【課題】有機ＥＬ素子を構成する電極の低抵抗化が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、当該基板上に形成された画素電極１３と、当該画素電極と同一の層として、かつ、該画素電極とは物理的に分断されるように形成された補助電極５０１と、前記画素電極を覆うように形成された発光機能層１８と、当該発光機能層を覆うように形成された対向電極５と、を備え、発光素子８が、前述した画素電極、対向電極、及び、発光機能層から構成され、前記補助電極は、当該補助電極を断面視した場合、前記対向電極と接触する側面をもつ（図中符号“ｃｔ”参照）。 （もっと読む）

【課題】十分な駆動能力を有し、且つ、表示特性の均一性を向上することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素ＰＸに備えられた有機ＥＬ素子４０と、
有機ＥＬ素子を駆動制御するとともに、多結晶シリコンからなる第１半導体層を備えた第１薄膜トランジスタＴＲ１を含む画素回路１０と、
アクティブエリアの周辺に配置され、有機ＥＬ素子の駆動制御に必要な信号を出力するとともに、多結晶シリコンからなり第１半導体層とは結晶性が異なる第２半導体層を備えた第２薄膜トランジスタＴＲ２を含む駆動回路ＤＲＣと、
を同一の支持基板１０１の上に備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】湿式成膜法により作製される有機ＥＬ装置において、膜厚の均一性を高めた発光機能層を有し、リーク電流を低減した有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられる絶縁層（層間絶縁層１０２）と、該絶縁層上にパターン形成され稜部１５１が断面略角形形状である絶縁領域１５と、該絶縁層上にパターン形成され絶縁領域１５を区画する隔壁１２と、絶縁領域１５上に設けられる下部電極１１と、下部電極１１上に設けられる発光機能層１３と、発光機能層１３上に設けられる上部電極１４と、から構成され、絶縁領域１５が隔壁１２と離間しており、下部電極１１が絶縁領域１５の稜部１５１に対して内側に設けられることを特徴とする、有機ＥＬ装置１。 （もっと読む）

【課題】陰極配線抵抗を低減せしめた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２上に、ストライプ状に形成された第一電極６と、有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０上に第一電極６と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極１２と、第一電極６および有機ＥＬ層１０上の面のうち、第一電極６と第二電極１２とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜８と、第二電極間を分離するために画素分離膜８上に第二電極１２と平行に配設され、該第二電極１２の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも構造の一部が導電性の第二電極分離隔壁２２とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、各第二電極１２と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁２２との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属２６が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触されている有機ＥＬディスプレイ。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶化アニール工程の短縮化を図りながらも、オン電流が均一な薄膜トランジスタを得ることが可能で、これにより薄膜トランジスタに接続された発光素子の輝度ムラが防止された表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の各画素ａに形成される薄膜トランジスタＴｒ２のソースＳ／ドレインＤのレイアウトが、第１画素列Ａ１と第２画素列Ａ２とで画素ａの配列方向に反転するように、基板１上にゲート電極１４ｂを形成する。これを覆う状態で基板１上にゲート絶縁膜３１および非晶質の半導体薄膜３２をこの順に成膜する。画素列方向においてドレインＤ側からソースＳ側に向かう走査方向ｖ（−ｖ）となるようにレーザ光Ｌｈを走査させながら、ゲート電極１４ｂ上方における半導体薄膜３２に対してレーザ光Ｌｈを照射して半導体薄膜３２を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】各画素に形成された駆動トランジスタの特性ばらつきを補正可能なアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】画素２は、映像信号に応じて駆動電流を出力する駆動トランジスタＴｒｄと、駆動電流に応じた輝度で発光する発光素子ＥＬとを含む。駆動トランジスタＴｒｄは、電源と発光素子ＥＬとの間に接続する一対の電流端と、一対の電流端の間にあるチャネル領域と、信号線から信号が書き込まれる第１ゲート電極と、チャネル領域を間にして第１ゲート電極と対向する第２ゲート電極とを有する。補正回路６は、制御線ＣＬを介して駆動トランジスタＴｒｄの特性のバラツキを補正するための補正電位を第２ゲート電極に印加する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止する。
