【課題】接着剤の流動を適切に制御することができるディスプレイパネルの製造方法及び当該製造方法から得られたディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】本発明のディスプレイパネルの製造方法は、光電デバイスが配設されるデバイス面を含む第１基板と、接着剤によって前記デバイス面に接着される接着面と接着面を取り囲む側面とを含む第２基板とを、接着剤を用いて接着させた積層基板を含むディスプレイパネルの製造方法であって、デバイス面に光電デバイスを配設し、光電デバイス層を形成する第１工程と、デバイス面よりも狭い接着面に、接着剤を用いて、接着剤層を形成する第２工程と、第１基板と第２基板とを重ね合わせ、光電デバイス層を第２基板で覆う第３工程と、接着剤層を加圧し、第１基板と第２基板との境界から接着剤を流出させ、側面の一部を接着剤で覆う第４工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３原色の副画素に白や補色系の副画素を加えて１つの画素（絵素）を構成するに当たって、白色の色度が補色系側にシフトするのを軽減できる表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】３原色を表示する３つの副画素から成る第１の画素と、３原色の中の２色及び３原色以外の所定色を表示する３つの副画素から成る第２の画素とを有する表示装置において、第１の画素について、第２の画素で欠落した３原色の中の１色を表示する副画素の表示面の大きさを他の２色を表示する副画素の表示面の大きさよりも大きくした画素配列とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、従来の製造工程数を増やすことなく、発光した光が発散し視野角特性が良好となる表示装置を提供する。
【解決手段】複数の有機ＥＬ素子を互いに隔壁１３で分離し、該隔壁１３の開口部の開口径Ｌ、該隔壁１３の膜厚Ｄ、該隔壁１３のテーパー部の幅Ａ、封止保護膜１６の膜厚Ｔが、０．１＜（Ｔ×Ｄ）／（Ｌ×Ａ）＜１の関係を満たすように隔壁１３及び封止保護膜１６を形成することにより、封止保護膜１６表面に形成された凹面形状によって、発光の発散効果を得る。 （もっと読む）

【課題】額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子（１２０）と外周側に電源の配線層（１０７）とを有する基板（１００）と、表示素子の相互間を分離するバンク層（１１３）と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層（１２３）と、基板の外周部分と外周を一周する封止部（２０２）において接着剤などの接合手段（３０１）を介して接合して電極層を更に覆う封止基板（２００）と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部（ｂ＋ｃ）内にて電源の配線（１０７）と接続する。それにより、電極（１２３）と配線（１０７）との接続領域（ｃ）を基板と封止基板との接合領域（ｂ＋ｃ）として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 （もっと読む）

【課題】シースルー機能を備えた表示装置を提供する。また、コントラストの高い表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも表示装置の一方の面から光を射出する複数の発光素子を有する発光領域と、表示装置の他方の面から一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学素子を有する領域により、いわゆるシースルー機能を備えた表示装置を得ることが出来る。他方の面から一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学素子を有する領域において、外光の透過量を制御して、表示装置のコントラストを高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】長期に亘って均一な輝度特性を維持することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】映像を表示する表示領域を規定する複数の表示画素と、前記複数の表示画素に電流を供給するＴＦＴ層と、を含む表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動部と、を備え、前記表示画素は、前記電流に応じて発光する発光層を含む機能層を含み、前記映像を表示するために前記表示パネルを駆動するときに生ずる熱によって、前記表示領域には、第１領域と該第１領域よりも高温の第２領域とを有する温度分布が生じ、前記第２領域に存する前記表示画素の前記機能層は、前記第１領域に存する前記表示画素の前記機能層よりも厚いことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）