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Fターム[5C094AA23]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 電気的特性向上 (2,053) | 電圧特性向上 (148)

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低電圧化 (69)

Fターム[5C094AA23]に分類される特許

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【課題】画素回路を微細化する一方で、発光素子に供給する電流を精度良く制御する。
【解決手段】画素回路110は、シリコン基板150に形成され、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター121、トランジスター121により供給された電流に応じて発行するOLED130、トランジスター121のゲートに電気的に接続されたトランジスター122、トランジスター121のゲート・ドレイン間に電気的に接続されたトランジスター123、および、トランジスター121のゲートに電気的に接続されトランジスター121のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量132を備え、トランジスター122のソースまたはドレインの一方と、トランジスター123のソースまたはドレインの一方とは、共通の拡散層により形成される。 (もっと読む)


【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板100の上に設けられたトランジスタ121と、発光素子109とを具備する画素部120を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層122を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 (もっと読む)


【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が30nm以下であり、沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 (もっと読む)


【課題】表示装置に含まれるTFTのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】均一な輝度の映像を表示できるようにする。
【解決手段】有機発光ダイオードOLEDと、第1電源ELVDDから有機発光ダイオードOLEDを経由して第2電源ELVSSに流れる電流量を制御する第2トランジスタM2と、第2トランジスタM2のゲート電極とバイアス電源との間に接続され、リセット線Rnにリセット信号が供給されたときターンオンされる第3トランジスタM3とを備え、第3トランジスタM3は、第2トランジスタM2のゲート電極にバイアス電源Vbiasの電圧が560μs以上の時間印加されるように、ターンオン時点が設定される。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極(9a)と、画素電極に対応して設けられたトランジスター(30)と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線(6a)と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第1電極(72)及び第2電極(71)が容量絶縁膜(75)を介して対向配置されることで形成される蓄積容量(70)と、第1電極と同一層に設けられた第1付加容量電極(401)と、第1電極及び第2電極とは異なる層に設けられた第2付加容量電極(402)とが、付加容量絶縁膜(42)を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量(400)とを備える。 (もっと読む)


【課題】プロセスを複雑化することなく、高速動作を確保し、なおかつ高い耐圧性も確保することができる駆動回路を用いた半導体表示装置の提供を、目的の一とする。或いは、プロセスを複雑化することなく、消費電力を抑え、なおかつ高い耐圧性も確保することができる駆動回路を用いた半導体表示装置の提供を、目的の一とする。
【解決手段】シリコンまたはゲルマニウムよりもバンドギャップが大きく、真性キャリア密度が低い半導体で、耐圧性の高さが要求される回路を作製する。このような半導体としては、例えば、シリコンの約3倍程度の大きなバンドギャップを有する、酸化物半導体が挙げられる。さらに、シリコンまたはゲルマニウムなどを有する結晶性半導体で、耐圧性の高さがさほど要求されない回路を作製する。そして、上記2つの回路を接続することで、半導体表示装置を作製する。 (もっと読む)


【課題】例えば電気泳動表示装置等の電気光学装置において、長期信頼性を確保し高品位な表示を行う。
【解決手段】ダブルゲート型トランジスター(24、25a1、25b1、25a2或いは25b2)を含むデータ保持回路(28)と、該データ保持回路(28)を駆動するために、データ書込み時に第1の電源電圧(例えば5V)を供給すると共に、電気光学素子(23)の駆動時に電気光学素子(23)の駆動電圧に応じた第2の電源電圧(例えば15V)を供給する電位制御部(210)とを備え、電位制御部(210)は、第1の電源電圧(例えば5V)と第2の電源電圧(例えば15V)との間の中間電圧(例えば7.5V)をダブルゲート型トランジスター(24、25a1、25b1、25a2或いは25b2)のソース側及びドレイン側の一方のゲートに印加する。 (もっと読む)