【解決手段】ＥＬパネル１の基板１０上において、駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５が設けられる領域と、有機ＥＬ素子８が設けられる領域とをそれぞれ独立させるように、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１２を、ゲート電極６ａ、５ａと画素電極８ａとの間に相当する部分で基板１０の面に沿った方向に分断することによって、有機ＥＬ素子８の発光した光が、ゲート絶縁膜１１や層間絶縁膜１２に導光されて駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５に到達することを防止し、その有機ＥＬ素子８から放射される光により駆動トランジスタ６やスイッチトランジスタ５の劣化や光リークを防止する。 （もっと読む）

【課題】内部散乱光の影響による閾値電圧変動を抑制するパネル構造を提案する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応した画素構造を有するＥＬ表示パネルに、内部散乱光を遮光する構造を採用する。すなわち、画素回路を構成する薄膜トランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、発光素子の下部電極材料で構成されるパターン間の隙間を塞ぐようにレイアウトする。これにより、薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖthの低下を加速させる原因であった内部散乱光のチャネル領域への到達を防ぐ又は到達する光量を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機発光層を液滴吐出法により形成した場合であっても、有機発光層の発光強度を均一にすることができる有機ＥＬ素子、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第一電極１２は、陰極層１２２と、陰極層１２２と機能層１０との間に設けられた電子注入層１２１と、を備え、電子注入層１２１は、陰極層１２２からの電子の注入容易性が、有機発光層８の発光強度が最も高い領域Ａよりも有機発光層８の発光強度が最も低い領域Ｂにおいて高くなるように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置は、凹状に加工された封止用基板と基板との空隙に封止されるよう配置される。封止用基板には凹状に加工されたガラス板を用いるが、極めて平面精度の高いガラス板に、その平坦性を乱す事無く凹状の加工を行うためには高度な加工技術が必要となる。加えて、フレーム部のみを残して凹状にガラス板を加工することで、機械的強度は低下し、容易に破損を受け、歩留まりの低下を招くという問題がある。
【解決手段】スペーサ１６５で保たれた基板１６１と封止用基板１６４との空隙を囲うべく、封止部１６６が配置される。封止部１６６は、例えば基板１６１の組成を有するガラスで構成され、レーザカット工程で発生するデブリにより製造される。そのため、基板１６１と同等の機密性が得られる。高い気密性を有する封止部１６６を用いることで、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置１６０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流特性を改善し、高品位の表示装置を可能とする。
【解決手段】チャネル領域が多結晶及び非晶質シリコンの積層構造でかつ逆スタガ構造の第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１の前記多結晶シリコン層４と前記非晶質シリコン層５の平面形状を略相似形状とし、かつ前記非晶質シリコン層５を前記多結晶シリコン層４より小面積とした。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、簡易な構成で、トランジスタにおける効果的な遮光を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、第２の接合領域（１ｃ）、及び容量下部電極（１ｆ）を有する半導体層（１ａ）と、容量絶縁膜（７５）と、チャネル領域及び容量下部電極を除くと共に第１及び第２の接合領域を含む部分を覆うように設けられた部分絶縁膜（２０２）と、容量絶縁膜を介して、容量下部電極と蓄積容量を構築する容量上部電極（７２）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】共通電極上に補助配線を、発光層にダメージを与えることなく、高精度に形成する。
【解決手段】画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極とを有する複数の画素と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備える表示装置であって、前記補助配線は、樹脂の上に形成されたストライプ状の金属配線である。前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成され、前記透明電極と前記金属配線とを組み合わせたときのシート抵抗は、１０Ω／□以下である。前記金属配線は、Ｃｕ、または、Ａｌ、あるいは、ＳＵＳである。前記金属配線は、黒色化処理が施されている。前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。前記金属配線は、走査線の延長方向で、前記各画素の発光領域の間の非発光領域に形成される。前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。 （もっと読む）

