を備え、プリント基板107は、その基板面とレンズアレイ105の光軸が平行になるとともに、前記電極配線と信号配線が接続されるようにハウジング106を保持する。 (もっと読む)


【課題】高出力化を図る自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】自己走査型発光素子アレイ10は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたpnpn構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn−1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたpnpn構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTnー1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたpn接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTn、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層28PTの直下には酸化領域が形成される。 (もっと読む)


【課題】高出力化を図る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたpnpn構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたpnpn構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたpn接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTn、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 (もっと読む)


【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップCは、基板80上に列状に配置された複数の発光サイリスタL1〜L128と、それぞれの発光サイリスタLの光を出射する発光面311に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタLが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタLに発光のための電流が供給される配線のφI端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ90を備えている。 (もっと読む)


【課題】ドライバICチップにおける、駆動データ信号の転送に要する時間を短くする。
【解決手段】アレイを構成する被駆動素子(101〜104、105〜108)を、駆動データ信号(DOT1〜DOT192)に基づいて駆動する駆動部(DRV)と、駆動データ信号を転送するためのシフトレジスタ(SFRa〜SFRd)の前段に設けられ、遅延時間を選択可能な遅延回路(331〜334)を備える。シフトレジスタ(SFRa〜SFRd)はまた,遅延時間を選択するためのデータ(Hd)を転送し、メモリ(MDM)に記憶させる。 (もっと読む)


【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第1導電型の基板と、該第1導電型の基板にア
レイされた第1ピクセル及び第2ピクセルと、該第2ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第1ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第2ピクセルは、前記第1ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記P型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 (もっと読む)


【課題】 小型化を図ることが可能なLEDモジュールおよびイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明に係るLEDモジュールは、LEDチップ221,222と、LEDチップ223と、ツェナーダイオード224,225と、搭載部251を有するリード241と、開口部271が形成された樹脂パッケージ270と、を備えており、LEDチップ221,222は、同一の絶縁層262を介してリード241に接合されており、LEDチップ223とツェナーダイオード224,225とは、同一の導電層261を介してリード241に接合されており、LEDチップ221,222とLEDチップ223との間に、ツェナーダイオード224,225が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第1の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第1の選択信号線の走査を行い、第2の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第2の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第1の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第2の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサ内の画素の画素アンプを一度に起動すると突入電流が発生し、イメージセンサが出力する画像に悪影響が及ぶ場合が在るため、画素アンプを起動するタイミングを撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御とを行う制御手段により、突入電流を抑える。
【解決手段】画素アンプを有する複数の画素が撮像領域内に配置されたイメージセンサと、前記画素アンプを起動するタイミングを前記撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御とを行う制御手段とにより、突入電流を抑え、突入電流に起因する不要輻射の発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】転送速度を改善しながら正常な転送を実現できる自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】シフト部/発光部の島とゲート負荷抵抗の島とを分離せずに一体化する。ゲート負荷抵抗用の電極が無くなるので、ゲート負荷抵抗の電極23とp型ゲート層13との間に存在した接触抵抗が無くなる。その結果、ゲート抵抗が小さくなり、転送速度が増大する。 (もっと読む)


【課題】読取速度の高速化したイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明のイメージセンサ1は、m(mは2以上の整数)個のスイッチング素子2と、スイッチング素子2の入力端子10に接続されたm個の受光素子3と、スイッチング素子2をn(nは2以上の整数)個のスイッチング素子群4ごとに分割するとき、スイッチング素子2の切替端子11に、スイッチング素子群4ごとに接続されたn個のシフトレジスタ5と、スイッチング素子2の出力端子12に、スイッチング素子群4ごとに接続された加算部6と、外部から入力されたクロック信号を1/nクロック信号に分周し、分周した1/nクロック信号を、所定時間ずつ遅延させながらシフトレジスタ5にそれぞれ出力する分周遅延部7とを備えるものであって、m個のスイッチング素子2の切替端子11は、スイッチング素子2の配列順に、n個のシフトレジスタ5に、シフトレジスタ5の配列順に接続されている。 (もっと読む)


【課題】低コスト化を図ることができるとともに、動作速度の向上を図ることができるフォトセンサを実現する。
【解決手段】複数の光電変換素子群201は行方向(X方向)に配置され、1つの光電変換素子群201は、行方向に対して略直交する列方向(Y方向)に並べられた3つのフォトダイオードPD1〜PD3を含む。さらに、各フォトダイオードから信号を読み出すための転送トランジスタ(Tr1〜Tr3)が設けられる。同一行に属する転送トランジスタのゲート電極(2241,2242,2243)は一体的に形成される。さらに、ソース電極223とゲート電極との重なり部分の面積は、ドレイン電極222とゲート電極との重なり部分の面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】対象物からの反射光を精度よく受光できるようにしつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置において発光部20は受光部30より対象物F側に位置する。発光部20は、照射光ILを発する発光層26と、照射光ILと反射光RLを透過する第1電極22と、照射光ILと反射光RLを遮光すると共に開口部が形成された第2電極24と、第2電極24の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ILと反射光RLを遮光すると共に第1電極22と第2電極24とを部分的に絶縁する絶縁層28とを備える。受光部30は反射光RLを受光する受光素子Dを備える。遮光層BMは、第2電極24の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ILと反射光RLを遮光すると共に開口部が形成されている。対象物F側から平面視した場合に、遮光層BMは第2電極24の開口部と重なり、受光素子Dの受光面は遮光層BMの開口部内に位置する。 (もっと読む)


【課題】安定に動作し共通化が図れる発光装置等を提供する。
【解決手段】発光装置65は、発光チップ実装基板62上に、光源部63が主走査方向であるX方向に構成されている。光源部63は、それぞれ複数の発光素子を備える20個の発光チップC1〜C20を、二列に千鳥状に配置して構成されている。さらに、それぞれの発光チップC1〜C20の発光素子を順に点灯させるために指定する信号(転送信号)を供給する転送信号供給回路66を備えている。そして、発光チップCの発光素子の光量を補正するためのデータ(補正データ)を格納した光量補正データメモリ67を備えている。発光装置65と制御部の発光装置駆動回路33との間を信号の送受信を行うためのケーブル35で接続する。 (もっと読む)


【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置は発光部20と受光部30を備え、発光部20は受光部30より対象物F側に位置する。発光部20は、照射光ILを発する発光層26と、照射光ILと反射光RLを透過する第1電極22と、照射光ILと反射光RLを遮光すると共に開口部が形成された第2電極24とを備える。また、受光部30は、反射光RLを受光する受光素子Dを備える。対象物F側から平面視した場合に、受光素子Dの受光面は第2電極24の開口部内に位置する。 (もっと読む)


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