【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの放熱性が高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１１は、ＡｕＧｅＮｉ層２１を含むカソード配線９と、ＡｕＧｅＮｉ層２１の表面上に分子間力により接合され、カソード配線９と電気的に接続された半導体発光素子１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、表示画像の縁付近における光漏れを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、複数の画素電極９ａと、複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜４３を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜６０ｂ、４００ｂとを備える。更に、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、他の遮光膜と重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、一の遮光膜に比べて入射される入射光に対する反射率が低い低反射膜６０ａ、４００ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の導電層２０と、層間絶縁層３０と、第２の導電層７０とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール４０を介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第１の領域５０と、前記コンタクトホールを含み、該第１の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第２の領域６０とを有し、
前記第１の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第２の導電層は、前記層間絶縁層の前記第２の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第１の導電層と接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた電気泳動表示装置を提供する。
【解決手段】隣接する画素を区分する第１の絶縁体層１１１と、第１の絶縁体層によって画素毎に区分されたマイクロカプセル３０１を含む層と、マイクロカプセルを含む層を間に挟む一対の電極２０３，１１０ａ，１１０ｂと、一対の電極の一方と電気的に接続される有機薄膜トランジスタと、を有する画素部と、画素部を間に挟む一対のプラスチック基板１０１，２０１と、を備え、有機薄膜トランジスタは、開口部を有する第２の絶縁体層１０５と、開口部内に設けられ、開口部によって隣接する有機薄膜トランジスタと絶縁分離された半導体層１０６ａ，１０６ｂと、半導体層とゲート絶縁膜を間に介して重なるゲート電極１０３と、を含む電気泳動表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】回路基板形成後の工程数が削減された表示パネルおよびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】表示パネルは、有機ＥＬ素子および画素回路を画素ごとに備えている。画素回路は、映像信号を書き込む書き込み用の第１トランジスタと、第１トランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいて有機ＥＬ素子を駆動する駆動用の第２トランジスタとを有している。第２トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを有しており、有機ＥＬ素子は、アノード、有機層およびカソードを有している。ゲートは、透明導電層の単体、または透明導電層および金属導電層の積層体となっている。アノードは、透明導電層と同層に形成されると共に透明導電層と同一の材料によって形成された層を有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】画質の均質性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子１０２の形成された基板（第１の基板）１０１に向かい合ってプリ
ント配線板（第２の基板）１０７が設けられる。プリント配線板１０７上のＰＷＢ側配線
（第２の配線群）１１０は異方導電性フィルム１０５a、１０５bにより素子側配線（第１
の配線群）１０３、１０４と電気的に接続される。このとき、ＰＷＢ側配線１１０として
低抵抗な銅箔を用いるため、素子側配線１０３、１０４の電圧降下や信号遅延を低減する
ことができ、画質の均質性の向上及び駆動回路部の動作速度の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】ノズルプリンティング法によって表示装置を作製する場合に、有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきを抑制することが可能な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上において第１の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁と、前記第１の方向とは垂直な第２の方向に相対する一対の前記隔壁部材により複数の凹部が規定され、当該各凹部において前記第１の方向に所定の間隔をあけて配置される複数の有機ＥＬ素子とを備える表示装置であって、前記複数の凹部は、その第２の方向の幅が、第１の方向の一方の端部から他方の端部に近づくにつれて狭くなる複数の第１の凹部と、その第２の方向の幅が、第１の方向の一方の端部から他方の端部に近づくにつれて広くなる複数の第２の凹部とからなる、表示装置。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】時間階調方式で表示するときに発生する擬似輪郭の低減を課題とする。
【解決手段】１つの画素を、各サブ画素の面積比が２^０：２^１：２^２：・・・・：２^ｍ−
３：２^ｍ−２：２^ｍ−１（ｍはｍ≧２の整数）となるように、ｍ個のサブ画素に分割する
とともに、１フレームを、各サブフレームの点灯期間の比率が２^０：２^ｍ：２^２×ｍ：・
・・・：２^{（ｎ−３）×ｍ}：２^{（ｎ−２）×ｍ}：２^{（ｎ−１）×ｍ}（ｎはｎ≧２の整数）
となるように、ｎ個のサブフレームに分割する。そして、ｎ個の各サブフレームにおいて
ｍ個の各サブ画素の点灯のさせ方を制御することにより、階調を表現する。また、ｎ個の
サブフレームのうち最長の点灯期間を有するサブフレームを、その半分の長さの点灯期間
を有する２個のサブフレームにさらに分割することにより、擬似輪郭をより低減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マザーガラスから液晶表示装置を分断する際に、引出配線にクラック等が発生するのを抑制することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１であって、一方の外周部に他方の外周から外側に張り出した張出領域３を有する一対の透明基板２と、一対の透明基板２に設けられた配向膜４と、配向膜４の間に配設された液晶５と、一対の透明基板２の周縁部に設けられたシール材６と、一方の透明基板２に設けられた張出領域３に引き出された複数の引出配線７とを備え、少なくとも複数の引出配線７上の一部に、配向膜４から離隔して配向膜４と同一材料からなる配線保護膜８が設けられており、配線保護膜８は、一部がシール材６と重なっている重なり部８ａを有するとともに、張出領域３側に位置する他方の透明基板２の外周よりも外側に位置するように重なり部８ａから張出領域３に延在している。 （もっと読む）