【課題】データ線から発生する電気力線が画素電極に進入することを防止し、開口率を大きくすることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１００Ａは、データ線１２を覆う無機絶縁膜１５と、データ線１２の上方において無機絶縁膜１５上に設けられた突起状の有機絶縁膜２１と、有機絶縁膜２１を覆い、かつ、上方から見たときにデータ線１２を覆うシールド共通電極２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】一定期間ＥＬ素子が発光し続ける状況においても、ＥＬ素子を駆動するトランジスタのしきい値電圧の制御を行うことにより、輝度の低下や静止画像のちらつきを抑制しＥＬ素子を駆動することを課題とする。
【解決手段】発光素子を駆動する駆動トランジスタとして、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを配置し、データ線より供給される画像信号の極性を任意の期間毎に反転させて各画素の駆動トランジスタのゲートに供給することによりトランジスタのしきい値電圧を制御し、駆動トランジスタのしきい値電圧シフトによる発光素子の輝度の変化を抑える。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、表示素子に電流を供給するトランジスタの特性が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、表示装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】ソース信号線より画素に入力される映像信号は、表示素子に電流を供給するためのトランジスタをダイオード接続とし、当該ダイオード接続されたトランジスタのゲートに所望の電位が印加される。ここで、ダイオード接続したトランジスタにおいて、そのソース・ドレイン間には、トランジスタのしきい値電圧に応じた電位差を取得する。その結果、駆動用トランジスタのゲート電極には、映像信号にしきい値電圧に応じた電位差のオフセットをかけた電位を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】引き回し領域が占有する領域を狭めた場合でも、下層側の第１配線と上層側の第２配線との位置関係が配線毎にばらつくことのない半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置において、第１配線３ｓを覆う層間絶縁膜７の表面には、第１配線３ｓが反映されてなる凸部７ａが形成されている。第２導電膜６を形成した後、レジストマスク１５０を形成し、このレジストマスク１５０をアッシングすると、凸部７ａに挟まれた溝７ｂ内にレジストマスク１５０を選択的に残すことができる。従って。レジストマスク１５０を用いて第２導電膜６をエッチングすると、第１配線３ｓに対して自己整合的に第２配線６ｓを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機電界発光表示パネルに供給される画素電源の電圧降下を最小化することができる有機電界発光表示装置に関する。
【解決手段】本発明に係る有機電界発光表示装置は、映像が表示される第１面と、該第１面に対向する第２面とを備え、該第２面の少なくとも２つの縁領域に分散配置され、それぞれ少なくとも２つの方向から第１画素電源及び第２画素電源を受ける複数の第１電源パッド及び第２電源パッドを備える有機電界発光表示パネルと、該有機電界発光表示パネルの第２面に配置され、前記第１電源パッド及び第２電源パッドに電気的に接続される複数のパッドを備え、前記有機電界発光表示パネルに前記第１画素電源及び第２画素電源を供給する画素電源供給用ＦＰＣＢとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示装置において容易に前段ゲート制御方式によるリセット駆動を実現する。
【解決手段】画素１６がマトリックス状に配置された表示画面を有するＥＬ表示装置であって、ゲートドライバ回路１２と、映像信号を出力するソースドライバ回路１４とを具備し、画素１６には、ＥＬ素子１５と、ＥＬ素子１５に電流を供給する駆動用トランジスタ１１ａと、駆動用トランジスタ１１ａのゲート端子に第１の電圧を印加する第１のスイッチ用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ａに映像信号を印加する第２のスイッチ用トランジスタ１１ｃとが形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置において、トランジスタへの光照射に起因する表示ムラを改善する。
【解決手段】基板１０１に駆動信号一定化回路などの画素回路Ｐが形成され、その上に有機ＥＬ素子１２７が形成され、有機ＥＬ素子１２７からの発光光を基板１０１と反対側から取り出すトップエミッション方式の表示装置にする。有機ＥＬ素子１２７は、遮光性材料からなる下部電極５０４、少なくとも発光層を備えた有機層５０６、および上部電極５０８が、下層側からこの順に積層されている。下部電極５０４の下部に、駆動信号一定化機能に関わる薄膜トランジスタＱを配置し、下部電極５０４が遮光層して機能するようにする。下部電極５０４の下部に選択的に配置するようにした薄膜トランジスタＱの内、サンプリングトランジスタ１２５と下部電極５０４とのオーバーラップ量を、サンプリングトランジスタ１２５と下部電極５０４とのオーバーラップ量よりも大きくする。 （もっと読む）