【課題】触媒や各種の電子的用途への応用が期待できる新規なナノ・マイクロ突起体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により複数の小突起体が合体されてなる大突起体を形成することを特徴とするナノ・マイクロ突起体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】面発光型蛍光発光装置では、十分な電子放出効率が得られない状況にあった。
【解決手段】金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。電子放出層と電極との間に、電子放出層よりも抵抗率の小さい薄膜を介在させることにより、電子放出効率を更に改善できる。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】良好な透明性を有する電子放出用素子を含んでなる光発生装置、並びに、その製造方法を提供する。
【解決手段】透明な電子放出用素子を含んでなる光発生装置であって、前記透明な電子放出用素子が、透明基材、及び前記透明基材上に配置された突起、を備えること、前記突起が、可視光を散乱させない大きさを有すること、並びに前記透明基材と前記突起とからなる部材上の、少なくとも前記突起が配置されている領域の露出面である突起配置面が導電性を有すること、を特徴とする光発生装置。 （もっと読む）

【課題】厚膜形成時においてもクラックが発生せず、かつ透明性・耐熱性・平滑性に優れたＦＰＤ部材を、少ない塗工回数で形成可能な材料を提供すること。
【解決手段】（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）下記式（１）で表されるオルガノシランなどと、（Ｃ）有機金属化合物とを含有し、かつ前記有機金属化合物（Ｃ）を、前記シリカ粒子（Ａ）（但し、固形分換算とする。）と前記シラン化合物（Ｂ）（但し、完全加水分解縮合物換算とする。）との合計１００重量部に対して、０．０００１〜１０重量部の範囲で含有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ部材形成材料。
Ｒ¹_nＳｉＲ²_4-n ・・・（１） （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル構造体５はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】新規な電子放出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電子放出装置は、エミッタ3と、前記エミッタ3との間に電圧が印加される引き出し電極4と、前記エミッタ3の先端にレーザー光を照射するレーザー照射装置を有する。ここで、エミッタ3は、金、銀、銅、アルミニウムまたは白金からなることが好ましい。また、エミッタ3の先端直径は1〜400nmの範囲内にあることが好ましい。また、エミッタ3の先端と引き出し電極4の距離は10nm〜5mmの範囲内にあることが好ましい。また、印加される電圧は1mV〜1000Vの範囲内にあることが好ましい。また、パルスレーザーの強度尖頭値、または連続波レーザーの強度は1W/cm²〜10GW/cm²の範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面に針状構造を備える電界放出電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出電子源１は、層間にインターカレーションされた重金属原子を備えるグラファイト層間化合物からなる電界放出電子源材料４をプラズマ処理することで製造される。或いは、電界放出電子源１は、グラファイト単体からなる電界放出電子源材料４を、層間にインターカレーションされた重金属原子を備えるグラファイト層間化合物からなる材料ホルダ６で支持して、プラズマ処理することで製造される。重金属は、アンチモン、銅、ニッケル、コバルト、鉄、プラチナ、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、イットリウム、ニオブ、モリブデン、パラジウム、銀、金、スズ、タングステン、レニウムから選択される１又は２種以上の重金属であり得る。 （もっと読む）

【課題】 低仕事関数材料が被覆された、良好な電子放出特性を備える電子放出素子を、素子間の電子放出特性のバラツキを抑制し、再現性よく、簡易に製造する製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 構造体に低仕事関数材料を被覆する前に、構造体表面に金属酸化物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体粒子を用いた電子放出素子を低温プロセスでかつ大面積に形成する。
【解決手段】単結晶サファイア粒子とこの単結晶粒子にヘテロエピタキシャル成長を通じて形成された角錐形状を有した窒化物系化合物半導体粒子を形成する工程と前記角錐形状の粒子を電極が形成された基板上に配置する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 基板上に、第１絶縁層と、第１絶縁層とは異なる材料からなる第２絶縁層と、電極とを、この順で積層する工程と、第２絶縁層の側面をエッチングして、第１絶縁層の側面に連続した第１絶縁層の上面を露出させる工程と、硼化ランタンの多結晶膜を、第１絶縁層の上面と側面とに渡って形成する工程と、を有し、多結晶膜を構成する結晶子のサイズを２．５ｎｍ以上とし、かつ、多結晶膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

