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Fターム[5C094AA03]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 見易さ向上 (5,812) | 画質向上 (3,500) | 表示むら解消 (1,126)

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【課題】本発明が目的とする技術的課題は、均一な表示特性を有するシリコン結晶化方法及びそれを用いた有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板上に非晶質シリコン層を蒸着する工程と、レーザービームの透過領域と遮断領域を有するマスクを通じて前記レーザービームを照射することで前記非晶質シリコン層を溶融する工程と、前記溶融されたシリコン層が凝固して結晶化する工程とを含み、前記マスクの遮断領域と前記透過領域の境界線の少なくとも一部は階段状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】正確に焼き付きを防止することの可能な表示装置を提供する。
【解決手段】画素P0に所定の大きさの定電流が流され、画素P1〜画素Pnに互いに異なる大きさの定電流が流され、その定電流の大きさに応じた輝度で画素P0〜画素Pnが発光する。画素P0〜画素Pnの間に所定の数ずつ配置された各受光素子17Bにおいて、隣接する2つの画素Pi-1,Piの発光光が検知され、隣接する2つの画素Pi-1,Piの受光信号17A(電圧Vsi-1’,Vsi)が出力される。隣接する2つの画素Pi-1,Piの輝度比αiが、その2つの画素Pi-1,Piの間に配置された受光素子17Bから出力された受光信号17A(電圧Vsi-1’,Vsi)を利用して導出されたのち、輝度比α1、α2、……、αiを利用して画素P1〜画素Pnの輝度情報が補正される。 (もっと読む)


【課題】正確に焼き付きを防止することの可能な表示装置を提供する。
【解決手段】各ダミー画素16に、互いに異なる大きさの信号電圧が印加され、その信号電圧の大きさに応じた輝度で各ダミー画素16が発光し、各ダミー画素16に流れる電流が電流測定回路26で検知される。各ダミー画素18に、互いに異なる大きさの定電流が流され、その定電流の大きさに応じた輝度で各ダミー画素18が発光し、各ダミー画素18の発光光が受光素子群19で検知される。電流測定回路26から出力された電流信号26Aを用いて電流劣化関数Ii(t),Is(t)が導出され、受光素子群19から出力された受光信号19Aを用い効率劣化関数Fi(t),Fs(t)が導出される。電流劣化関数Ii(t),Is(t)、効率劣化関数Fi(t),Fs(t)および映像信号20Aの履歴から、各表示画素13の電流劣化率および効率劣化率が予測される。 (もっと読む)


【課題】表示素子の明るさを調整することができる電子ペーパ表示素子を提供する。
【解決手段】電子ペーパ表示素子は、一面にセル30を区切る凸パターン20が設けられている下部基板と、セル30内に配置されているディスプレイユニット40と、ディスプレイユニット40を覆い、凸パターン20の上部に積層されている上部基板とを含み、大きさ、比重、電荷量に差のあるディスプレイユニット40を用いることにより明るさが調整される。ディスプレイユニット40は、光学的及び電気的異方性を有する回転体であり、流動性液体中に分散した+帯電粒子及び−帯電粒子を備える電子ボールによって構成することができる。 (もっと読む)


