【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタの
ゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう
。
【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影
響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタ
のゲート・ソース間電圧を高くする。 （もっと読む）

【課題】液滴の移動不良が発生しなく、表示不良が発生しないエレクトロウェッティングデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に透明電極としてのＩＴＯ電極２を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記ＩＴＯ電極２上に画素を区切る隔壁リブ３を形成する工程と、前記隔壁リブ３を覆うように基板全面にブラシ固定化膜５を形成する工程と、前記隔壁リブ３の垂直部分をＵＶ露光して不活性化する工程と、前記隔壁リブ３の裾の部分を含め隔壁リブ３間の前記ＩＴＯ電極２上に撥水性のブラシ層６を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】エッジシールを有する電気光学表示素子の提供。
【解決手段】電気光学表示素子（１００）は、バックプレーン（１０２）と、バックプレーン（１０２）に隣接する電気光学層（１１２）であって、電気光学層（１１２）の縁を越えて延在するバックプレーンの外周部を残すように、バックプレーン（１０２）よりも小さい電気光学層（１１２）と、バックプレーン（１０２）からは電気光学層（１１２）の反対側に配置された保護層（１１８）とを備え、保護層（１１８）の外周部は、電気光学層の縁を越えて延在し、（１２０において）バックプレーン（１０２）に接着される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造工程を単純化して透明導電膜上に金属膜が積層された積層構造を有する共通電極配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法であって、透明導電膜１０上に金属膜１１が積層された積層構造を有する枠状の共通電極配線１２と、透明導電膜１０の配線幅よりも小さい配線幅を有する共通電極１３と、共通電極配線１２の透明導電膜１０の配線幅よりも小さい配線幅を有する画素電極１４とからなる横電界方式において、感光性樹脂膜１５をエッチングマスクにして等方性エッチングにより、共通電極１３および画素電極１４となる透明導電膜１０上に積層された、感光性樹脂膜１５の下側に位置する金属膜１１を除去するとともに、共通電極配線１２となる透明導電膜上１０に積層された、感光性樹脂１５の下側に位置する金属膜１１の側面の一部を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】改善された有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に定義され、映像を表示する表示領域と、表示領域を囲むように定義され、表示領域に含まれたピクセルに信号を提供する非表示領域と、基板の非表示領域に形成された第１薄膜トランジスタと、基板の表示領域に形成された第２薄膜トランジスタと、第１および第２薄膜トランジスタの上部に形成された平坦化膜１４０と、非表示領域内の平坦化膜上に形成され、少なくとも１つの第１開口を含む第１電極１７５と、平坦化膜上に形成され、第２薄膜トランジスタの電極に連結される第２電極１４５と、第２電極と第１電極の上に形成され、第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターン１５０と、第２電極上に形成された有機発光層１５５と、有機発光層上に形成された第３電極１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第１の導電膜を含む第１の層と、第１の導電膜と重複する領域に位置する第２の導電膜を含む第２の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第１および第２の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子が有する透明導電膜における平均膜抵抗の低抵抗化が可能な電気器具を提供する。
【解決手段】電極１０５と、透明導電膜１０８と、電極１０５と透明導電膜１０８とに挟まれたＥＬ層１０７とを有するＥＬ素子を複数有し、ＥＬ素子が有する電極１０５の縁および隣り合う電極１０５の隙間と重なるように、ＥＬ素子が有する透明導電膜１０８に接して遮光性の金属膜１０９を設ける。 （もっと読む）

【課題】液晶層中の不純物の偏在に起因する表示不具合が改善された液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、基板としての素子基板１０上にトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と、画素電極１５をＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおける第２ソース・ドレイン領域３０ｄに電気的に接続させる柱状のコンタクト部ＣＮＴ４とを有し、コンタクト部ＣＮＴ４は、画素電極１５の液晶層側の表面において突出部１５ａを形成している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、外光輝度に応じた補正を映像信号に対して行うことの可能な表示パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、自発光素子と、自発光素子を駆動する画素回路とを画素ごとに備えている。各画素回路は、保持容量と、映像信号に対応する電圧を保持容量に書き込む第１トランジスタと、保持容量の電圧に基づいて自発光素子を駆動する第２トランジスタとを有している。各画素のうち全部または一部の画素に含まれる画素回路において、第１トランジスタは、外光の輝度の大きさに応じた電圧を保持容量の電圧にフィードバックするようになっている。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、電流リークによる不良品を低減する。
【解決手段】表示パネルの製造方法は、基板の主表面上に複数の層を形成したものを用いて表示パネルを製造する方法であって、前記複数の層のうち最終製品に残存する各層を前記主表面に近いものから順に第１構造層、第２構造層、第３構造層、…、第ｎ構造層と呼ぶこととしたときに、１≦ｋ≦ｎ−１を満たす全てのｋに関して、第ｋ構造層を成膜する工程Ｓ（ｋ，１）と、前記第ｋ構造層を成膜する工程より後で第ｋ＋１構造層を成膜する工程より前に、前記第ｋ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｋ，３）とを、それぞれ含み、さらに、第ｎ構造層を成膜する工程Ｓ（ｎ，１）と、前記第ｎ構造層の上面を研磨することによって平坦化する工程Ｓ（ｎ，３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】解像度を高め、色特性を改善して、高効率、高純度の色を実現することができるエレクトロクロミック素子及びピクセル構造体並びに電子素子を提供する。
【解決手段】本発明のエレクトロミック素子は、電圧によって透明及び少なくとも二つの色から選択されるそれぞれの色を表示する第１エレクトロクロミック物質を含む第１エレクトロクロミック層及び第１エレクトロクロミック層に接触する第１電解質を含む第１サブピクセルと、電圧によって透明、黒色（ｂｌａｃｋ）、及び黒色以外の少なくとも一つの色から選択されるそれぞれの色を表示する第２エレクトロクロミック物質を含む第２エレクトロクロミック層及び第２エレクトロクロミック層に接触する第２電解質を含む第２サブピクセルとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少なく、良好な色味の明るい表示の表示素子の実現。
【解決手段】透明基材11で形成された２枚の基板と、基板間に挟持され、電圧によって反射率、透過率または偏光状態が変化する光媒体3を有する光媒体層と、を有し、各基板は、光媒体層に面する側の表面上に形成された屈折率が１．８以上の透明平板電極12と、透明平板電極上に載置された直径が３００ｎｍ以下の複数のワイヤ状電極20と、を有する表示素子。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 （もっと読む）