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Fターム[5C094FB20]の内容

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Fターム[5C094FB20]に分類される特許

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【課題】マゼンタ系に発色し、消色時の色づきが少ないエレクトロクロミック化合物該化合物を結合又は吸着してなるエレクトロクロミック組成物及び前記化合物又は組成物を用いた表示素子を提供する。
【解決手段】表示電極1と対向電極2間に電解質3を備え、表示電極の対向電極側の表面に、下記一般式(1)で表されるエレクトロクロミック化合物を含む表示層4を形成して表示素子とする。


[式中、X〜X12は水素原子または一価の基を示し、R1、Rは一価の基を示し、A、Bは1価のアニオンを表す。] (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
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【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】光学特性に優れた透明複合基板および前記透明複合基板を備えた信頼性の高い表示素子基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明複合基板1は、屈折率の最大値と最小値との差が0.01以下であるガラスクロス2とガラスクロス2に含浸した樹脂材料3とを有する複合層4と、複合層4上に設けられたガスバリア層(表面層)5と、を有する。ガスバリア層5は、SiOxNyで表され、xおよびyが0.3<x/(x+y)≦1の関係を満足するケイ素化合物で構成されている。また、ガラスクロス2は、複数のガラス繊維を束ねた縦方向ガラスヤーン2aと複数のガラス繊維を束ねた横方向ガラスヤーン2bとを織り込んでなるガラス織布であり、単位幅当たりの横方向ガラスヤーン2b中のガラス成分の断面積を1としたとき、単位幅当たりの縦方向ガラスヤーン2a中のガラス成分の断面積の比は1.04以上1.40以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基材層に粒子を分散させることにより寸法安定性に優れた粒子分散系樹脂シートや光拡散性に優れた粒子分散系樹脂シートを提供すること、および上記粒子分散系樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】樹脂に無機酸化物が分散された基材層を少なくとも有する粒子分散系樹脂シート。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】防湿樹脂の基板外への流出を防止できるようにした電気泳動表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極を有する第1の基板と、前記第1の基板上に配置された電気泳動層と、前記電気泳動層上に配置されて第2の電極を有する第2の基板と、前記第1の基板上に配置されて、前記電気泳動層の外周を当該電気泳動層と隙間を持って囲む堤部と、前記第1の基板上の前記隙間の位置に配置されて前記電気泳動層の側面を覆う防湿樹脂と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】第1画素とこの第1画素と異なる領域に形成された第2画素とを有する発光素子において、下部電極のレイアウトを簡単にすることができると共に、第1、第2画素の見栄えが互いに異なることを抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】第1画素Aの第1下部電極20aと第2画素Bの第2上部電極22bとを電気的に接続し、第1画素Aの第1上部電極22aと第2画素Bの第2下部電極20bとを電気的に接続する。これによれば、外部回路と接続される下部電極を1つにすることができ、下部電極のレイアウトが複雑になることを抑制することができる。また、第1画素Aの第1下部電極20aと第2画素Bの第2下部電極20bとを立体交差させる必要もなく、第1、第2画素A、Bの見栄えが互いに異なることを抑制することもできる。 (もっと読む)


【課題】液滴の移動不良が発生しなく、表示不良が発生しないエレクトウェッティングデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に透明電極としてのITO電極2を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記ITO電極2上に画素を区切る隔壁リブ3を形成する工程と、前記隔壁リブ3を覆うように基板全面にブラシ固定化膜5を形成する工程と、前記隔壁リブ3の垂直部分をUV露光して不活性化する工程と、前記隔壁リブ3の裾の部分を含め隔壁リブ3間の前記ITO電極2上に撥水性のブラシ層6を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】単色の反射型表示装置とカラーフィルタから構成される反射型カラー表示装置であって、歩留まりが良好で、かつ、画像表示時に視認性の良好な明るさと、鮮明な画像表示が可能な色域とを兼ね備えた反射型カラー表示装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】単色の単位画素からなる反射型表示装置とカラーフィルタとから構成される反射型カラー表示装置であって、(a)前記カラーフィルタが前記単位画素に対応する着色層パターンからなり、(b)前記着色層パターンが異なる色相の複数の副画素を有し、(c)前記副画素が互いに接触しない間隙部分を有し、(d)前記間隙部分の面積率が着色層パターン全体に対して1%以上50%以下の範囲で、且つ、(e)前記間隙部分に、反射表示装置の白表示と同等以上の反射率を有する隙間部分着色層が配置されることを特徴とする反射型カラー表示装置である。 (もっと読む)


【課題】実質的な開口率をより一層向上できるMVAモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にTFT214と該TFT214に電気的に接続された画素電極215とを有している。TFT214は、ゲートバスライン211及びデータバスライン212に接続されている。1つの画素は4つの領域に分割されており、画素電極215には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部215bが設けられている。また、微細電極部215bの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 (もっと読む)


【課題】接続抵抗を低減することの可能な回路基板およびその製造方法、ならびに、上記の回路基板を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】回路基板は、素子と、接続端子と、これらを電気的に接続するコンタクト構造とを備えている。ここで、コンタクト構造は、接続端子側に設けられたAl系金属層と、Al系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。 (もっと読む)


【課題】光学特性に優れた透明複合基板および前記透明複合基板を備えた信頼性の高い表示素子基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明複合基板1は、屈折率の最大値と最小値との差が0.01以下であるガラスクロス2とガラスクロス2に含浸した樹脂材料3とを有する複合層4と、複合層4上に設けられたガスバリア層5と、を有する。ガラスクロス2は、複数のガラス繊維を束ねた縦方向ガラスヤーン2aと複数のガラス繊維を束ねた横方向ガラスヤーン2bとを織り込んでなるガラス織布であり、単位幅当たりの横方向ガラスヤーン2b中のガラス成分の断面積を1としたとき、単位幅当たりの縦方向ガラスヤーン2a中のガラス成分の断面積の比は1.04以上1.40以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板1と、基板1上に設けられたゲート電極2と、基板1上に設けられ、ゲート電極2を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層4と、半導体層4上に設けられた保護膜5と、ゲート絶縁膜3上に設けられたソース電極6、及びドレイン電極7と、を備え、保護膜5を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、製造工程を単純化して透明導電膜上に金属膜が積層された積層構造を有する共通電極配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法であって、透明導電膜10上に金属膜11が積層された積層構造を有する枠状の共通電極配線12と、透明導電膜10の配線幅よりも小さい配線幅を有する共通電極13と、共通電極配線12の透明導電膜10の配線幅よりも小さい配線幅を有する画素電極14とからなる横電界方式において、感光性樹脂膜15をエッチングマスクにして等方性エッチングにより、共通電極13および画素電極14となる透明導電膜10上に積層された、感光性樹脂膜15の下側に位置する金属膜11を除去するとともに、共通電極配線12となる透明導電膜上10に積層された、感光性樹脂15の下側に位置する金属膜11の側面の一部を除去する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子の劣化を抑制でき、かつ、下部電極と上部電極が短絡し難い、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】第1の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光素子及び隔壁を含む発光部を備え、発光素子は、第1の基板上に設けられた第1の電極、第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極を備え、発光素子は、第1の基板上に設けられた第1の電極、第1の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第2の電極を備え、隔壁は、第1の電極の端部を覆い、かつ発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられ、隔壁は、最大粒径が1ナノメートル以上発光性の有機化合物を含む層の膜厚以下の物理吸着型乾燥剤を含む発光装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が3.2g/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


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