【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ８８１は、リーク電流が小さいため、画素８８０内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素８８０の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００においては、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。また、素子基板１０の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定することで、消費電力を増やすことなく、画質の向上を図る。
【解決手段】第１，第２，第３電極２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃによって第１，第２容量２４−１，２４−２を形成し、これら第１，第２容量２４−１，２４−２を電気的に並列に接続することによって保持容量２４を形成する。そして、第１電極２４Ａと第３電極２４Ｃとの間において、絶縁平坦化膜２０３を除去して第２容量２４−２の容量値を大きくし、保持容量２４の容量値Ｃｓを大きくすることで、限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】ＯＬＥＤ１３０における特性がばらつきに起因する表示ムラを抑える。
【解決手段】画素回路１１０は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２１と、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１４３と、供給された電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤ１３０と、トランジスター１２１とＯＬＥＤ１３０との間に電気的に介挿されたトランジスター１２６と、走査線１２に供給された走査信号に応じて、データ線１４に供給されたデータ信号に応じた電位をトランジスター１２１のゲートノードｇに供給するトランジスター１２２とを含む。ＯＬＥＤ１３０を発光させるとき、トランジスター１２６のゲートを、走査信号の論理レベルにおけるＨレベルとＬレベルとの中間電位とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】実質的な開口率をより一層向上できるＭＶＡモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にＴＦＴ２１４と該ＴＦＴ２１４に電気的に接続された画素電極２１５とを有している。ＴＦＴ２１４は、ゲートバスライン２１１及びデータバスライン２１２に接続されている。１つの画素は４つの領域に分割されており、画素電極２１５には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部２１５ｂが設けられている。また、微細電極部２１５ｂの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、トランジスター３０と走査線３ａとデータ線６ａとが設けられた層と、画素電極２７が設けられた層との間において、第１容量電極１６ａは、誘電体層１６ｂ及び第２容量電極１６ｃに覆われて配置されている。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】赤、緑、青色のサブ画素のうち、緑色サブ画素の薄膜トランジスタのサイズが赤色及び青色のサブ画素の薄膜トランジスタのサイズより大きい構造を有する有機発光表示装置である。これにより、相対的に発光効率の高い緑色サブ画素のスイングレンジが広く確保できる。これを採用する場合、さらに正確な階調表現が可能であり、信頼性の高い製品が具現できる。また、これにより、有機発光表示装置の輝度のばらつきを軽減できるので、画質不良製品も発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、外光輝度に応じた補正を映像信号に対して行うことの可能な表示パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、自発光素子と、自発光素子を駆動する画素回路とを画素ごとに備えている。各画素回路は、保持容量と、映像信号に対応する電圧を保持容量に書き込む第１トランジスタと、保持容量の電圧に基づいて自発光素子を駆動する第２トランジスタとを有している。各画素のうち全部または一部の画素に含まれる画素回路において、第１トランジスタは、外光の輝度の大きさに応じた電圧を保持容量の電圧にフィードバックするようになっている。 （もっと読む）

【課題】１画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第１の容量配線と、第２の容量配線と、第３の容量配線とを設け、第１の副画
素〜第３の副画素にそれぞれ、第１の容量素子〜第３の容量素子の一方の電極及び第１の
容量配線〜第３の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第１の容量配線及び第
２の容量配線の電位を変化させ、第３の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
。 （もっと読む）

【課題】時間階調方式で表示するときに発生する擬似輪郭の低減を課題とする。
【解決手段】１つの画素を、各サブ画素の面積比が２^０：２^１：２^２：・・・・：２^ｍ−
３：２^ｍ−２：２^ｍ−１（ｍはｍ≧２の整数）となるように、ｍ個のサブ画素に分割する
とともに、１フレームを、各サブフレームの点灯期間の比率が２^０：２^ｍ：２^２×ｍ：・
・・・：２^{（ｎ−３）×ｍ}：２^{（ｎ−２）×ｍ}：２^{（ｎ−１）×ｍ}（ｎはｎ≧２の整数）
となるように、ｎ個のサブフレームに分割する。そして、ｎ個の各サブフレームにおいて
ｍ個の各サブ画素の点灯のさせ方を制御することにより、階調を表現する。また、ｎ個の
サブフレームのうち最長の点灯期間を有するサブフレームを、その半分の長さの点灯期間
を有する２個のサブフレームにさらに分割することにより、擬似輪郭をより低減できる。 （もっと読む）

