【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層ＣＨと、第１方向に、酸化物半導体層ＣＨを介して延伸する第１の電極層（ソース又はドレイン）ＬＥおよび第２の電極層（ドレイン又はソース）ＵＥと、第１方向と交差する第２方向に延伸し、酸化物半導体層ＣＨと基板ＳＵに垂直な方向においてゲート絶縁層ＧＩを介して重なるゲート電極層ＧＥとを有し、酸化物半導体層ＣＨの膜厚がそのチャネル長となる。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】プロセスの増大に伴う生産性の低下やコストアップなどの問題を招来することなく、ダミー画素へのパネル出射面側からの光入射に起因した画質低下の防止を図る。
【解決手段】有効画素領域の周囲に形成されたダミー画素のうち上記有効画素領域内の画素と同じ画素列に配されるダミー画素を同列ダミー画素としたとき、少なくとも当該同列ダミー画素が有するトランジスタと信号線との間の電気的接続を断つ。これにより、光照射に伴う上記トランジスタの性能劣化に起因して生じる有効画素領域におけるＶ−Ｔ特性の変動を効果的に防止でき、画質低下を防止する。トランジスタと信号線との電気的接続を断つには、接続するためのコンタクト部の形成を省略でき、同時に、別途の層を新たに形成するなどといったプロセスの増加を伴わない。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】防湿樹脂の基板外への流出を防止できるようにした電気泳動表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極を有する第１の基板と、前記第１の基板上に配置された電気泳動層と、前記電気泳動層上に配置されて第２の電極を有する第２の基板と、前記第１の基板上に配置されて、前記電気泳動層の外周を当該電気泳動層と隙間を持って囲む堤部と、前記第１の基板上の前記隙間の位置に配置されて前記電気泳動層の側面を覆う防湿樹脂と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】赤色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度が青色発光層を構成するＥＬ材料及び緑色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度よりも低いＥＬ表示装置において、色バランスの良いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴと、ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、画素電極を陰極または陽極とするＥＬ素子と、ＥＬ素子を封入する絶縁層と、ＥＬ素子にビデオ信号を印加する手段と、ビデオ信号をガンマ補正する手段と、を同一基板上に有し、ＥＬ素子は、青色発光層を有する第１の画素と、緑色発光層を有する第２の画素と、赤色発光層を有する第３の画素と、を有し、赤色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度は、青色発光層を構成するＥＬ材料及び緑色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度よりも低く、ガンマ補正によって、赤色の信号を増幅させ、青色または緑色の信号を減衰させるＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材層に粒子を分散させることにより寸法安定性に優れた粒子分散系樹脂シートや光拡散性に優れた粒子分散系樹脂シートを提供すること、および上記粒子分散系樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】樹脂に無機酸化物が分散された基材層を少なくとも有する粒子分散系樹脂シート。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】従来型の発光ダイオード（“ＬＥＤ”）光アレイにおいて、結合部の温度上昇が、電流を増大させること
【解決手段】メッシュ形状の固定型プラットフォーム、及び複数のＬＥＤモジュールを使用して製造された発光ダイオード（ＬＥＤ）パネルが提供され、メッシュが、第１方向に配置された第１の複数の導電性ストリップと、第２方向に配置された第２の複数の導電性ストリップとから構成され、第１及び第２の複数の導電性ストリップが、その間に、複数の交点を形成し、複数のＬＥＤモジュールの各々が、複数の交点の１つに配置され、各ＬＥＤモジュールが、導電性ストリップから表示信号を受け取り、受け取った信号に従って光を表示するように構成される。また、熱エネルギーを伝導する基板層上に結合されたＬＥＤを備えた多−層ＬＥＤパネルが提供される。さらに、複数の動的アドレッシングＬＥＤモジュールを備えたＬＥＤデバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】第１画素とこの第１画素と異なる領域に形成された第２画素とを有する発光素子において、下部電極のレイアウトを簡単にすることができると共に、第１、第２画素の見栄えが互いに異なることを抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２上部電極２２ｂとを電気的に接続し、第１画素Ａの第１上部電極２２ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを電気的に接続する。これによれば、外部回路と接続される下部電極を１つにすることができ、下部電極のレイアウトが複雑になることを抑制することができる。また、第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを立体交差させる必要もなく、第１、第２画素Ａ、Ｂの見栄えが互いに異なることを抑制することもできる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第１の透明導電膜６は、当該第１の透明導電膜６のコーナー部近傍では第２の導電膜５の端面を覆っておらず、コーナー部近傍以外において第２の導電膜５の端面を覆う部分を有している。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】液滴の移動不良が発生しなく、表示不良が発生しないエレクトロウェッティングデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に透明電極としてのＩＴＯ電極２を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記ＩＴＯ電極２上に画素を区切る隔壁リブ３を形成する工程と、前記隔壁リブ３を覆うように基板全面にブラシ固定化膜５を形成する工程と、前記隔壁リブ３の垂直部分をＵＶ露光して不活性化する工程と、前記隔壁リブ３の裾の部分を含め隔壁リブ３間の前記ＩＴＯ電極２上に撥水性のブラシ層６を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＯＬＥＤ１３０における特性がばらつきに起因する表示ムラを抑える。
【解決手段】画素回路１１０は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２１と、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１４３と、供給された電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤ１３０と、トランジスター１２１とＯＬＥＤ１３０との間に電気的に介挿されたトランジスター１２６と、走査線１２に供給された走査信号に応じて、データ線１４に供給されたデータ信号に応じた電位をトランジスター１２１のゲートノードｇに供給するトランジスター１２２とを含む。ＯＬＥＤ１３０を発光させるとき、トランジスター１２６のゲートを、走査信号の論理レベルにおけるＨレベルとＬレベルとの中間電位とする。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）