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Fターム[5C094AA04]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 見易さ向上 (5,812) | 画質向上 (3,500) | 表示むら解消 (1,126) | 電圧、電流、電界むら解消 (257)

Fターム[5C094AA04]に分類される特許

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【課題】額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子(120)と外周側に電源の配線層(107)とを有する基板(100)と、表示素子の相互間を分離するバンク層(113)と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層(123)と、基板の外周部分と外周を一周する封止部(202)において接着剤などの接合手段(301)を介して接合して電極層を更に覆う封止基板(200)と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部(b+c)内にて電源の配線(107)と接続する。それにより、電極(123)と配線(107)との接続領域(c)を基板と封止基板との接合領域(b+c)として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化・厚型化を招くことなく表示品質の低下を防止できる表示装置を提供する。
【解決手段】基板11の一方の面11a側に複数の画素部毎に発光部40が設けられる。複数の画素部の位置に対応して基板にマトリックス状に配置され発光部の発光に関する用力が伝達される複数種の配線が設けられる。複数種の配線のうち、少なくとも一種の配線33の少なくとも一部は、基板の他方の面11b側に臨んで設けられる。 (もっと読む)


【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板100の上に設けられたトランジスタ121と、発光素子109とを具備する画素部120を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層122を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 (もっと読む)


【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が30nm以下であり、沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 (もっと読む)


【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 (もっと読む)


【課題】EL表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ11aとトランジスタ11bを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ11bをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ11bをオンさせて、トランジスタ11dをオフさせてコンデンサ19に安定に信号を書込み、EL素子15を発光させる時は、トランジスタ11bをオフし、トランジスタ11dをオンさせて安定にEL素子15に電流が流れるように制御する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置または有機EL表示装置の画素TFTとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の酸化物半導体層上に、電子親和力が第1の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第1の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第2の酸化物半導体層を形成し、さらに第2の酸化物半導体層を包むように第2の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第3の酸化物半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とFPCを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板101上の接続配線183は端子部182において異方性導電膜195によって、FPC191に電気的に接続される。接続配線183はアクティブマトリクス基板101上のTFTのソース/ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜と透明導電膜の積層膜でなる。異方性導電膜195との接続部分において、接続配線183の金属膜の側面は保護膜で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜、下地の絶縁膜109、保護膜に接して囲まれ外気に触れることがない。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100を製造するにあたって、層間絶縁膜45上にコンタクトホール45aの底部45eおよび内壁45fに重なるコンタクト用導電膜90をITO膜により形成した後、コンタクトホール45aの内部を埋める埋め込み膜48をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜48に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜90を露出させる。また、コンタクトホール45aの内部には埋め込み膜48を残す。その際、埋め込み膜48とコンタクト用導電膜90とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜48を選択的に除去してコンタクト用導電膜90を露出させる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する表示装置において、寄生容量を軽減する。表示装置において、解像度の向上や、高精細化といった高性能化及び高品質化を達成する。
【解決手段】ボトムゲート型のトランジスタにおいて、酸化物半導体膜と重畳して設けられるゲート電極が第1のゲート電極と第2のゲート電極とに間隔を有して分割して設けられる。第1のゲート電極はソース電極又はドレイン電極の一方と重畳して設けられ、第2のゲート電極はソース電極又はドレイン電極の他方と重畳して設けられる。 (もっと読む)


【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも80cm/Vs以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 (もっと読む)


【課題】 有機発光ダイオードの色毎に異なる発光効率や電圧-電流特性を補正することができ、有機発光ダイオードの陽極の電位変化に伴う駆動トランジスタのゲート電極−ソース電極間の電圧の変化のばらつきを低減することができるアクティブマトリクス型有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型有機発光表示装置は、複数色の何れか1色を発光可能な複数の画素PXR、PXG、PXBを備える。駆動トランジスタDRは、発光色毎にチャネル幅Wとチャネル長Lとの比が異なる。駆動トランジスタDRは、発光色毎にそれぞれ、1つのトランジスタ、又は直列に接続された2つ以上のトランジスタで形成される。駆動トランジスタDR内の有機発光ダイオードの陽極側のトランジスタのチャネル幅及びチャネル長は、全ての発光色の画素で等しい。 (もっと読む)


【課題】蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において各画素では、透光の誘電体層40に対して基板本体10wが位置する側に第1電極層7が設けられ、誘電体層40に対して画素電極9aが位置する側に透光性の第2電極層8aが設けられている。このため、透光性の第1電極層7、透光性の誘電体層40、および透光性の第2電極層8aによって蓄積容量55が構成されている。また、蓄積容量55と画素電極9aとの間に透光性の層間絶縁膜44が設けられている。このため、画素電極9aを研磨により平坦化した平坦面上に形成することができるとともに、共通電位が印加された第1電極層7と画素電極9aの端部との間に余計な電界が発生しない。 (もっと読む)


【課題】表示装置等の接続端子部分における腐食による断線を防止する。
【解決手段】第1の配線(2)と第2の配線(6)とを透明導電薄膜(10)により複数箇所で接続して接続端子を構成する。接続端子部分が第1の配線(2)と第2の配線(6)とによる並列接続となり、且つ、第1の配線(2)と第2の配線(6)とが複数箇所で接続されるため、断線のリスクが大幅に低減される。 (もっと読む)


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