【課題】第１画素とこの第１画素と異なる領域に形成された第２画素とを有する発光素子において、下部電極のレイアウトを簡単にすることができると共に、第１、第２画素の見栄えが互いに異なることを抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２上部電極２２ｂとを電気的に接続し、第１画素Ａの第１上部電極２２ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを電気的に接続する。これによれば、外部回路と接続される下部電極を１つにすることができ、下部電極のレイアウトが複雑になることを抑制することができる。また、第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを立体交差させる必要もなく、第１、第２画素Ａ、Ｂの見栄えが互いに異なることを抑制することもできる。 （もっと読む）

【課題】温度に対応した駆動条件を適正に設定可能な電気光学装置および電子機器、電気光学装置の駆動方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、第１基板としての素子基板１０と、第２基板としての対向基板と、素子基板１０と対向基板との間に電気光学物質と、素子基板１０に温度検出用抵抗体１３と、を備え、温度検出用抵抗体１３は、素子基板１０上において異なる配線層に形成された第１抵抗体１１と第２抵抗体１２とが電気的に直列接続されたものである。 （もっと読む）

【課題】発光装置における歩留まりの向上および故障率の低減を図る。
【解決手段】発光ダイオード素子１２とヒューズ１３が直列に接続された複数のヒューズ付き発光ダイオード素子１４を、並列に接続して並列構成単位１５を形成する。そして、１つの並列構成単位１５で、あるいは、複数の並列構成単位１５を直列に接続して、発光ダイオード素子回路１６を形成する。そのため、発光ダイオード素子１２の何れかが短絡不良を起こしても、短絡不良を起こした発光ダイオード素子１２に接続されたヒューズ１３が断線して過電流を遮断することができる。その結果、短絡不良を起こした発光ダイオード素子１２以外の発光ダイオード素子１２は引続き発光することができ、発光装置１１は引続き動作することができる。したがって、発光装置１１の歩留りの向上および故障率の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるＣｕ配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、電極に用いられるＣｕ合金膜５と、保護膜６と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Ｃｕ合金膜５は、基板側から順に、第一層（Ｘ）５ａと第二層（Ｚ）５ｂを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）は、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって第二層（Ｚ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなり、第二層（Ｚ）は、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、Ｎｂ、希土類元素、Ｇｅ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ−Ｚ合金からなり、第二層（Ｚ）の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 （もっと読む）

