【課題】面発光型蛍光発光装置において、十分な電子放出効率が得られる陰極の製造方法および構造を提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンからなる電極層１の上に、Ｒｕ又はＹを構成材料とし電子放出層よりも小さい抵抗率を有する導電性の第２の層２を、スパッタにより１ｎｍから２００ｎｍの厚さに成膜し、第２の層２の上に電子放出層として、仕事関数が第２の層２の金属よりも小さく、且つ３．６ｅＶ以下の希土類材料からなる層をリアクティブスパッタにより１原子層から１０ｎｍの間の膜厚に積層形成する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いてエッチングを行うときに、素子特性に悪影響を及ぼすことのない電界放出陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板１上に絶縁層２と、ゲート電極層３と、加熱によりＨｖ９５〜１４０の範囲のビッカース硬度を発現する熱硬化性樹脂からなる犠牲層４とをこの順に形成し、犠牲層４を１８０〜２１０℃の温度に所定時間保持して硬化させる。（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。（ｃ）犠牲層４とゲート電極層３とをマスクとして絶縁層２をエッチングして空孔部６を形成する。（ｄ）基板１に対して垂直上方からエミッタ材料７を蒸着させ、空孔部６内の基板１上にエミッタ電極８を形成する。（ｅ）エミッタ材料７を犠牲層４と共にゲート電極層３上から除去する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程である程度の面積を一度に加工することが可能な冷陰極電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上にカソード電極２と絶縁層４とゲート電極５を重ね、互いに溶け合わないポリマーＡ，Ｂを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。溶媒を蒸発させてポリマーＢ中にポリマーＡを微粒子状に析出させて固定化し、現像液でポリマーＡを除去してエッチングホール９を形成し、エッチングを行なってゲート電極にホール６を形成する。さらにホール６からエッチングして絶縁層にもホールを形成し、ホール内にエミッタを形成して冷陰極電子源１０とする。 （もっと読む）

【課題】 安価で大面積の基板を用い、生産性を向上させることが可能な工程により、電
界放出表示装置の電界放出素子を形成する技術を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカ
ソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カ
ソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放
出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】性能の高いＣｕ_２Ｏ円錐状突起からなる電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出型電子源として、Ｃｕ_２Ｏ円錐状突起体を用いる。この円錐状突起体は、突起体先端の曲率半径ρが１５〜２００ｎｍ、開き角θが５〜６０degであることが望ましく、突起体先端の曲率半径ρが２０〜７０ｎｍ、開き角θが１０〜３０degであることがさらに望ましい。また、円錐状突起の長さｌと曲率半径ρの比ｌ／ρ＞１５が望ましい。また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したＣｕワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からＡｒイオンを照射して、チップの先端にＣｕ_２Ｏ円錐状突起を形成することを特徴とするものである。この発明において、Ｃｕワイヤとして予め機械研磨または電解研磨が施されたものを用いることができる。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
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【課題】応答速度、寿命、均一性、蛍光強度のうち少なくとも１つを克服した電子放出装置を提供する。
【解決手段】電界効果型の電子放出装置であって、細孔の配列を有する絶縁層と、各細孔は少なくとも１つの細孔より短いナノワイヤによる電子エミッタを有することと、及び／または各細孔は複数のナノワイヤによる電子エミッタを有することと、を備える電子放出装置が開示される。電子エミッタアレイの製造方法もまた開示される。電界効果型の電子放出装置は表示装置の中で使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 電子収束に優れたゲート電極と収束電極とが同一平面に形成されたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】 本発明のカソード基板は、基板上に形成されたカソード電極と、絶縁層と、エミッタと、２以上のゲートホールが形成されたゲート電極と、該ゲート電極と同一平面に形成された収束電極とを備えたカソード基板において、各ゲート電極は、他の２つのゲート電極とそれぞれの端部で接続され、収束電極は、該端部以外の各ゲート電極の周囲を包囲するように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小なホール径のホールを形成する。
【解決手段】スピント型電界放出素子の製造方法は、絶縁基板上にカソード電極層を形成する工程と、カソード電極層を含む絶縁基板上に絶縁層とゲート電極層を順次積層させて形成する工程と、レジストとナノサイズのパーティクルからなるマスク層を形成する工程と、マスク層にイオンを照射し表面を酸化させる工程と、マスク層からナノサイズのパーティクルを薬液処理により除去し、レジストに微小なホールパターンを形成する工程と、微小なホールパターンからゲート電極と絶縁層をエッチングしてゲート電極とホールを形成する工程と、レジストを除去する工程と、ゲート電極の表面に剥離層を形成する工程と、ホール内に向けてエミッタ材料を蒸着することによってホール内にエミッタを形成する工程と、剥離層を除去することにより、この剥離層上に被着したエミッタ材料を除去する工程とからなる。 （もっと読む）