【課題】キャリアの移動度が高く、特性ばらつきが少ない半導体装置の製造方法、これを適用した半導体装置を備えた電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の半導体装置の製造方法は、基板上に第1多結晶質シリコン膜としての第1半導体層を形成する工程と、第1半導体層上に非結晶質シリコン膜を形成して、該非結晶質シリコン膜に対して、不活性ガス雰囲気中で第1半導体層上における該非結晶質シリコン膜の結晶核発生速度よりも結晶成長速度の方が速くなる温度で熱処理を施して該非結晶質シリコン膜を結晶化して第2多結晶質シリコン膜としての第2半導体層を形成する工程と、第1半導体層および第2半導体層をパターニングして半導体層を形成するエッチング工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】正規走査回路、反転走査回路を形成した表示装置において、走査線の一方の端部と、他方の端部での立下がり時定数のバラツキを軽減する。
【解決手段】表示領域と周辺領域と、複数の走査線と、周辺領域の一方の側に設けられ、複数の走査線と接続される正規走査回路と、周辺領域の他方の側に設けられ、複数の走査線と接続される反転走査回路とを備える表示装置において、正規走査回路は、複数の走査線に対して、第1の方向に順次走査電圧を供給し、反転走査回路は、複数の走査線に対して、第2の方向に順次走査電圧を供給し、一方の側には、複数の第1のトランジスタが形成され、他方の側には、複数の第2のトランジスタが形成され、複数の第1のトランジスタは、ソース電極とドレイン電極の内の一方の電極が、複数の走査線の一つと接続され、複数の第2のトランジスタは、ソース電極とドレイン電極の内の一方の電極が、複数の走査線の一つと接続される。 (もっと読む)


【課題】バッテリからの電源電圧が高くても画素駆動に用いる第1画素電源の電圧を一定に出力できるようにして容量の高いバッテリの使用を可能にしたDC-DCコンバータを提供する。
【解決手段】本発明のDC-DCコンバータ500は、バッテリ700から出力される電源電圧を検知する電圧検知部400と、電源電圧が所定値以下であれば駆動を停止して電源電圧をバイパスし、電源電圧が所定値を超えている場合には駆動して電源電圧を下げて出力するレギュレータ510と、電圧検知部400で検知した電源電圧に基づいてレギュレータ510の駆動を制御する制御部600と、レギュレータ510からの出力電圧を受けて第1画素電源ELVDDと第2画素電源ELVSSを出力する電源生成部520、530とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、高品質なカラー画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)に、赤色、緑色及び青色の各色に夫々対応する3個のサブ画素(70R,70G,70B)と、3個のサンプリングスイッチ(71R,71G,71B)と、3個のサブ画素及び3個のサンプリングスイッチを夫々互いに電気的に接続する3本のデータ線(6R,6G,6B)と、3個のサンプリングスイッチに夫々対応する3本の画像信号線(500)と、3個のサンプリングスイッチ及び3本の画像信号線を夫々互いに電気的に接続する3本の引き出し配線(72R,72G,72B)とを備え、3個のサンプリングスイッチのうち緑色に対応するサンプリングスイッチは、他の2個のサンプリングスイッチと比べて、3本の画像信号線の近くに配置されている。 (もっと読む)


【課題】複数の領域を使用して画像を表示する場合における画像の画質劣化を抑制する。
【解決手段】複数の発光画素PXが配置された表示領域DR.1と、複数の発光画素PXが配置された表示領域DR.2との間に境界表示領域BR.1が配置される。境界表示領域BR.1内において、同一列に配置された複数の発光画素PXには、電源駆動部P10.1によって電源電圧が印加される発光画素PXと、電源駆動部P10.2によって電源電圧が印加される発光画素PXとの双方が含まれる。 (もっと読む)