【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。
【解決手段】酸化物半導体層７ａ、ソース配線１３ａｓ、ドレイン電極１３ａｄを備えた薄膜トランジスタと、第１接続部３ｃ、第２接続部１３ｃおよび第２接続部上に形成された第３接続部１９ｃを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第２接続部は、第１および第２絶縁膜５，９に設けられた第１開口部内で第１接続部と接し、第３接続部１９ｃは、保護膜に設けられた第２開口部内で第２接続部と接する。第１開口部は、第１絶縁膜５および第２絶縁膜９を同時にエッチングすることによって形成、第２開口部は、保護膜１５を前記第１および第２絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第２接続部１３ｃは、第１開口部における第１および第２絶縁膜の端面を覆い、かつ、第２開口部における保護膜１５の端面を覆っていない。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが第１の支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、第１の支持基板１と対向する第２の支持基板２が設けられており、第２の支持基板２における第１の支持基板１側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在せず、第２の支持基板２における第１の支持基板１と反対側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在する。 （もっと読む）

【課題】シェーディングやムラの少ない表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、（Ａ）走査回路１０１、（Ｂ）映像信号出力回路１０２、（Ｃ）電流供給部１００、（Ｄ）電流供給部１００に接続され、第１の方向に延びるＭ本の電流供給線ＣＳＬ、（Ｅ）走査回路１０に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、（Ｆ）映像信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、（Ｇ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが、発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路を備えた発光素子１を備えており、各走査線ＳＣＬと走査回路１０１との間に容量負荷部１０１Ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画素毎に設けられた画素電極９ａと、ＴＦＴアレイ基板１０と画素電極９ａとの間に、画素電極９ａに対応して設けられたＴＦＴ３０と、画素電極９ａとＴＦＴ３０との間に設けられており、第１電極７１、第１電極７１の下層側に下側容量絶縁膜７５を介して対向配置された第２電極７２、及び第１電極７１の上層側に上側容量絶縁膜７６を介して対向配置された第３電極７３からなる保持容量とを備え、下側容量絶縁膜７５及び上側容量絶縁膜７６は、それぞれ複数の絶縁膜を有しており、ＴＦＴアレイ基板１０側からみた下側容量絶縁膜７５を構成する複数の絶縁膜（７５ａ，７５ｂ）と、ＴＦＴアレイ基板１０側からみた上側容量絶縁膜７６を構成する複数の絶縁膜（７６ａ，７６ｂ）と、の積層順が同じである。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ
基板の動作の確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減すること。
【解決手段】各画素に、駆動用ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続し、さらにＥＬ素子
と電気的に並列接続している容量を設け、容量の充放電を確認することによって、駆動用
ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断をおこなう。こうして、不良品をＥＬ材料の成膜
前に除去可能であり、製造費用の削減がはかれる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイ基板、有機発光表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置され、活性層２１２、ゲート電極２１４、ソース電極２１８ａ、ドレイン電極２１８ｂ、活性層とゲート電極との間に配置された第１絶縁層１３、及びゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に配置された第２絶縁層１５を含む薄膜トランジスタと、第１絶縁層及び第２絶縁層上に配置され、ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結される画素電極１１７と、ゲート電極と同一層で形成された下部電極３１４及び画素電極と同一材料を含む上部電極３１７を含むキャパシタと、第２絶縁層と画素電極との間及び下部電極と上部電極との間に直接配置された第３絶縁層１１６と、ソース電極、ドレイン電極及び上部電極を覆って画素電極を露出させる第４絶縁層１９と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板。 （もっと読む）