【課題】所望の領域に封止部を形成することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域を囲む封止領域および封止領域を外側から囲む段差部を有する基板と、表示領域に設けられた表示層と、封止領域に設けられた封止部とを備えた表示装置。この表示装置では、基板に段差部が設けられているので、封止部が段差部よりも外側に広がる虞がなく、所望の領域に封止部が設けられる。 （もっと読む）

【課題】情報を表示するための電圧が印加される電極を有する情報表示媒体において、大型化した場合でも、表示する情報に制約を生じさせることなく取り扱いを容易にする。
【解決手段】複数の単位電極１２がマトリックス状に配列された基板１１と、基板１１上に積層され、単位電極１２に印加される電圧に応じて情報を表示する情報表示層２０とを有し、基板１１が、単位電極１２の外形に沿った凹凸を境界として複数に分割されている。 （もっと読む）

【課題】基板にクラック等が発生することを抑制可能な薄型表示装置の製造方法。
【解決手段】電気光学パネル５３の一方の面に平面形状が基板１１よりも小さいスペーサーシート６２を平面視で基板１１内に収まるように配置する第１工程と、該一方の面に、基板１１よりも大きい保護フィルム６３を、平面視で基板１１を収めるように貼付する第２工程と、電気光学パネル５３を、該一方の面の反対側の面から薄型化する第３工程と、保護フィルム６３に、平面視でスペーサーシート６２の外周線から内側方向に所定の間隔を有し、深さがスペーサーシート６２の一部に達する切り込み６５を形成する第４工程と、を順に実施した後、切り込み６５で囲まれた領域の保護フィルム６３を取り除く第５工程と、スペーサーシート６２及び切り込み６５の外側の領域の保護フィルム６３を取り除く第６工程と、を実施する薄型表示装置５５の製造方法。 （もっと読む）

【課題】封着材料層のコーナー部へのレーザ照射に起因するガラス基板や封着層のクラックや割れ、また封着ガラスの発泡による気密性の低下等を抑制することを可能にした封着材料層付きガラス部材およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ガラス基板３は封止領域７を備える。ガラス基板３の封止領域７上には、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料からなる封着材料層９が設けられている。枠状の封着材料層９は直線部９ａとコーナー部９ａとで構成されている。封着材料層９は直線部９ａのレーザ吸収材の含有量Ａに対するコーナー部９Ｂのレーザ吸収材の含有量Ｂの比（Ｂ／Ａ）が１０〜９０％の範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】表示装置における基板の割れまたはカケを低減させること。
【解決手段】表示装置が、少なくとも一方が光透過性を有し、所定の距離をおいて互いに
対向するように固定された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および第２の
基板の間に位置する画素領域と、を備えている。そして、前記第２の基板の端面位置は、
前記第１の基板の端面位置よりも突出してる。さらに、前記第２の基板の前記第１の基板
の端面位置に対応する部位から、前記第２の基板の端面位置まで、前記第２の基板は平面
視でテーパ状である。 （もっと読む）

【課題】剥離を抑制して機構強度を向上させた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機発光表示装置は、 基板部材１１１と、基板部材１１１上に形成された絶縁膜１６０と、絶縁膜１６０上に形成された金属配線１７９と、金属配線１７９上に形成されたシーラント３５０と、シーラント３５０上に付着した密封部材２１０とを含み、金属配線１７９に複数の結合補強孔１７９５を形成して、シーラント３５０と絶縁膜１６０を接触させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塗布材料の塗布厚みや塗布幅のばらつきを可及的に抑制し得る、反りの小さなガラス基板を提供する。
【解決手段】一辺の寸法Ｌ１，Ｌ２が５００ｍｍ以上で、且つ板厚Ｌ３が４．０ｍｍ以下のガラス基板１であって、一方の辺に沿って１００ｍｍの等間隔で、且つ他方の辺に沿って５００ｍｍの等間隔で複数の小片２に分割すると共に、その分割した１００ｍｍ×５００ｍｍの各小片２の長辺方向両端部を４６０ｍｍの支持スパンＬｓで下方から支持した場合に、表面を上側にした状態で両端部を支持した時の自重による第一撓み量δ１と、裏面を上側にした状態で両端部を支持した時の自重による第二撓み量δ２との撓み量差（δ１−δ２）の絶対値が、全ての小片２で０．８ｍｍ以下となるようにした。 （もっと読む）

【課題】マスク枚数及び工程数を削減する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタ基板は、基板１上に形成された第１の導電層７と、第１の導電層７上に成膜された拡散防止層２と、拡散防止層２上に形成された半導体層３と、半導体層３上に成膜されたゲート絶縁層４と、ゲート絶縁層４上に形成された第２の導電層５と、第２の導電層５上に成膜された層間絶縁層６と、層間絶縁層６上に形成された第３の導電層９と、を有し、第３の導電層９が、層間絶縁層６及びゲート絶縁層４を貫通して半導体層３まで到達し、且つ層間絶縁層６、ゲート絶縁層４、及び拡散防止層２を貫通して、第１の導電層７まで到達することによって、半導体層３と第１の導電層７とが、第３の導電層９を介して接続されている。 （もっと読む）