【課題】高耐圧化可能な画素回路を提供すること。
【解決手段】一態様として、第1電極が第1電位に、第2電極が画素電極に接続された第1のp型駆動トランジスタと、第1電極が前記画素電極に、第2電極が第2電位に接続された第1のn型駆動トランジスタと、第1電極が第1のデータ線に、第2電極が前記第1のp型駆動トランジスタのゲート電極に、ゲート電極が第1の走査線に接続された第1の制御トランジスタと、第1電極が第2のデータ線に、第2電極が前記第1のn型駆動トランジスタのゲート電極に、ゲート電極が第2の走査線に接続された第2の制御トランジスタと、を備え、前記第1のp型駆動トランジスタの第2電極と前記画素電極との間に、直列に、第1電極及び第2電極が接続された第2のp型駆動トランジスタをさらに備え、前記第2のp型駆動トランジスタのゲート電極が、前記第1電位及び前記第2電位の間の所定電位である第3電位に接続された画素回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】画素領域の角部においては、帯状電極部つまり画素電極からの距離が遠くなるので、画素電極と共通電極間において印加される横電界の強度が低くなる。この結果、画素領域の角部において、液晶分子の回転が不足し、液晶分子が本来の配向方向に到達しないことが生じるため、所定の輝度が得られず、表示品質が低下してしまう。
【解決手段】画素電極11の帯状電極部のうち、画素Gの領域端の一辺と対向する帯状電極部の外形線11ahおよび外形線11bhの傾きを、外形線11aおよび外形線11bの傾き角度であるα度よりも小さいβ度およびγ度とする。角部Rkにおける画素電極11と画素Gの領域端の一辺までの距離が近くなるため、角部Rkにおいて生ずる横電界の強度低下を抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】少ないトランジスタ素子数で閾電圧補正機能を実現した画素回路を提供する。
【解決手段】
容量素子Csは入力端と出力端とを有する。サンプリングトランジスタWSTrは、一対の電流端が信号線DTLと容量素子Csの入力端との間に接続し、制御端が第1走査線WSLに接続している。ドライブトランジスタDrTrは、制御端が容量素子Csの出力端に接続し、一方の電流端が固定電源線CPLに接続している。初期化トランジスタINITrは、制御端が第2走査線ISLに接続し、一対の電流端が容量素子Csの出力端とドライブトランジスタDrTrの他方の電流端に接続している。発光素子ELは、可変電源線VPLとドライブトランジスタDrTrの他方の電流端とに接続している。 (もっと読む)


【課題】大掛かりな設備を用いることなく、簡易な工程で補助配線と第2電極との良好な電気的接続を確保することが可能な有機ELディスプレイおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機ELディスプレイ1は次のように製造する。平坦化層12上に、補助配線13と逆バイアス用配線17Bとを電気的に絶縁されるように形成する。表示領域に画素間絶縁膜15、有機層16を順次形成したのち、平坦化層12上の全面にわたって逆バイアス用電極17を配設する。補助配線14および逆バイアス用配線17Bを通じて有機層16に逆バイアス電圧を印加し、有機層16のうち補助配線14上の領域のみを選択的に除去して、コンタクトホール16Aを形成する。コンタクトホール16Aを埋め込むように第2電極18を形成することで、レーザ光照射装置を用いずに、また精密な位置合わせを行うことなく、補助配線14と第2電極18との電気的接続が確保される。 (もっと読む)


【課題】画素回路内の記憶回路の電源線における電位の変動の影響を低減する。
【解決手段】能動素子層Pには、階調データDを記憶する記憶回路53を含む画素回路12が形成される。画素電極142は、能動素子層Pに重なるように形成されて階調データDに応じた電位が供給される。液晶146は、画素電極142の電位に応じて駆動される。電源線42および電源線44は記憶回路53に電源を供給する。電源線42および電源線44は、能動素子層Pと画素電極142との間に介在する部分を含む。電源線42と電源線44とは容量C1を形成する。 (もっと読む)


【課題】有機EL層を全面蒸着しながら、簡便に補助電極と第2電極との接続を行いうる有機EL素子の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のTFTが形成された基板上に複数の画素が形成されるトップエミッション型有機EL素子の製造方法であって、前記有機EL素子が、第1電極と、第1電極に対向して設けられた透明な第2電極と、第1電極と第2電極の間に挟まれる有機EL層とを有し、前記第1電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第2電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなり、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機EL層を形成する工程と、基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第2電極を形成する工程を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 (もっと読む)


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