【課題】寸法安定性に優れたディスプレイ用フィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】バリア層を設ける前の段階において、プラスチックフィルムに張力を加えることなくガラス転移温度より低い温度であって、前記ディスプレイ用フィルム基板上にカラーフィルタまたは駆動素子等のディスプレイ部材を形成する工程の温度以上の所定の温度で加熱処理して、歪みを解消し、その後の工程での寸法安定性を維持可能とした。そして、プラスチックフィルムの両面にバリア層を設けるようにして、さらに寸法安定性を増すとともに、ガス透過の防止をした。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上し、もって、高輝度化且つ低消費電力化が実現可能な有機ＥＬ素子、およびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明電極であるカソード電極２５と、光を透過する金属層である透明金属層２４３および光を反射する金属層である反射性金属層２４１で少なくとも構成され、透明金属層２４３および反射性金属層２４１が積層された第１領域と、光を透過する絶縁層である透明絶縁層２４２が透明金属層２４３および反射性金属層２４１の間に形成された第２領域とを有するアノード電極２４と、カソード電極２５およびアノード電極２４の間に形成され、カソード電極２５を介して出射される光を発光する有機ＥＬ層２３と、を備え、有機ＥＬ層２３は、前記第２領域における透明金属層２４３と接して形成され、反射性金属層２４１は、前記第２領域において、有機ＥＬ層２３からの発光を反射する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで製造することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。この後、有機ＥＬ層を含む機能層２０と共通電極２１とをこの順に形成する。積層膜２４のうちの少なくとも一部において２層以上を一括してパターニングすることにより、各層毎にパターニングする場合に比べ、使用するフォトマスクの枚数が減る。フォトレジストなどの使用材料が少なくなり、工程数も削減される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性劣化を抑制しつつクロス容量を低下することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２および第１配線層２１を形成したのち、全面にゲート絶縁膜１３を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。第１配線層に対向する領域の半導体層１４および第１保護膜１５の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。次いで、全面に第２保護膜２３を形成および加工したのち、ソース・ドレイン電極１７および第２配線層２４を形成する。これにより、チャネル層１４表面の損傷が防止されると共に、配線部２０のクロス容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子において、表面プラズモンによる光の損失を低減し、且つ素子内部での短絡を抑制する。
【解決手段】有機ＥＬ素子１は、一面にナノオーダーサイズの凹凸２’が設けられた金属層２と、金属層２の一面側に設けられた発光層３１を含む複数の有機層３と、を備え、有機層３の各界面における凹凸の高さが、金属層２に設けられた凹凸２’より小さくなるように構成されている。この構成によれば、金属層２の一方面の凹凸２’により、表面プラズモンを伝搬光に変えて、光の損失を低減することができ、また、各有機層３の各界面の凹凸を、金属層２面上の凹凸２’より小さくすることにより、素子内部での短絡を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ（背面基板）とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第１の基板１と、上記第１の基板１上に設けられた実質的に透明なゲート電極２と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極３と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜４と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層５と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極６と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極７と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置１０における可撓性基板９０と複数個の外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする。
【解決手段】 電気光学装置１０は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１には電気光学物質を駆動する回路が形成されている。素子基板１１は、各層間に絶縁層を挟んだ複数層の配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１を有する。また、記素子基板１１は、同じ高さに位置する複数のＩＴＯパッド３−ｉを有する。複数のＩＴＯパッド３−ｉの各々の下部には、絶縁層を挟んで配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１をのうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、絶縁層を貫通して当該ＩＴＯパッドを当該配線層ＷＲ_Ｌ２またはＷＲ_Ｌ１に電気的に接続する複数のコンタクトホールＣＨ_Ｌ２またはＣＨ_Ｌ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】対向配置された第１基板と第２基板；第１基板と第２基板との間に配され、画素ごとに分離形成された画素電極、画素電極に対向配置された共通電極、及び画素電極と共通電極との間に配された有機発光層；を備え、第１基板と画素電極との間に配され、画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部；を備え、薄膜トランジスタ及びキャパシタを構成する電極部及び配線部のうち少なくとも一つの表面には、電極部及び配線部の光学特性が変形された光特性変形層が形成された有機発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極間が低い接続抵抗で確実にかつ安定して接続されたアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板の一方の主面に形成された薄膜トランジスタと、第２基板と、第２基板の一方の主面に形成された表示素子とを有し、第１基板と第２基板とは、第１基板の主面と、第２基板の主面とが対向して貼り合わされており、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の内の一方の第１電極と、表示素子のアノード電極及びカソード電極の一方の下部電極とを接続しかつ第１基板と第２基板との間に間隔を保持するコンタクトスペーサーを第１基板と第２基板の一方が有し、他方がコンタクトスペーサーに対向するコンタクトホールを有し、コンタクトスペーサーの先端部がコンタクトホール内で固定される。 （もっと読む）