本発明は、関与部（５）を有しており、微細構造素子（１）の一つの面上で開口している少なくとも一つのキャビティ（４）の内部を保護するための方法に関している。ここで、前記微細構造素子は、前記面上で保護物質の非コンフォーマル層（６）の堆積を備えており、前記非コンフォーマル層は前記関与部を覆うことなくキャビティをふさぐ。本発明は、そのような微細構造素子を備えた素子を製造する方法にも関している。
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【課題】本発明は、電子放出素子及びその製造方法に関し、特にカーボンナノチューブを利用する電子放出素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は先端を有する導電基材と、第一端部及び第二端部を有するカーボンナノチューブと、金属膜と、を含む。前記カーボンナノチューブの第一端部は前記導電基材の前記先端に接続され、前記カーボンナノチューブの第二端部は前記導電基材の前記先端から延伸する。前記金属膜はカーボンナノチューブの表面及び、前記カーボンナノチューブに隣接する前記導電基材の前記先端の一部に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明はＦＥＤに好適な放出開始電圧の低い電子放出源としての円錐状構造物およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に―１２０Ｖを超え―５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。本発明によればＦＥＤに好適な放出開始電圧の低い電子放出源としての円錐状構造物およびその製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低コスト化が可能なスピント型エミッタを形成できる冷電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にエミッタ電極２を形成し、エミッタ電極２上の所定範囲にアモルファスシリコン層３を形成し、エミッタ電極２の表面上にアモルファスシリコン層３の表面とその表面とが連続する平坦な面となるように絶縁層５を形成し、絶縁層５及びアモルファスシリコン層３の各表面に導電層６とエッチングマスク層７とを順次積層し、アモルファスシリコン層３の表面が露出するように導電層６及びエッチングマスク層７をリング状にエッチングし、露出したアモルファスシリコン層３を等方的にエッチングし、アモルファスシリコン層３の表面近傍部を変質させて変質部とし、変質部、エッチングマスク層７、及びアモルファスシリコン層３上の導電層６を除去すると共に、アモルファスシリコン層３を略円錐形状のエミッタ１０とする。 （もっと読む）

ニオブをフッ化水素酸（ＨＦ）（水性）などの電解液の存在下で陽極酸化することにより、ナノサイズの先端をもつ自己組織化した酸化ニオブのナノコーンを製造する。形成される素材ナノ構造体の寸法および統合性は、電位、温度、電解液濃度および陽極酸化時間に強く依存する。したがって、形成された酸化ニオブのナノ構造体の形態、トポロジー、均一性および生物活性は、これらの陽極酸化パラメーターを調整することによって容易に調整できる。生物活性形態の結晶性酸化ニオブは、ＨＦおよび少なくとも１種類の塩、たとえばＮａ_２ＳＯ_４またはＮａＦを含む電解液の存在下で金属ニオブを陽極酸化することにより形成される。金属ニオブをＨＦ（水性）の存在下で陽極酸化することにより形成される生物活性酸化ニオブの特性の１つは、それがヒドロキシルアパタイトと反応する能力である。
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【課題】 製作が容易で、ばらつきが少ない表示性能を有し、かつ大面積表示も可能とすると共に、ゲート電極層の変形もない冷陰極表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】 下部基板、カソード電極層、１つ又は複数の貫通孔からなる空洞が設けられた絶縁層、この貫通孔のそれぞれの内部に均一に設けられた複数のエミッタ、複数のエミッタの個々の少なくとも上方位置にエミッタホールを有するメッシュ構造のゲート電極からなり、絶縁層の一部がゲート電極を支持している。貫通孔を等方性エッチングにより形成する。 （もっと読む）

