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Fターム[5C094FA02]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 特徴的な形状、構造 (2,594) | 表示面に垂直 (845)

Fターム[5C094FA02]に分類される特許

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【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第1配線層と、第1配線層の間に設けられた第1配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第1配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第2配線層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】i行目を除くゲート信号線の電位は、i行目のゲート信号線106が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、i−1行目のゲート信
号線111をi行目のゲート信号線106によって制御されるEL素子103への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 (もっと読む)


【課題】環境の明るさに依らずに明瞭な表示が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置1は、バックライト2(光源)と、液晶光変調素子3と、蛍光体層13(波長変換部)と、波長変換部の視認側に設けられたカラーフィルタ25と、を備え、液晶光変調素子が、液晶層と、第1の基板と、第2の基板と、第1の偏光板と、第2の偏光板と、カラーフィルタおよび液晶層を経て視認側から入射する光を反射する反射膜12と、を備え、液晶光変調素子の単位領域が、反射膜の形成領域である反射領域Rと、反射膜の非形成領域である透過領域Tと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置(TFT,バックプレーン等)は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態(溶液の状態)で半導体層上に塗布(または印刷)されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 (もっと読む)


【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016における開口部1016bを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016cの側の側面部1016eは、側面部1016dを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁1016における開口部1016cを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016bの側の側面部1016fは、側面部1016gを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部1016bと開口部1016cとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、X軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 (もっと読む)


【課題】製造容易な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の導光部のそれぞれは、一端と、他端と、一端から他端に向かう第1方向に沿って延在する側面と、を有する。複数の導光部は、第1方向に対して交差する第2方向に、互いに離間しつつ並ぶ。光源は、導光部の一端から導光部中に光を入射させる。支持基板は、導光部の側面に接する第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有し、前記側面に接する部分が透明である。第1電極は、第2主面に設けられた光透過性の電極である。対向基板は、第2主面と対向し、第1電極と離間して設けられる。第2電極は、対向基板の前記第2主面と向かい合う面に設けられた光透過性の電極である。複数のスペーサは、支持基板と対向基板との間に設けられ、第1方向及び第2方向に対して平行な平面に射影したときに、複数の導光部間に配置される。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016には、3つの開口部1016a,1016b,1016cが開けられている。開口部1016b,1016cの各底部には、ソース電極1014a,1014b、ドレイン電極1014c,1014dが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部1016bを臨む側面部のうち、側面部1016d,1016eは、側面部1016iに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部1016cを臨む側面部のうち、側面部1016fは、側面部1016jに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。 (もっと読む)


【課題】パネル体を着脱可能とした折り畳み式電子機器を提供する。
【解決手段】第1筐体10と、第2筐体20と、両筐体を開閉可能に連繋するヒンジ機構30と、両筐体の開状態にて第1筐体と第2筐体を相対的にスライド可能に連結するスライド機構40と、両筐体が閉状態で対向する面の少なくとも一方に装着されるパネル体60と、を具え、第1筐体及び/又は第2筐体には、パネル体を装着する取付スペース50が凹設されており、取付スペースは、両筐体の開状態にて他方の筐体との対向側が開放しており、パネル体及び取付スペースには、一方にパネル体を取付スペースに装着した時に係合する係止部65、67が形成され、他方に係止部が嵌合する被係止部55、57が形成されており、被係止部に併設して、係止部が通過し、係止部と被係止部との嵌合を解除する通過部52を有している。 (もっと読む)


【課題】従来型の発光ダイオード(“LED”)光アレイにおいて、結合部の温度上昇が、電流を増大させること
【解決手段】メッシュ形状の固定型プラットフォーム、及び複数のLEDモジュールを使用して製造された発光ダイオード(LED)パネルが提供され、メッシュが、第1方向に配置された第1の複数の導電性ストリップと、第2方向に配置された第2の複数の導電性ストリップとから構成され、第1及び第2の複数の導電性ストリップが、その間に、複数の交点を形成し、複数のLEDモジュールの各々が、複数の交点の1つに配置され、各LEDモジュールが、導電性ストリップから表示信号を受け取り、受け取った信号に従って光を表示するように構成される。また、熱エネルギーを伝導する基板層上に結合されたLEDを備えた多−層LEDパネルが提供される。さらに、複数の動的アドレッシングLEDモジュールを備えたLEDデバイスが提供される。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】液滴の移動不良が発生しなく、表示不良が発生しないエレクトウェッティングデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に透明電極としてのITO電極2を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記ITO電極2上に画素を区切る隔壁リブ3を形成する工程と、前記隔壁リブ3を覆うように基板全面にブラシ固定化膜5を形成する工程と、前記隔壁リブ3の垂直部分をUV露光して不活性化する工程と、前記隔壁リブ3の裾の部分を含め隔壁リブ3間の前記ITO電極2上に撥水性のブラシ層6を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】周辺領域に形成された配線で反射する光の迷光を減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、光の透過及び遮蔽を制御して画像を表示するための表示パネル10と、表示パネル10に重ねられて光を供給するためのバックライト12と、を有する。表示パネル10は、画像が表示される表示領域26及び表示領域26の外側の周辺領域28を含む基板16を有する。基板16は、バックライト12側を向く下面及びバックライト12とは反対側を向く上面を有する。基板16の上面には、周辺領域28に配線30が形成されている。配線30の基板16側を向く面の少なくとも一部は、基板16の下面に対する法線から基板16の外側の方向に斜めに傾いている。 (もっと読む)


【課題】隣接する画素間のリーク電流を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、表示領域に複数の画素を備えている。各画素は、有機EL素子と、有機EL素子を駆動する画素回路とを有している。有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に設けられた有機層とを有している。アノード電極の側面は、当該アノード電極のカソード電極側の断面積が当該アノード電極のカソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。 (もっと読む)


【課題】拡大表示または縮小表示のためにスケーラによる画像処理を必要とせず、高速かつ高品位な拡大表示または縮小表示を可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】第1解像度を有する第1表示パネルと、第1解像度に比して高い第2解像度を有する第2表示パネルと、第2表示パネルの一部に表示された画像の画像データを出力し、第1表示パネルに拡大画像を表示させる画像出力部と、を備える表示装置とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域において、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第1の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第2電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第1電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第2電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置100は、TFT30と、TFT30に電気的に接続された容量素子16とを備え、容量素子16は、TFT30と第2層間絶縁層11cを介して形成された第1容量電極16aと、第1容量電極16aに第1誘電体層16bを介して対向配置され、TFT30の半導体層30aに第2層間絶縁層11cに形成されたコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続された第2容量電極16cとを有し、第2容量電極16cは、第1導電層16c1と第1導電層16c1上に積層された第2導電層16c2を有し、第1導電層16c1は、コンタクトホールCNT53と重なる領域が除去されてなり、第2導電層16c2と半導体層30aとがコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第1の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第1の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第1
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 (もっと読む)


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