【課題】表示領域Ａの温度を精度良く検出する。
【解決手段】画素１１０がマトリクス状に配列する表示領域Ａをくまなく覆うように、 抵抗膜５０を設ける。抵抗膜５０は、ＩＴＯのような透明導電膜である。画素１１０における液晶素子は、画素電極とコモン電極１０８とで液晶を挟持する。このコモン電極１０８と抵抗膜５０とを絶縁膜を介して対向基板に設ける。抵抗膜５０は、対角の地点において、第１導通材９１ａを介し素子基板側の配線７２ａに接続される。温度情報変換回路４は、抵抗膜５０における２点間の抵抗値を、電圧降下分Ｖf等から求めて温度情報Ｔaを出力する。 （もっと読む）

【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】狭い領域内に高い容量値をもった蓄積容量を構成することができる電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、複数層の層間絶縁膜４１〜４５のうち、層間絶縁膜４２に溝状凹部４２ｅが設けられ、かかる溝状凹部４２ｅの底壁４２ｅ1および側壁４２ｅ2に沿って形成された第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａにより蓄積容量５５が構成されている。また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 （もっと読む）

【課題】高精細な画素の配置を実現可能な電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、第１導電層としての第１容量電極１６ａおよび第２導電層としての画素電極１５と、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａと画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ４を有する絶縁膜と、を備え、コンタクトホールＣＮＴ４は、絶縁膜を貫通して形成され底部で第１容量電極１６ａと画素電極１５とが接する第１開口部としての開口部１４ａと、開口部１４ａに連続し且つ底部で第１容量電極１６ａが露出しないように開口部１４ａよりも浅く形成された第２開口部としての開口部１４ｂとを有し、平面視におけるコンタクトホールＣＮＴ４の周縁は、開口部１４ａの周縁の一部と開口部１４ｂの周縁の一部とを含む。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光に影響する寄生容量の発生を抑制する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とが形成される。駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とを覆う第１絶縁層Ｌ1の面上には、コンタクトホールＨa3を介して駆動トランジスタＴdrに導通する素子導通部７１が形成される。素子導通部７１には発光素子Ｅの第１電極２１が接続される。基板１０に垂直な方向からみると、素子導通部７１は駆動トランジスタＴdrを挟んで容量素子Ｃ1とは反対側の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】メモリー特性を改善し、信頼性に優れる反射型エレクトロクロミック表示素子を提供する。
【解決手段】透明支持基板(21)と、前記透明支持基板上に形成された透明導電層からなる表示電極(22)と、前記透明表示電極と対向して配置された支持基板(26)と、前記支持基板上に形成された導電層からなる対向電極(27)と、前記表示電極の対向電極側面に接して設けられたエレクトロクロミック層(25)と、前記表示電極と対向電極との間に収容された電解質層(28)とを備え、前記対向電極はその表面形状が、平均粒径15nm以上25nm以下の微粒子および該微粒子の凝集体組織構造により形成された凹凸形状を有する表示素子とする。 （もっと読む）