【課題】発明が解決しようとする課題は、アクティブマトリクス型表示装置の表示の均一性を高めることにある。
【解決手段】
一実施形態による表示装置は、絶縁性の基板と、前記基板の一主面に設けられ、複数のゲート線、複数の信号線、複数の電源線、マトリクス状に配置された複数の画素を有する表示領域と、表示領域上に設けられた有機ＥＬ層と、を備え、前記画素は、駆動トランジスタと、抵抗体とを有し、前記抵抗体の一端は前記駆動トランジスタのゲート電極と接続されており、他端は少なくとも前記ゲート線、前記信号線、前記電源線のいずれかと接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示領域Ａの温度を精度良く検出する。
【解決手段】画素１１０がマトリクス状に配列する表示領域Ａをくまなく覆うように、 抵抗膜５０を設ける。抵抗膜５０は、ＩＴＯのような透明導電膜である。画素１１０における液晶素子は、画素電極とコモン電極１０８とで液晶を挟持する。このコモン電極１０８と抵抗膜５０とを絶縁膜を介して対向基板に設ける。抵抗膜５０は、対角の地点において、第１導通材９１ａを介し素子基板側の配線７２ａに接続される。温度情報変換回路４は、抵抗膜５０における２点間の抵抗値を、電圧降下分Ｖf等から求めて温度情報Ｔaを出力する。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性表示装置の製造方法は、キャリア基板上に抵抗を有する導電物質を含む発熱部を形成する段階と、発熱部上に可撓性基板を形成する段階と、可撓性基板上に薄膜トランジスタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部上に発光素子および封止部材を形成する段階と、発熱部に電圧を印加してジュール熱を発生させることによって可撓性基板に直接熱を加えて発熱部から可撓性基板を分離する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】引出配線が複数の層のそれぞれに形成された場合において、同じ層に形成された隣接する引出配線間の短絡を簡易な構成で確実に検出することができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板２は、引出配線６１₁，６１₃，６１₅，６１₇が接続されたゲート端子５１に接続される第１接続配線６４₁，６４₃，６４₅，６４₇と、引出配線６１₂，６１₄，６１₆が接続されたゲート端子５１に接続される第２接続配線６４₂，６４₄，６４₆と、互いに隣接する２本の第１接続配線および第２接続配線を１本に束ねる束配線６５₁〜６５₄と、束配線のうちで互いに隣接しない束配線６５₂，６５₄へ検査信号を入力可能な第１検査配線６６と、束配線のうち第１検査配線６６が接続されておらずかつ互いに隣接しない束配線６５₁，６５₃へ検査信号を入力可能な第２検査配線６７とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置において、簡単な構成で、好適に装置の温度を検出する。
【解決手段】液晶装置は、シール材（５２）を介して貼り合わされた一対の基板（１０，２０）と、一対の基板間に挟持された液晶（５０）と、一方の前記基板の少なくとも一辺に沿って配置され、平面的に見てシール材と重なる位置に配置された感温配線（２００）とを備える。感温配線は、温度を検出可能な配線として構成されており、装置の温度を好適に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスターの静電破壊を抑制する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に第１トランジスターを形成する工程と
、第１トランジスターが形成された基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜を
エッチングして、第１トランジスターに通じる第１貫通孔を形成する工程と、第１貫通孔
を介して第１トランジスターに接続された第１部分および第１部分とは接続されていない
第２部分を有する第１導体膜を第１絶縁膜上に形成する工程と、第１導体膜上に第２絶縁
膜を形成する工程と、第２絶縁膜をエッチングして第１導体膜の第１部分および第２部分
のそれぞれに通じる第２貫通孔および第３貫通孔を形成する工程と、第２貫通孔および第
３貫通孔を介して、第１導体膜の第１部分および第２部分を電気的に接続する第２導体膜
を第２絶縁膜上に形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスター群の位置に依存したスジを抑制すること。
【解決手段】電気光学装置は、ゲート信号入力端子と、ゲート信号入力端子に接続され、ゲート信号が供給されるゲート信号線と、ソース信号入力端子と、複数のソース信号入力端子の各々に接続され、ソース信号が供給される複数のソース信号線と、ゲート信号線に接続されたゲート電極、および複数のソース信号線のうち第１ソース信号線に接続されたソース電極を有する第１トランジスター群と、第１トランジスター群よりも下流側の位置においてゲート信号線に接続されたゲート電極、および複数のソース信号線のうち第２ソース信号線に接続されたソース電極を有する第２トランジスター群と、第１ソース信号線に挿入された第１抵抗と、第２ソース信号線に挿入され、第１抵抗と異なる抵抗値を有する第２抵抗とを有する。 （もっと読む）

【課題】封止材料を均一に加熱溶融することが可能な構成の電気装置を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に設定される封止領域内に設けられる電気回路と、前記支持基板上において、前記封止領域内から封止領域外に延在して設けられ、外部の電気信号入出力源と前記電気回路とを電気的に接続する電気配線と、前記封止領域を取囲んで前記支持基板上に設けられる封止部材と、前記封止部材を介して、前記支持基板に貼合される封止基板とを有する電気装置であって、前記電気回路は、有機層を有する電子素子を備え、平面視において前記電気配線と前記封止部材とが交差する交差領域では、前記電気配線が透光性電気配線によって構成されている、電気装置。 （もっと読む）

【課題】薄型でコンパクトな駆動装置を用いて情報を表示できる情報表示器等を提供する。
【解決手段】情報表示システムは、２枚の基板１１，１２の間において電界で駆動する表示媒体１６と表示媒体が配置された表示区画２７と備える情報表示器１Ａと、画素電極３４が配置されたＴＦＴ基板３６を有する駆動装置３０と、を備える。駆動装置３０は、情報表示器１Ａと駆動装置３０とが対面対向した状態における情報表示器１Ａの位置情報を検出する検出手段と、検出手段によって検出した位置情報に基づいて画素電極を駆動制御する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）