【課題】画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置を提供すること。
【解決手段】1つのダミー画素Pdに対して、複数のダミーコンタクトホールDcが形成されており、1つはダミー画素遮光膜9dの角部に配置され、2つは走査線83の幹線に沿って角部のダミーコンタクトホールと連続して配置されている。換言すれば、ダミーコンタクトホールDcは、ダミー領域における第1遮光膜としての走査線83に沿って形成されており、走査線83近傍の下地絶縁膜12の強度を下げる役割を荷っている。つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールDcが形成されたダミー画素領域における走査線83部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。よって、有効画素領域における画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 個々の液晶表示パネルにおける残像を低減するとともに、複数枚の液晶表示パネル間における残像のレベルを均一化する。
【解決手段】 あらかじめ用意されたレイアウトデータに基づいて複数の走査信号線、複数の映像信号線、複数のTFT素子、および複数の画素電極を形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法であって、前記走査信号線を形成する工程は、前記レイアウトデータに基づいて作成される描画データによる数値制御で露光パターンを生成する空間光変調素子を有する露光装置を用いて感光性材料膜を露光する工程を有し、前記描画データは、前記レイアウトデータにおける前記走査信号線のうちの、前記ソース電極と重畳させる部分の形状が、前記走査信号線と前記ソース電極との間に介在する絶縁層の膜厚の分布に応じた面積になるように補正して作成する液晶表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法で形成される機能層の層厚均一性を向上させる。
【解決手段】第1電極45と第2電極47と、第1電極45と第2電極47に挟持される少なくとも有機EL層42を含む発光機能層44とを備える有機EL素子29を備える有機EL装置の製造方法であって、基板10上に複数の第1電極45を形成する第1工程と、第1電極45の各々を囲む隔壁77を形成する第2工程と、隔壁77で囲まれた領域内75に、溶質または分散質として発光機能層形成材料を含む第1のインクを吐出して第1のインク層11を形成する第3工程と、隔壁77で囲まれた領域内75に第1のインクよりも比重が小さい第2のインクを吐出して、第1のインク層11を覆う第2のインク層12を形成する第4工程と、第1のインクと第2のインクとを乾燥させる第5工程と、を含む有機EL装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表示される色の純度を確保し、画質の向上を図る上で有利な表示素子および表示装置を提供する。
【解決手段】表示素子10は、基板12と、複数のLED14と、透明板16と、隔壁18と、蛍光体20と、駆動手段30を含んで構成されている。基板12は板状を呈している。複数のLED14は、基板12の前面12A(一方の面)に実装され近紫外線光または紫外光を発光するものである。透明板16は、基板12と同じ輪郭の板状を呈し、基板12の前面12Aに対向して設けられている。隔壁18は、前面12Aと透明板16との間に設けられている。隔壁18は、光透過性を有しないものであり、複数のLED14毎にそれらLED14を収容する発光室24を区画する。蛍光体20は、発光室24側に位置する隔壁18の内面と、透明板16との双方に形成されている。 (もっと読む)


【課題】 表示領域を特殊な形状とするものにあって、輝度むらの発生を抑制させた表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置において、マトリックス状に配置された各画素のうち一方向に並設された複数の画素の画素群に沿ってこれら各画素に接続されるそれぞれの信号線が形成され、これらの信号線は表示領域内でその長さが異なるものを有し、
長さの小さな前記信号線を共通にする前記各画素の実質領域の面積は、長さの大きな信号線を共通にする前記各画素の実質領域の面積よりも大きく構成されている。 (もっと読む)


【課題】画素内への過電流の流入を抑止しつつ画素間の輝度バラツキを大幅に低減するとともに、生産性に優れた表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の発光画素95が配置されている表示装置100であって、基板10と、基板10上に形成された第1電極20と、第1電極20と電気絶縁されて形成された補助配線30と、第1電極20上に形成され、電流に応じて発光する発光部90と、少なくとも発光部90の上面に形成された第2電極80と、第2電極80と補助配線30の上面の一部とを電気的に接続する電子輸送層70とを備え、発光部90は、少なくとも電子輸送層70を含む。 (もっと読む)


【課題】表示装置が置かれる環境条件の影響を受けることなく、有効画素の輝度の劣化量を検出できるようにする。
【解決手段】表示パネル40上に劣化測定基準画素部51と基準画素部52とを隣接して設ける。劣化測定基準画素部51についてはあらかじめ定められた輝度で発光駆動し、当該劣化測定基準画素部51の輝度を検出する。一方、基準画素部52については、輝度の劣化量を検出するときに発光駆動し、当該基準画素部52の輝度を検出する。そして、劣化測定基準画素部51および基準画素部52の各輝度の検出結果を基に、有効画素の輝度の劣化分を補正する処理を行う。 (もっと読む)


【課題】従来技術における欠点を取り除くことができる表示装置を提供できないでいた。
【解決手段】本願に係る発明によれば、2D/3D表示において、第1の焦点強度と第2の焦点強度との間において連続的なやり方で切り替えられることができる焦点をもつ切り替え可能なレンチキュラアレイが供給される。この切り替え可能なレンチキュラアレイは、流体の円筒形レンズ部分を有しており、この焦点はエレクトロウェッティングによって制御され得る。 (もっと読む)


【課題】高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板1上に形成される表示デバイス用の反射電極2であって、前記反射電極は、0.05〜2原子%のNi及び/又はCo、並びに0.1〜2原子%のNdを含有する第1のAl−(Ni/Co)−Nd合金層2aとAlとO(酸素)を含有する第2のAl酸化物層2bと、を有している。上記Al酸化物層は透明画素電極3と直接接続しており、前記Al酸化物層中のO原子数とAl原子数との比である[O]/[Al]が、0.30以下であり、前記Al酸化物層の最も薄い部分の厚みが、10nm以下である。上記反射電極は、前記Al酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、前記透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 (もっと読む)