本発明による炭素微細構造物を有する電界放出アレイの製造方法は、透明基板の表面にパターン溝を有するフォトマスクを付着するフォトマスク付着段階と、フォトマスクの表面にネガティブ・フォトレジストを付着するフォトレジスト付着段階と、透明基板のフォトマスクが付着された部分の反対側から光を照射してパターン溝を通じてネガティブ・フォトレジストに照射される光によってネガティブ・フォトレジストの一部を硬化させる露光段階と、ネガティブ・フォトレジストの露光されていない部分を除去して、ネガティブ・フォトレジストが硬化されてなる微細構造物を形成する現像段階と、微細構造物を加熱して炭化させる熱分解段階と、微細構造物が形成された透明基板の表面に電圧を供給するためのカソードを付着するカソード付着段階とを包含してなることを特徴とする。本発明によると、電子放出素子として使用される炭素微細構造物を簡単でかつ低コストで製造することができる。 （もっと読む）

電界放出エミッタアレイをモールド成形技術によって製造する製造方法を開示する。この製造方法では、モールド孔（１１３）の形状を均質に制御して、１００ｎｍ以下の電界放出エミッタ先端径が実現され、側方隆起部が鈍化されるようにする。この製造方法は、単結晶半導体のモールドウェハから成るモールド基板（１０１）を繰り返し酸化およびエッチングし、個々の電界放出エミッタに対するモールド孔（１１０）は、エッチング速度が結晶方位に依存することを利用して形成される。
（もっと読む）

【課題】工程中の制御パラメータを少なくして、製造手順を簡素化するとともに、容易にコーン・エミッタの分布を制御し得る。
【解決手段】ＢＮ薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する方法であって、基板表面に形成した平坦な表面を持つアモルファスＢＮ薄膜表面に紫外光を照射して、結晶化することを特徴とするコーン・エミッタの形成方法。 （もっと読む）

【課題】冷陰極電界電子放出素子を製造するときの絶縁層における開口部を出来る限り均一に形成し得る方法を含む冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体１０上にカソード電極１１、絶縁層１２を形成し、次いで、コア部４１及びシェル部４２を有する多数の球状部材４０を絶縁層１２上に配置した後、シェル部４２を除去し、次に、コア部４１を含む絶縁層１２上にゲート電極を形成した後、コア部４１を除去して絶縁層１２の一部を露出させ、次いで、露出した絶縁層１２の部分を除去して開口部を形成して、開口部の底部にカソード電極を露出させた後、開口部の底部に露出したカソード電極の部分に電子放出部を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ及び高効率ランプ分野に適用可能な電界放出素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、基板とアノードが具備され、ディスプレイ分野と高効率ランプに使用する電界放出素子の製造方法において、基板の上部に金属触媒をコーティングする段階と；前記金属触媒をシリコンと反応させて金属シリサイド層を形成する段階と；前記金属シリサイド層の上に金属拡散でシリサイドナノワイヤーを成長させる段階；とを含んでなる。本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子エミッタ構造製造方法、上記製造方法により製造される電子エミッタ構造、上記電子エミッタ構造を内蔵する電界電子放出表示装置および電界電子放出バックライト電界電子放出表示装置において、またはＬＣＤ表意装置用の電界電子放出バックライトにおいて用いられる電子エミッタ構造を形成する手順を提供する。
【解決手段】マスク素子２０を薄いＡｌ基板１０上に堆積し、マスク素子２０間のギャップを通してＡｌ基板を化学的にエッチングし、したがってスパイク１３を基板上に形成することにより、電子エミッタ構造は形成される。次にこのスパイク１３は電子エミッタ材料２１で覆われる。スパイク１３は所望のピッチ／高さ比を有するように形成可能である。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を要することなく、電子放出特性が良好でありかつ長寿命の電界放出型電子源を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ１８の形成後に少なくともエミッタ１８の先端部に炭素イオン４０を注入するイオン注入工程を備えている。この炭素イオン４０のエネルギー（単位はｋｅＶ）を一方の軸、注入量（単位は×１０¹⁷ｉｏｎｓ／ｃｍ² ）を他方の軸とする直交座標上の点Ｐ₁ 〜Ｐ₆ の座標を（エネルギー，注入量）でそれぞれ表すと、Ｐ₁ （５，０．８）、Ｐ₂ （５，１．５）、Ｐ₃ （１０，２．５）、Ｐ₄ （１５，３．０）、Ｐ₅ （１５，２．０）およびＰ₆ （１０，１．６）の６点間を直線で結んで囲まれる範囲内にある条件で炭素イオン４０を注入する。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部２は、下部突起３と上部突起４とで構成されている。上部突起４を含む先端突起部２の少なくとも一部には、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 （もっと読む）