電解放出装置（1）は、例えば電解放出型ディスプレイ（FED）において電子放出の際に利用される。電解放出先端部（40）は、電解放出装置（1）の電子放出に用いられる。電解放出装置（1）の作動中、電解放出先端部（40）に電気的に接続された第1の電極（4）と、第2の電極（34）の間に電圧が印加されると、電解放出先端部（40）は、電子を放出する。電解放出先端部（40）を構成するため、第1の電極（4）が提供された基板（2）には、液体材料の層が設置される。液体材料の層は、パターン化されたスタンプによってエンボス加工された後に硬化処理され、電解放出先端構造部（20）が形成される。電解放出先端構造部（20）上には、導電性薄膜（38）が設置され、第1の電極（4）と電気的に接続された電解放出先端部（40）が形成される。
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この発明は、高周波化と高出力化の両立が図られた冷陰極電子源と、これを用いたマイクロ波管及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る冷陰極電子源においては、アスペクト比Ｒが４以上となるようにエミッタ（２４）の先端が先鋭化されているため、ゲート電極（１６）から遠ざかった分だけ、エミッタ（２４）とゲート電極（１６）と間の静電容量が小さくなっている。そのため、冷陰極電子は高周波に対応することが可能である。なお、この冷陰極電子源の陰極材料には、タングステンやシリコン等の従来の陰極材料ではなく、融点と熱伝導率の高いダイヤモンドが用いられている。そのため、エミッタ（２４）内を流れる電流の電流密度が高い場合であってもエミッタ（２４）が溶融しにくいので、この冷陰極電子源は高出力に対応することが可能である。
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【課題】 電子放出閾値の低い、高出力、長寿命の冷陰極型電子源による発光・表示デバイスを提供する。
【解決手段】 アルゴン、ヘリウム等の希ガス、水素の単独またはこれらの混合希釈ガスを用いて、０．００１〜７６０Ｔｏｒｒの圧力のもとで、希釈ガスに対して、０．０００１〜１００体積％のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入した雰囲気中にて、プラズマを発生し、あるいは発生せずして、室温〜１３００℃に保持した電子放出素子基板に紫外光を照射することにより、ＢＮで示されｓｐ³結合性ＢＮ、またはこれとｓｐ²結合性ＢＮとの混合物からなる材料を含み、電圧を印加することによって大気中で安定に電子放出する先端の尖った表面形状を自己造形的に形成し、反応終了後、生成物を基板ごと取出し、冷陰極型発光・表示デバイスにおける電界電子放出電子源として組み立てる。 （もっと読む）

【課題】 大気中でも安定に作動する電子放出素子とその製造方法、および、前記素子を使用した電界電子の放出方法を実現する。
【解決手段】 アルゴン、ヘリウム等の希ガス、水素の単独またはこれらの混合希釈ガスを用いて、０．００１〜７６０Ｔｏｒｒの圧力のもとで、希釈ガスに対して、０．０００１〜１００体積％のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入した雰囲気中にて、プラズマを発生し、あるいは発生せずして、室温〜１３００℃に保持した電子放出素子基板に紫外光を照射することにより、ＢＮで示されｓｐ³結合性ＢＮ、またはこれとｓｐ²結合性ＢＮとの混合物からなる材料を含み、電圧を印加することによって大気中で安定に電子放出する先端の尖った表面形状を自己造形的に形成し、基板を回収する。 （もっと読む）

【課題】 量産製造することに好適な電界放出型電子放出素子、電界放出型電子放出素子の製造方法及び電界放出型電子放出素子の製造方法に用いるエッチング液を提供する。
【解決手段】 酸化剤と反応しても水易溶性とはならない金属をゲート電極１０４として積層する。酸化剤と反応し、水易溶性の酸化物を形成する金属が電子放出材料としてゲート電極１１０側から蒸着されることによって、キャビティ１１４内に電子放出材料をエミッタ電極１１６として堆積する。ゲート電極１１０と、不要な電子放出材料１１８との溶解比が１対１０以上のエッチング液１６０中に電界放出型電子放出素子１００を浸した状態で、エミッタ電極１１６に防食電位を印加することによって、エミッタ電極１１６の溶解を抑制するとともに、不要な電子放出材料１１８を溶解し、除去する。 （もっと読む）