【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子（１２０）と外周側に電源の配線層（１０７）とを有する基板（１００）と、表示素子の相互間を分離するバンク層（１１３）と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層（１２３）と、基板の外周部分と外周を一周する封止部（２０２）において接着剤などの接合手段（３０１）を介して接合して電極層を更に覆う封止基板（２００）と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部（ｂ＋ｃ）内にて電源の配線（１０７）と接続する。それにより、電極（１２３）と配線（１０７）との接続領域（ｃ）を基板と封止基板との接合領域（ｂ＋ｃ）として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 （もっと読む）

【課題】画素回路を微細化する一方で、発光素子に供給する電流を精度良く制御する。
【解決手段】画素回路１１０は、シリコン基板１５０に形成され、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２１、トランジスター１２１により供給された電流に応じて発行するＯＬＥＤ１３０、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されたトランジスター１２２、トランジスター１２１のゲート・ドレイン間に電気的に接続されたトランジスター１２３、および、トランジスター１２１のゲートに電気的に接続されトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１３２を備え、トランジスター１２２のソースまたはドレインの一方と、トランジスター１２３のソースまたはドレインの一方とは、共通の拡散層により形成される。 （もっと読む）

【課題】データ信号の振幅を圧縮しつつ、データ線の狭ピッチ化を可能とする。
【解決手段】一端がデータ線１４に接続された保持容量４４と、データ線１４の各々の電位をそれぞれ保持する保持容量５０と、階調レベルに応じた電位のデータ信号Ｖd(j)を一旦保持し、保持したデータ信号が所定のタイミングで保持容量４４の他端に供給される保持容量４１とを備え、これらは半導体基板に形成され、保持容量４１は、電気的に並列に接続される第1容量４１１と第２容量４１２とを備え、半導体基板１５０と垂直方向から見たとき、第１容量４１１と第２容量４１２とは重なるように形成される。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】走査線制御により発光素子を順次発光させる駆動回路において、走査線とデータ線がマトリックス状に交差し規則的に発光素子が配置されるような駆動回路が一般的であるが、視認者の目視条件により、走査線の速度により非発光状態の領域が感知され、画質に障害があるかのような印象を与えることがある。
【解決手段】走査線Ｓ１〜Ｓ６とデータ線Ｄ１〜Ｄ６が交差する位置に発光素子Ｌ１１〜Ｌ６６をマトリックス状に複数個配置し、発光素子Ｌ１１〜Ｌ６６に電流を流すことにより発光させる駆動回路を備えた表示装置において、発光素子Ｌ１１〜Ｌ６６への走査線Ｓ１〜Ｓ６とデータ線Ｄ１〜Ｄ６の接続がマトリックス状にならないように構成し、発光する発光素子の配置に規則性を持たせないような構成とした。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ８８１は、リーク電流が小さいため、画素８８０内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素８８０の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 （もっと読む）

【課題】隣接する配線間の寄生容量を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、行方向に延在する複数の第１配線と、列方向に延在する複数の第２配線と、各第１配線と各第２配線との交差点に対応して１つずつ配置された複数の画素とを備えている。複数の第１配線のうち２つの配線、または複数の第２配線のうち２つの配線は、ともに、互いに隣接する２つの画素に挟まれた共通の領域に配置されている。さらに、これら２つの配線の厚さ方向のレイアウトが、少なくとも一部において互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】第１画素とこの第１画素と異なる領域に形成された第２画素とを有する発光素子において、下部電極のレイアウトを簡単にすることができると共に、第１、第２画素の見栄えが互いに異なることを抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２上部電極２２ｂとを電気的に接続し、第１画素Ａの第１上部電極２２ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを電気的に接続する。これによれば、外部回路と接続される下部電極を１つにすることができ、下部電極のレイアウトが複雑になることを抑制することができる。また、第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを立体交差させる必要もなく、第１、第２画素Ａ、Ｂの見栄えが互いに異なることを抑制することもできる。 （もっと読む）

【課題】限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定することで、消費電力を増やすことなく、画質の向上を図る。
【解決手段】第１，第２，第３電極２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃによって第１，第２容量２４−１，２４−２を形成し、これら第１，第２容量２４−１，２４−２を電気的に並列に接続することによって保持容量２４を形成する。そして、第１電極２４Ａと第３電極２４Ｃとの間において、絶縁平坦化膜２０３を除去して第２容量２４−２の容量値を大きくし、保持容量２４の容量値Ｃｓを大きくすることで、限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】実質的な開口率をより一層向上できるＭＶＡモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にＴＦＴ２１４と該ＴＦＴ２１４に電気的に接続された画素電極２１５とを有している。ＴＦＴ２１４は、ゲートバスライン２１１及びデータバスライン２１２に接続されている。１つの画素は４つの領域に分割されており、画素電極２１５には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部２１５ｂが設けられている。また、微細電極部２１５ｂの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）