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Fターム[5C094JA02]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 数値限定 (2,001) | 電気的数値限定 (122)

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電流値 (14)
抵抗値 (54)
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Fターム[5C094JA02]に分類される特許

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【課題】液晶表示装置または有機EL表示装置の画素TFTとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低比誘電率かつ高OD値を達成することが可能な樹脂製遮光部を有し、画素部の面積が大きく、かつ、液晶表示装置に用いた場合に、コンタクトホール内における画素電極の断線を好適に防止することが可能なスイッチング素子基板およびこれを用いた液晶表示装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたスイッチング素子と、上記基材上に設けられた画素部と、上記スイッチング素子上に形成され、上記スイッチング素子に用いられる電極上にコンタクトホールを有する樹脂製遮光部と、上記コンタクトホールの側面および端部を覆うように形成され、絶縁性を有する断線防止層とを有し、上記コンタクトホールの縦断面形状が、垂直形状または逆テーパー形状であり、上記断線防止層が、上記断線防止層の形成部分の縦断面形状が順テーパー形状となるように形成されていることを特徴とするスイッチング素子基板を提供することにより、上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】エレクトロクロミック表示装置の電解質層として有用な、電圧印加よってインピーダンスの制御が可能な(イオン移動度を可変できる)イオン伝導体と、これを用いた低揮発性で信頼性が高いとともに、発消色応答が速くメモリー性にも優れたエレクトロクロミック表示装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも無機または有機の陰・陽対イオンを有する塩からなる電解質と、低分子液晶材料との混合物からなり、交流インピーダンス法により測定されるインピーダンスが、前記低分子液晶材料の配向応答により、印加電圧の増大に応じて変化することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】対向電極と接続されている大電力外部スイッチに起因する周波数特性の低下を防ぎ、階調数の減少を防ぐことが可能となる電気光学装置を提供する。
【解決手段】複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の電源制御線と、複数の画素とを有する電気光学装置であって、複数の画素はスイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、電源制御用TFTと、EL素子とをそれぞれ有しており、電源制御用TFTは、EL素子が有する陰極と陽極との間の電位差を制御することを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、表示装置の高画質化を図りつつ、消費電力を低減すること及び表示の劣化(表示品質の低下)を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と対向電極との間に設けられた液晶層とを有するサブユニットを複数有するユニットが、一又は複数設けられたピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルにおいて、オフ電流が、室温にてチャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85℃にて100zA/μm未満であるトランジスタを用いる。 (もっと読む)


【課題】発光輝度を高くするとともに発光寿命を長くすることができる発光表示素子を提供する。
【解決手段】本発明による発光表示素子1は、各々の互いに対向する面に電極3、4が形成された一対の基板2a、2bと、一対の基板2a、2b間に挟持された発光層5とを備えている。このうち発光層5は、イオン液体10と、このイオン液体10中に溶解された発光物質11と、イオン液体10をゲル化するゲル化材料12とを有している。ゲル化材料12は、1以上の金属原子と2以上の酸素原子とから構成された酸化物微粒子からなっている。酸化物微粒子の平均一次粒子径は、10nm以上100nm未満である。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料を用いて高移動度のトランジスタを形成し、それを用いて同一基板上にドライバ回路を形成する。 (もっと読む)


【課題】低消費電力にする。
【解決手段】駆動トランジスタT1は、電源VDDから有機EL素子OLEDに駆動電流を供給する。駆動トランジスタT1のソース端が前記有機EL素子OLEDの一端に接続され、有機EL素子OLEDの他端は電源電位Vssに接続され、かつ、前記駆動トランジスタの前記有機EL素子の表示単位面積当たりの相互コンダクタンスが1×10−11(A/V/m)以上である。 (もっと読む)


【課題】ガラスフィルムの表面品位が良好であるにもかかわらず、ガラスフィルムを順次引き出す際に、剥離による帯電が生じ難いガラスロールを創案することにより、可撓性デバイスの表示特性や生産性等を高めること。
【解決手段】本発明のガラスロールは、フィルム厚200μm以下のガラスフィルムをロール状に巻き取ったガラスロールであって、ガラスフィルムの誘電率が7以下であり、且つ平均表面粗さRaが10Å以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子の膜形成時の電磁波加熱において、塗布層を均一に加熱可能が有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び該製造方法により製造された発光ムラのない有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基材上にパターニングされた透明電極を有し、該透明電極上に少なくとも1層の有機層を塗布によって成膜後、該有機層に電磁波を照射することにより乾燥させる工程を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記有機層の前記透明電極と接していない領域に、該電磁波を吸収して発熱する部材を形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子の膜形成時の電磁波加熱において、塗布層を均一に加熱可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び発行ムラ(輝度ムラともいう)のない有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基材上にパターニングされた透明導電層を有し、該透明導電層上に少なくとも1層の有機層を塗布によって成膜後、該有機層に電磁波を照射することにより乾燥させる工程を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
該透明導電層の上に、パターニングされた絶縁層を設ける工程を有し、且つ、該有機層は、前記透明導電層の面内に形成される工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板の大きさが大きくなっても信号遅延による問題が少なく、カラーフィルタが安定的に埋め込められる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、有機物質で形成され縦部を含む隔壁と、隔壁によって区画された領域に形成されたカラーフィルタと、ゲート電極を含み一部が隔壁上に形成される薄膜トランジスタと、ゲート線に交差し隔壁上で隔壁の縦部に沿って形成されるデータ線を含む。 (もっと読む)


