【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】長期に亘って均一な輝度特性を維持することができる表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】映像を表示する表示装置の製造方法であって、前記映像を表示する表示領域を規定する複数の表示画素を含む表示パネルを準備する第１工程と、前記表示領域を複数の分割領域に区分けする第２工程と、前記映像を表示するために前記表示パネルを駆動するときに生ずる熱によって発生する前記表示領域中の温度分布に対応して、前記分割領域ごとにエイジング条件を設定する第３工程と、前記エイジング条件の下、前記分割領域ごとに前記表示画素をエイジングする第４工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】重ねられる液晶パネルの位置合わせを容易に行うことができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１下基板１４が第１上基板１２からずれて突出する第１突出部１６を有する第１液晶パネル１０と、第１突出部１６の第１突出表面１８に搭載された半導体チップ２０と、第２下基板３０が第２上基板２８からずれて突出する第２突出部３４を有する第２液晶パネル２６と、第２突出部３４の第２上基板２８の側を向く第２突出表面３６に設けられたアライメントマーク３８と、を有し、アライメントマーク３８は、半導体チップ２０の上面の外形に沿った形状を有し、第１液晶パネル１０及び第２液晶パネル２６が予め決められた相対的位置にあるときに、第２突出部３４を透過して第２突出表面３６に現れる半導体チップ２０の外形に沿って、アライメントマーク３８が位置する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の端部と画像表示領域の端部とに挟まれた領域に電源線およびシール材を設けた場合でも、電源線の配線抵抗を大きく増大させることなく、シール材を確実に光硬化させることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた信号線１１および電源線１６のうち、配線幅寸法が広い電源線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、電源線１６のシール材８０との交差部分１７ｃ、１８ｃには、透光用の開口部１７ａ、１８ａが設けられている。開口部１７ａ、１８ａは、電源線１６の延在方向に延在するスリット状であり、開口部１７ａ、１８ａの長さ寸法は、シール材８０の幅寸法より小である。 （もっと読む）

【課題】４色のサブ画素を用いて映像表示を行う際に、高画質化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、各々が、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色に対応する第１〜第３のサブ画素と、第１〜第３のサブ画素よりも高輝度を示す第４のサブ画素とを有する複数の画素を備える。各画素では、第１〜第４のサブ画素が、対向配置された一対の基板間に発光素子を有する。第１〜第３のサブ画素では、一対の基板のうちの一方の基板側に、対応する色光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられ、第４のサブ画素では、発光素子から発せられた光の透過率が、第４のサブ画素の一部または全部の領域において低減するように構成される。カラーフィルタを有する第１〜第３のサブ画素とカラーフィルタを有さない第４のサブ画素との間の透過率差が軽減され、輝度バランスが良好となり、所望の色度を表現し易くなる。 （もっと読む）

【課題】画像表示領域の端部と素子基板の端部との間で光硬化性のシール材に沿って配線を延在させた場合でも、シール材を確実に光硬化させることができるとともに、画像表示領域の外側でシール材および配線が占有する領域の幅寸法を縮小することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた第１配線１１および第２配線１６のうち、配線幅寸法が広い第２配線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、配線幅寸法が狭い第１配線１１は、シール材８０と重なる領域に設けられているが、シール材８０と重なる領域における第１配線１１の配線密度は、４０％から６０％である。 （もっと読む）

【課題】電気的な信頼性や歩留まりを向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、走査線駆動回路と、データ線駆動回路と、データ線駆動回路に電源を供給する第１ＶＤＤ電源配線１１１と、走査線駆動回路に電源を供給する第２ＶＤＤ電源配線１１２と、第１ＶＤＤ電源配線１１１と第２ＶＤＤ電源配線１１２とを電気的に共通化する共通配線と、を有し、共通配線は、導電体１２１，１２２と配線１０３ａとコンタクトホールＣＮＴ１３１〜ＣＮＴ１３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の表示装置は、周辺領域に駆動用ＩＣを配置させる際、周辺領域を狭く形成して、狭額縁化が可能となる表示装置を提供する。
【解決手段】 信号系のバンプ３１をＩＣ３の第１の絶縁性基板１端側の長辺３ｂに配置する際、長辺３ｂに沿って配置させた電源系バンプ６の位置より、ＦＰＣ１７から離れた位置に連続して配置する。また、信号系バンプ３１から延びる引き出し配線３２は、ＩＣ３が配置される領域であって、ＩＣ３が重なる位置に形成し、ＦＰＣ１７に向かわせるように配置する。 （もっと読む）

