【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】長期に亘って均一な輝度特性を維持することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】映像を表示する表示領域を規定する複数の表示画素と、前記複数の表示画素に電流を供給するＴＦＴ層と、を含む表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動部と、を備え、前記表示画素は、前記電流に応じて発光する発光層を含む機能層を含み、前記映像を表示するために前記表示パネルを駆動するときに生ずる熱によって、前記表示領域には、第１領域と該第１領域よりも高温の第２領域とを有する温度分布が生じ、前記第２領域に存する前記表示画素の前記機能層は、前記第１領域に存する前記表示画素の前記機能層よりも厚いことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】光学特性に優れた透明複合基板および前記透明複合基板を備えた信頼性の高い表示素子基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明複合基板１は、屈折率の最大値と最小値との差が０．０１以下であるガラスクロス２とガラスクロス２に含浸した樹脂材料３とを有する複合層４と、複合層４上に設けられたガスバリア層（表面層）５と、を有する。ガスバリア層５は、ＳｉＯｘＮｙで表され、ｘおよびｙが０．３＜ｘ／（ｘ＋ｙ）≦１の関係を満足するケイ素化合物で構成されている。また、ガラスクロス２は、複数のガラス繊維を束ねた縦方向ガラスヤーン２ａと複数のガラス繊維を束ねた横方向ガラスヤーン２ｂとを織り込んでなるガラス織布であり、単位幅当たりの横方向ガラスヤーン２ｂ中のガラス成分の断面積を１としたとき、単位幅当たりの縦方向ガラスヤーン２ａ中のガラス成分の断面積の比は１．０４以上１．４０以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、低駆動電圧、長寿命であり、かつ経時安定性に優れ、さらにウェットプロセスによる生産適性を有する半導体ナノ粒子分散液、有機エレクトロルミネッセンス素子、該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】半導体ナノ粒子が含フッ素アルコールに分散されたことを特徴とする半導体ナノ粒子分散液。 （もっと読む）

【課題】焼き付きの発生による影響を受けない、また、高機能化と高付加価値化、消費電力の抑制、さらに、信号の書き込みを正確に行うことができ、また、デューティ比を向上させた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板の一表面に設けられた第１の表示領域と第２の表示領域を有し、第１の表示領域は第１の画素１３を複数有し、第２の表示領域は第２の画素１４を複数有し、第１の画素１３及び第２の画素１４の各々は発光素子を有し、第１の画素及び第２の画素の各々の列方向及び行方向の一方のピッチａ、ｃは同じであり、第１の画素及び第２の画素の各々の列方向及び行方向の他方のピッチｂ、ｄは異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端部と画像表示領域の端部とに挟まれた領域に電源線およびシール材を設けた場合でも、電源線の配線抵抗を大きく増大させることなく、シール材を確実に光硬化させることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた信号線１１および電源線１６のうち、配線幅寸法が広い電源線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、電源線１６のシール材８０との交差部分１７ｃ、１８ｃには、透光用の開口部１７ａ、１８ａが設けられている。開口部１７ａ、１８ａは、電源線１６の延在方向に延在するスリット状であり、開口部１７ａ、１８ａの長さ寸法は、シール材８０の幅寸法より小である。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされ
る容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バ
リア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリ
ア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開
口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁
膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素
子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】光学特性に優れた透明複合基板および前記透明複合基板を備えた信頼性の高い表示素子基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明複合基板１は、屈折率の最大値と最小値との差が０．０１以下であるガラスクロス２とガラスクロス２に含浸した樹脂材料３とを有する複合層４と、複合層４上に設けられたガスバリア層５と、を有する。ガラスクロス２は、複数のガラス繊維を束ねた縦方向ガラスヤーン２ａと複数のガラス繊維を束ねた横方向ガラスヤーン２ｂとを織り込んでなるガラス織布であり、単位幅当たりの横方向ガラスヤーン２ｂ中のガラス成分の断面積を１としたとき、単位幅当たりの縦方向ガラスヤーン２ａ中のガラス成分の断面積の比は１．０４以上１．４０以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】青色発光層の効率、及び寿命を改善する。
【解決手段】基板１上を、赤色、緑色、及び青色の画素に区画する隔壁３と、各画素の基板１上に設けた画素電極２と、各画素の画素電極上に設けた第一正孔輸送層４と、赤色画素の第一正孔輸送層４上に設けた赤色発光層５と、緑色画素の第一正孔輸送層４上に設けた緑色発光層６と、青色画素の第一正孔輸送層４上に設けた第一青色発光層７と、赤色発光層５上、緑色発光層６上、及び第一青色発光層７上に設けた第一電子輸送層８と、第一電子輸送層８上に設けた電荷発生層９と、青色画素の電荷発生層９上に設けた第二正孔輸送層１０と、第二正孔輸送層１０上に設けた第二青色発光層１１と、赤色画素、及び緑色画素の電荷発生層９上、並びに青色画素の第二青色発光層１１上に設けた第二電子輸送層１２と、第二電子輸送層１２上に設けた対向電極１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】改善された有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に定義され、映像を表示する表示領域と、表示領域を囲むように定義され、表示領域に含まれたピクセルに信号を提供する非表示領域と、基板の非表示領域に形成された第１薄膜トランジスタと、基板の表示領域に形成された第２薄膜トランジスタと、第１および第２薄膜トランジスタの上部に形成された平坦化膜１４０と、非表示領域内の平坦化膜上に形成され、少なくとも１つの第１開口を含む第１電極１７５と、平坦化膜上に形成され、第２薄膜トランジスタの電極に連結される第２電極１４５と、第２電極と第１電極の上に形成され、第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターン１５０と、第２電極上に形成された有機発光層１５５と、有機発光層上に形成された第３電極１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）