【課題】活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と一部重なり、酸化物半導体からなる活性層と、ゲート絶縁層によって前記活性層と絶縁されるゲート電極と、前記活性層の上部面及び下部面のうちの少なくとも一面に形成された界面安定化層とを有し、前記界面安定化層は3.0〜8.0eVのバンドギャップを有する酸化物からなる。 (もっと読む)


【課題】活性層の界面特性が向上できる薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁層によって前記ゲート電極と絶縁され、酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極と、前記活性層の上部面及び下部面のうちの少なくとも一面に形成された界面安定化層とを有し、前記界面安定化層は3.0〜8.0eVのバンドギャップを有する酸化物からなる。 (もっと読む)


【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板101の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極109またはドレイン電極110と同じ層に形成された第1の配線と、第1の配線の上方に絶縁膜を介して形成された第2の配線と、を有し、第1の配線は、第2の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられた複数のコンタクトホールを介して第2の配線と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】上部電極と下部電極との間に有機層を介して流れるリーク電流を抑制する有機EL素子を提供する。
【解決手段】有機EL素子51は、バンク3で囲まれた画素領域11に形成されて少なくとも1層の発光層6を含む有機層9と、有機層9を挟んで形成された上部電極7及び下部電極2と、画素領域11とバンク領域13との間の境界領域12の上部電極7と下部電極2との間に形成され、画素領域11とバンク領域13との間の境界領域12の上部電極7と下部電極2との間に形成されたリーク電流ブロック層5とを備え、リーク電流ブロック層5の抵抗が、リーク電流ブロック層5と下部電極2との間の有機層9全体の抵抗よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、有機EL素子上に該有機EL素子を駆動するためのTFTを配した有機EL表示装置およびその製造方法を提供することにある。特に、高開口率が得られ、高精細、高輝度、高安定性、高信頼性、且つ高寿命のアクティブ型有機EL表示装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】基板上に少なくとも下部電極、少なくとも発光層を含む有機層、及び上部電極を順次有する有機EL素子を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し前記有機EL素子を駆動するTFTを形成し、前記活性層が酸化物半導体を含有することを特徴とする有機EL表示装置およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】高精細化が可能で、配線部の接続信頼性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、第1の電極と発光層と第2の電極が基板側からこの順に積層されてなる発光素子と、n型の薄膜トランジスタと、から少なくともなる発光装置であって、該発光素子と該トランジスタとは、該基板に接して並列配置され、該トランジスタのチャネル層の電界効果移動度は、1cm−1−1以上であり、かつ、該第2の電極は、前記トランジスタのドレイン電極と接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電性高分子を用いた導電性フィルムを、工業的に容易にパターニングできる処理方法を提供すること。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に、下記一般式で表される繰返し単位からなるポリカチオン状のポリチオフェンとポリアニオンとからなる導電性高分子を主として含有する導電層が形成された導電性フィルムを、イソプロピルアルコールを含有する処理液を用いて該導電性高分子を部分的に不活性化し、パターニング処理された導電性フィルムを得る。
【化1】


(式中、RおよびRは相互に独立して水素または炭素数1〜4のアルキル基を表すか、あるいは一緒になって任意に置換されてもよい炭素数1〜12のアルキレン基を表す) (もっと読む)


【課題】 表示領域に多数個のTFTがマトリクス状に配置された表示装置の、各TFTにおけるゲート絶縁膜の膜厚の違いに起因する画質むらを低減する。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、多数個のTFTがマトリクス状に配置されている表示パネルを有する表示装置であって、前記多数個のTFTのうちの、ある1つのTFTにおけるゲート絶縁膜の膜厚と、前記ある1つのTFTとは異なるもう1つのTFTにおけるゲート絶縁膜の膜厚とが異なる場合に、当該2つのTFTのうちの、前記ゲート絶縁膜の膜厚が薄いほうのTFTにおけるチャネル幅をチャネル長で除した値が、前記ゲート絶縁膜の膜厚が厚いほうのTFTにおけるチャネル幅をチャネル長で除した値よりも小さい表示装置。 (もっと読む)


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