【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 （もっと読む）

【課題】配線設計の自由度が高く、且つ簡素な配線が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示領域および周辺領域が設けられた基板１１と、基板１１の表面に設けられた第１配線５Ａと、基板の裏面に設けられると共に、第１配線５Ａと電気的に接続された第２配線とを備え、前記第１配線と第２配線とは、前記基板の周辺領域に設けられた接続部を介して接続され、前記接続部は１または２以上の貫通孔で、前記第１配線は、前記表示領域に接続された複数の配線からなる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にＯＬＥＤのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路が配列する表示部１００と、表示部１００から離間して囲むように設けられ、複数の画素回路を駆動する走査線駆動回路１４０、データ線駆動回路１５０とがシリコン基板に形成される。Ｎウェル１０４は、表示部１００にわたって連続的に形成される。複数の画素回路の各々は、それぞれ複数のトランジスターを有し、当該トランジスターはＮウェル１０４に共通に形成されるとともに、基板電位を共通である。表示部１００におけるＮウェル１０４は導電型の異なるＰ型半導体基板領域１０２で囲まれる。 （もっと読む）

【課題】電子機器はそのボタンの大きさの制約が大きく、また、操作の柔軟性が損なわれている。よって視覚的にわかりやすく、操作性に優れる表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素は、第１乃至第６の薄膜トランジスタと、ＥＬ素子と、を有し、ＥＬ素子は、画素電極を有し、画素電極は、第１の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタのゲートは、第３の薄膜トランジスタのゲートに接続され、第４の薄膜トランジスタのゲートは、第５の薄膜トランジスタのゲートに接続され、第３の薄膜トランジスタの第１の端子は、第１の薄膜トランジスタのゲートと電気的に接続され、第１乃至第６の薄膜トランジスタは、第１の絶縁膜に覆われている。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が難しく、ノーマリーオンとなる薄膜トランジスタを有する駆動回路において、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有するインバータ回路と、第３のトランジスタを有するスイッチと、を含むスタティックのシフトレジスタ回路を有し、第１のトランジスタ乃至第３のトランジスタは、酸化物半導体でなる半導体層を有し、且つディプレッション型のトランジスタであり、第３のトランジスタを駆動するクロック信号の振幅電圧は、インバータ回路を駆動するための電源電圧より大きい駆動回路とする。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】駆動回路等を制御するための駆動制御信号の信号線を基板の所定部位に配設することで、基板面の有効利用と、駆動制御信号への外的影響を防止ないし抑制することが可能な表示装置、及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】基板２０上に、バンク層２２１と該バンク層２２１により区画形成された凹状区画領域２２３とを所定のマトリクスパターンで配列するとともに、表示部たる画素部１１０に、表示に寄与する実画素部１１１と、表示に寄与しないダミー画素部１１２とを構成する。さらに基板２０上には、走査線を導通する走査信号の出力制御を行う走査線駆動回路８０と、該走査線駆動回路８０を駆動させるための駆動制御信号が導通する駆動制御信号導通部３２０とが設けられ、基板２０を平面視した場合に、駆動制御信号導通部３２０が、少なくともダミー画素部１１２のバンク層２２１と重畳配置する部分を含むように配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ部と駆動回路部とで電気光学物質の厚みに局部的なばらつきが生じ難い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置を構成する一方の基板は、画素アレイ部、及び、駆動回路部を含み、画素アレイ部は、マトリクス状に配列された画素を有し、各画素は、画素電極、及び、画素電極を駆動する画素用薄膜トランジスタ４を備えており、各画素は、画素用薄膜トランジスタ４が形成された非開口領域、並びに、開口領域に分けられ、画素用薄膜トランジスタ４は、層間絶縁膜１０及び平坦化膜５で覆われており、開口領域には、非開口領域に形成された平坦化膜５が延在しており、画素アレイ部の開口領域における平坦化膜５の厚さは、駆動回路部における平坦化膜５の厚さよりも厚く、画素アレイ部の開口領域の上方に位置する電気光学物質層３の部分の厚さと、駆動回路部の上方に位置する電気光学物質層３の部分の厚さは同じである。 （もっと読む）

【課題】ノズル間の液滴吐出量のばらつきを高精度に補正しつつ、不定形な発光を抑制することのできる有機ＥＬ装置を提案する。
【解決手段】有機ＥＬ装置は、複数の画素１０−１，１０−２を備える。各画素１０−１，１０−２は、三原色に対応する三つの副画素を有している。各副画素は、三原色に対応する光を発光する有機ＥＬ素子を有している。隣接する二つの画素１０−１，１０−２の同一色に対応する二つの副画素１０Ｇ−１，１０Ｇ−２は、二つの副画素１０Ｇ−１，１０Ｇ−２のそれぞれが有する有機ＥＬ素子の液状の構成材料に対して撥液性の隔壁４１に囲われており、有機ＥＬ素子を駆動するための回路素子は、有機ＥＬ素子からの光の進行方向から見て隔壁４１と平面的に重なる位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】色再現率が高くて輝度が高い２次元及び３次元映像を具現し、特に３次元映像具現の時にクロストーク欠陥が減少した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板、複数の画素、第２絶縁基板、カラーフィルター層、及びパターンリターダを備える。第１絶縁基板は、行列形態に配列され、列方向より行方向に長い複数の画素領域を有し、列方向より行方向に長い。画素は、各画素領域に提供され、印加された映像信号に従って２次元又は３次元映像を表示する。ここで、１つの色情報を示す単位画素は列方向に連続する第１〜第４画素に定義され、第４画素にホワイト色画素が対応する。 （もっと読む）