【課題】効果的な放熱、低コスト化、薄型化、軽量化を実現する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、裏面側の一部に液晶表示パネル１０６を支持するシャーシ１０２を備え、シャーシ１０２の一部に支柱１０４が設けられている。液晶表示パネル１０６の裏面側から光を照射するＬＥＤチップ１２５ａ・１２５ｂは、支柱１０４の内部に設けられた空間１４４内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層ＣＨと、第１方向に、酸化物半導体層ＣＨを介して延伸する第１の電極層（ソース又はドレイン）ＬＥおよび第２の電極層（ドレイン又はソース）ＵＥと、第１方向と交差する第２方向に延伸し、酸化物半導体層ＣＨと基板ＳＵに垂直な方向においてゲート絶縁層ＧＩを介して重なるゲート電極層ＧＥとを有し、酸化物半導体層ＣＨの膜厚がそのチャネル長となる。 （もっと読む）

【課題】予め碁盤目状にＬＥＤの取付位置が設定されているＬＥＤ取付板に、利用者が取付位置を選択して複数個のＬＥＤを配置し、その複数個のＬＥＤにより数字や文字などのパターンを形成できるようにし、簡易な構造にして、ＬＥＤそれぞれの位置を定め易く安価な表示板を提供する。
【解決手段】前面開口に光拡散板５を配したケースの内にある電源３と、砲弾型の複数のＬＥＤ１２と、碁盤目状のＬＥＤ取付部１１にＬＥＤ１２を抜き差し可能に保持するＬＥＤ取付板４と、電源３からの電力供給によりＬＥＤ取付部１１に保持されたＬＥＤ１２それぞれを点灯可能にする配線手段と、人感センサ１５の感応時にＬＥＤ１２と電源２との間の通電回路を閉成してＬＥＤ１２を点灯させる点灯手段とで、表示板１を構成した。 （もっと読む）

【課題】第１、第２グラフィック画像を個別又は一緒にユーザに選択的に表示する利便性の高い表示装置の提供。
【解決手段】偏光フィルタアセンブリ２と、アセンブリを背面照射する偏光照射源３と、第１、第２グラフィック画像を夫々生成する第１、第２偏光５、６を選択的に提供する光源を起動する手段４とを備え、偏光フィルタアセンブリ２は互いに結合した第１、第２表示要素１３、１４を備え、第１、第２表示要素は夫々第１、第２偏光パターンを有し、第１、第２パターンは夫々第１、第２偏光５、６で照射されると第１、第２グラフィック画像を生成し、第１、第２表示要素１３、１４の第１、第２基板層１６、１７上に夫々第１、第２偏光パターンを提供する透明な第１、第２偏光層１８、１９を備え、第１表示要素１３は偏光フィルタアセンブリ２を形成するために第１、第２偏光層１８、１９間のインターフェース１５に沿って第２表示要素１４に結合される。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 （もっと読む）

【課題】防湿樹脂の基板外への流出を防止できるようにした電気泳動表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極を有する第１の基板と、前記第１の基板上に配置された電気泳動層と、前記電気泳動層上に配置されて第２の電極を有する第２の基板と、前記第１の基板上に配置されて、前記電気泳動層の外周を当該電気泳動層と隙間を持って囲む堤部と、前記第１の基板上の前記隙間の位置に配置されて前記電気泳動層の側面を覆う防湿樹脂と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極と第２の配線134を形成する。第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。第２の配線134の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第１の配線及び第２の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成および可変機構を有することなく、光軸を下方に向けた画像表示が可能なＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】前面カバー１１と、ＬＥＤ素子１２を実装したプリント基板１４と、プリント基板１４を収容する本体フレーム１５とを備え、前面カバー１１には、ＬＥＤ素子１２が配置されるＬＥＤ素子用孔１６が貫通して形成され、そのＬＥＤ素子用孔１６は、前面カバー１１の背面から正面に向かってすべて下方へ傾いた状態で穿設されている。これにより、ＬＥＤ素子１２は、その光軸がＬＥＤ素子用孔１６を穿設した方向に向けられた状態でＬＥＤ素子用孔１６に保持される。ＬＥＤユニットは、傾けることなしに光軸を下方へ向けることが実現されているので、ＬＥＤユニットをマトリックス状に密着配置して表示画面を構成した場合に、表示画像は乱れることがない。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】気密性の優れた封止体の作製方法を提供する。また、当該封止体で封止した発光装置の作製方法を提供する。
【解決手段】低融点ガラスを用いた封止体、発光装置について、ガラス粉末を溶融させガラス層にする加熱工程で、所望の表面形状にするため第３の基板を押付ける。低融点ガラスの表面と対向基板が気密性よく封止されるように、第３の基板の表面形状がなされており、その表面形状が対向基板と溶着するときまで保持できる。よって、気密性の高い封止体および当該封止体で封止した信頼性のある発光装置を作製することが出来る。当該発光装置の作製方法を、特に有機ＥＬ素子に適用した場合、信頼性の高い有機ＥＬ発光装置が作製できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に駆動回路と画素部を形成した場合において、さらなる狭額縁化を図ることを課題とする。また、大型基板を用いた多面取りに有利な構造を有する発光装置とし、面取り数を増やして生産性を上げることを課題とする。また、フルカラーの発光装置において、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の発光素子のそれぞれの信頼性が異なっている場合において、３種類の発光素子の信頼性をほぼ同一とすることも課題とする。
【解決手段】本発明は、周辺回路部３０９と重なる位置に端子電極３１０を設け、該端子電極と、ＦＰＣ３０６とを異方性導電接着材で接続する。加えて、基板３０１の端面および基板周縁部に接するシール材３０４でカバー材３０３を固着する。また、３種類の発光素子の信頼性をほぼ同一とするため、他の発光素子の信頼性に比べて低い発光素子の発光面積のみを拡大する。 （もっと読む）

【課題】１画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第１の容量配線と、第２の容量配線と、第３の容量配線とを設け、第１の副画
素〜第３の副画素にそれぞれ、第１の容量素子〜第３の容量素子の一方の電極及び第１の
容量配線〜第３の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第１の容量配線及び第
２の容量配線の電位を変化させ、第３の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが第１の支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、第１の支持基板１と対向する第２の支持基板２が設けられており、第２の支持基板２における第１の支持基板１側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在せず、第２の支持基板２における第１の支持基板１と反対側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、電流リークによる不良品を低減する。
【解決手段】表示パネルの製造方法は、基板の主表面上に複数の層を形成したものを用いて表示パネルを製造する方法であって、前記複数の層のうち最終製品に残存する各層を前記主表面に近いものから順に第１構造層、第２構造層、第３構造層、…、第ｎ構造層と呼ぶこととしたときに、１≦ｋ≦ｎ−１を満たす全てのｋに関して、第ｋ構造層を成膜する工程Ｓ（ｋ，１）と、前記第ｋ構造層を成膜する工程より後で第ｋ＋１構造層を成膜する工程より前に、前記第ｋ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｋ，３）とを、それぞれ含み、さらに、第ｎ構造層を成膜する工程Ｓ（ｎ，１）と、前記第ｎ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｎ，３）とを含む。 （もっと読む）