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Fターム[5C094HA08]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 用途 (3,037) | TV、コンピュータディスプレイ (1,225)

Fターム[5C094HA08]に分類される特許

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【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第1配線層と、第1配線層の間に設けられた第1配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第1配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第2配線層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】i行目を除くゲート信号線の電位は、i行目のゲート信号線106が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、i−1行目のゲート信
号線111をi行目のゲート信号線106によって制御されるEL素子103への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
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【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とする。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置(TFT,バックプレーン等)は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態(溶液の状態)で半導体層上に塗布(または印刷)されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 (もっと読む)


【課題】防湿性の向上と共に狭額縁化された表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域の周囲に接着領域を有する駆動基板と、前記表示領域に設けられた表示層と、前記表示層の表示面に対向配置された表面膜と、前記表示層と前記表面膜との間に介在し、前記接着領域において前記駆動基板に接すると共に前記駆動基板との間で前記表示層を封止する防湿膜とを備えた表示装置。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタの
ゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう

【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影
響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタ
のゲート・ソース間電圧を高くする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にゲート電極と第2の配線134を形成する。第1及び第2の配線は、第1及び第2の絶縁膜を介して交差する。第2の配線134の上層には、層間絶縁膜として第3の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第1の配線及び第2の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 (もっと読む)


【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100においては、並列に電気的に接続された第1保持容量70aと第2保持容量70bとによって保持容量70が形成され、かつ、第1保持容量70aと第2保持容量70bとは積層された構造になっている。また、素子基板10の端部と画像表示領域との間には、第1保持容量70aと同一の層構造を備えた検査用第1容量と、第2保持容量70bと同一の層構造を備えた検査用第2容量が形成されているとともに、検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定することで、消費電力を増やすことなく、画質の向上を図る。
【解決手段】第1,第2,第3電極24A,24B,24Cによって第1,第2容量24−1,24−2を形成し、これら第1,第2容量24−1,24−2を電気的に並列に接続することによって保持容量24を形成する。そして、第1電極24Aと第3電極24Cとの間において、絶縁平坦化膜203を除去して第2容量24−2の容量値を大きくし、保持容量24の容量値Csを大きくすることで、限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定する。 (もっと読む)


【課題】工程数が少なく、且つ、材料の利用効率が向上した駆動用回路基板およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル領域を形成すると共に、ソース・ドレイン電極に接して設けられた有機半導体層と、ソース・ドレイン電極まで貫通する貫通孔を有すると共に、有機半導体層およびソース・ドレイン電極上に設けられた少なくとも1層からなる絶縁層と、チャネル領域に対応する位置に設けられたゲート電極と、貫通孔を介して前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると共に、ゲート電極と同一材料、且つ、同一膜厚で絶縁層上に設けられた画素用電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極30gと電気的に接続された走査線3aと、データ線側ソースドレイン領域30sと電気的に接続されたデータ線6aと、画素電極側ソースドレイン領域30dと電気的に接続された画素電極27と、容量線3bに電気的に接続された第1容量電極16aと、第1容量電極16aと対向して設けられた第2容量電極16cと、第1容量電極16aと第2容量電極16cとに挟持された誘電体層16bと、を有する容量素子16と、を備え、層間絶縁膜11eに設けられた複数の第1コンタクトホールCNT4を介して第1容量電極16aと容量線3bとは電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】隣接する画素間のリーク電流を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、表示領域に複数の画素を備えている。各画素は、有機EL素子と、有機EL素子を駆動する画素回路とを有している。有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に設けられた有機層とを有している。アノード電極の側面は、当該アノード電極のカソード電極側の断面積が当該アノード電極のカソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。 (もっと読む)


【課題】拡大表示または縮小表示のためにスケーラによる画像処理を必要とせず、高速かつ高品位な拡大表示または縮小表示を可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】第1解像度を有する第1表示パネルと、第1解像度に比して高い第2解像度を有する第2表示パネルと、第2表示パネルの一部に表示された画像の画像データを出力し、第1表示パネルに拡大画像を表示させる画像出力部と、を備える表示装置とする。 (もっと読む)


【課題】輝度むらを低減することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせた酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


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