【課題】第1基板と第2基板の間隔の面内ばらつきを低減し、表示品質と歩留まりを向上させる。
【解決手段】駆動トランジスタ24が形成された第1基板51と、有機エレクトロルミネッセンス素子25が形成された第2基板52を、スペーサー54を含有する絶縁性接着剤55で接合する。 (もっと読む)


【課題】より鮮明な表示が可能な表示媒体、この表示媒体を用いた大型化を回避することのできる表示装置及び表示方法を提供する。
【解決手段】少なくとも基板1、該基板の一方の面に設けた共通電極2及び該共通電極上に電界の作用により光学特性が可逆的に変化する表示体6を、マス目状の壁材、又はハニカム構造の壁材により、不連続に分散して形成した可視性記録を行うことのできる表示層9からなる表示媒体であって、該マス目状の壁材、又はハニカム構造の壁材が、シロキサン成分を含有するものである表示媒体。表示媒体及び該表示媒体に視認することのできる情報を表示する書き込み装置からなり、該表示媒体と該書き込み装置とは少なくとも書き込み時には近接するように着脱可能とした表示装置であって、該書き込み装置は、画像信号に応じて該表示媒体に電界を作用させる。 (もっと読む)


【課題】従来の有機EL装置では、表示品位を向上させることが困難である。
【解決手段】Rの光を発光し、X方向に沿って配列された第1発光素子及び第2発光素子と、Gの色の光を発光し、Y方向に沿って配列された第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子と、Bの色の光を発光し、Y方向に沿って配列された第6発光素子及び第7発光素子とを有し、第4発光素子は第1発光素子と第2発光素子との間に配置されており、第6発光素子は第3発光素子と第4発光素子との間に配置されており、第7発光素子は第4発光素子と第5発光素子との間に配置されており、第1発光素子、第2発光素子、第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、第6発光素子及び第7発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機EL装置。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層の成膜は、酸素が流量比で50%以上100%以下含まれる雰囲気中で行う。また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が3原子%以上30原子%以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスの変位誤差により生じるゲート・ドレイン寄生キャパシタンスの変量を補償するための設計を備える画素セットを提供する。
【解決手段】互いに平行な走査線と、走査線と交差するデータ線と、走査線間に位置する2つの画素を含む画素セットが提供される。画素がそれぞれデータ線の両側にある。各画素が、データ線に近くに配置されたアクティブデバイスと、画素電極と、画素電極に部分的に重複する保存キャパシタンス電極と、ブランチを含むドレイン補償パターンとを備える。ブランチがデータ線から遠い画素電極の一側に位置するとともに、データ線に近いブランチの一側に位置する凹所を有する。ドレイン補償パターンがアクティブデバイスのドレインに接続される。ドレイン補償パターンの一部分が凹所内部に位置する。ブランチがゲートから遠い凹所の一側においてドレイン補償パターンと重複しない。 (もっと読む)


【課題】 有機EL素子がどのような発光階調で発光しても、発光輝度にバラツキを生じさせない。
【解決手段】有機EL装置は、発光素子と、駆動トランジスタと、容量素子とを含む画素回路Pと、制御回路CUとを備える。制御回路CUは、移動度補償期間において、データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにすることで移動度補償動作を実行する。オフセット電位書込期間において、データ電位の値に応じたオフセット電位Voffsetを当該データ電位Vdに加えた値の電位を駆動トランジスタのゲートに供給することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定する。データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも高い階調を示すものである場合はオフセット電位を正の値に設定し、データ電位に対応する指定階調が基準階調よりも低い階調を示すものである場合は負の値に設定する。 (もっと読む)


【課題】画素回路の初期化や補償動作を行うための構成を簡素化しつつデータ電位を書き込むための期間を充分に確保する。
【解決手段】各画素回路Uには、当該画素回路UにおけるノードNDと、当該画素回路Uから見てY方向の負側に隣り合う画素回路Uに対応する第1給電線20との間に配置されるリセットトランジスタTRESが設けられている。そして、当該画素回路Uに対応する走査線12が選択される水平走査期間Hよりも前の初期化期間PINおよび補償期間PCPにおいて、当該画素回路UのリセットトランジスタTRESがオン状態に設定されるとともに、当該画素回路Uに対応する第1給電線20および当該画素回路Uから見てY方向の負側に隣り合う画素回路Uに対応する第1給電線20の各々に出力する電源電位VELの値が可変に制御されることで、当該画素回路Uの初期化や補償動作が実行される。 (もっと読む)


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