【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して９重量パーセント未満を占めるペースト使用し、電子電界エミッタを形成し、材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、その後、材料を剥離して、電子電界エミッタの新たな表面を形成する電子電界エミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】 固形分の総重量に対して９重量％未満、好ましくは０．０１から２重量％のカーボンナノチューブを含むペースト、或いは、０．０１から６．０重量％のカーボンナノチューブ、４０〜７５重量％の銀微粒子及び３〜１５重量％のガラスフリットを含むペーストを用いて、電子電界エミッタを形成し、材料を電子電界エミッタに密着接触し、その後、剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは前記電子電界エミッタを再配列させ、前記電子電界エミッタの新たな表面を形成し、カーボンナノチューブで構成される電子電界エミッタを製造することを特徴とする方法 （もっと読む）

【課題】冷陰極電界電子放出素子を製造するときの絶縁層における開口部を出来る限り均一に形成し得る方法を含む冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体１０上にカソード電極１１、絶縁層１２を形成し、次いで、コア部４１及びシェル部４２を有する多数の球状部材４０を絶縁層１２上に配置した後、シェル部４２を除去し、次に、コア部４１を含む絶縁層１２上にゲート電極を形成した後、コア部４１を除去して絶縁層１２の一部を露出させ、次いで、露出した絶縁層１２の部分を除去して開口部を形成して、開口部の底部にカソード電極を露出させた後、開口部の底部に露出したカソード電極の部分に電子放出部を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】 ナノ繊維を含む電界電子放出材料を用いて、良好な起毛処理を行うことにより、電子放出能力の高い電界電子放出源を製造すること。
【解決手段】 カーボンナノツイストを含む電界電子放出材料１０３を陰極基板１００表面に形成し、陰極基板１００の表面に０．１ａｔｍから２ａｔｍの圧力範囲で発生させた大気圧プラズマ２６１を照射して、電界電子放出材料１０３に含まれるカーボンナノツイストの起毛処理を行い、電子放出能力を向上させた電界電子放出源を製造する。 （もっと読む）

【課題】電界集中度を大きく劣化させることなく簡単な方法で形成できるとともに、先鋭かつ均一性が高く、しかも機械的強度の大きい電界放出型の電子放出素子、およびこれを備えた平面表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子２２は、基板１２と、基板上に設けられたカソード電極２４と、絶縁体あるいは半導体により基板上に形成されているとともに、基板の表面に対しある角度を持って起立した側壁３１を有する支持体３０と、支持体の側壁上に形成されたエミッタ３４と、エミッタエッジ部に電圧を印加するゲート電極２８と、を有している。エミッタは、カソード電極に電気的に接続された接続部と、基板と反対側に位置したエミッタエッジ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】 電子収束に優れたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１、２以上のゲートホール５が形成されたゲートホール領域７を有するゲート電極６、絶縁層２及びエミッタ４を少なくとも備えたカソード基板において、エミッタ４とゲート電極６との間で形成される等電位面が、エミッタから放出された電子を収束する凸面となるようにゲート電極及びエミッタのうち少なくとも１つを構成する。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）のようなナノ粒子を用いる電界放出デバイスにおいて使用するためのカソードを形成するための方法が、開示される。ＣＮＴ層は、カソードの表面上に、電界放出材料を含有する。本発明の方法を使用して、被覆されたＣＮＴの密度は、このカソードの表面上に島状電界放出領域を形成することによって、調節され得る。ＣＮＴ島状電界放出領域の大きさおよび分布は、得られるＣＮＴ層の電界放出特性を最適にするように働く。１つの実施形態において、ＣＮ島状電界放出領域は、スクリーン印刷被覆方法を使用して、形成される。本発明は、被覆後に、電界放出のためにカーボンナノチューブを活性化または整列させるためのさらなるプロセスなしで、実施され得る。
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【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】画素別の電子放出均一度を向上させることができる電子放出素子、この電子放出素子を含む電子放出表示装置およびこの電子放出表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、カソード電極１４と；カソード電極１４と絶縁されて位置するゲート電極２８と；電子放出部２０と；カソード電極１４と電子放出部２０とに電気的に連結される抵抗層２２とを含み、抵抗層２２は、金属酸化物または金属窒化物から形成される電子放出素子１０４を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの広がりを抑制するとともに，画素ごとの電子放出性の均一度を向上して画面品質を高めることができる電子放出素子，および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の間隔を置いて対向配置される第１基板２および第２基板４と；第１基板２上に，第１基板２の一方向に沿って形成される主電極６１，および主電極６１と所定の間隔をおいて配置される複数の隔離電極６２を含むカソード電極６と；隔離電極６２上に形成される電子放出部１２と；主電極６１と隔離電極６２を連結し，電子放出部１２の側面に位置する抵抗層１４と；カソード電極６および抵抗層１４の上部に形成される絶縁層８上に形成されるゲート電極１０と；を含む。 （もっと読む）

【課題】 電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、基板の上面に形成され所定の高さのカソードホール（２１２）が形成されたカソード電極（１１２）と、カソード電極（１１２）の上面に形成されるものであって、カソードホール（２１２）より小さな直径を有する第１貫通孔（２１３）が形成された物質層（１１３）と、物質層（１１３）の上面に形成されるものであって、第１キャビティ（２１４）が形成された第１絶縁層（１１４）と、第１絶縁層（１１４）の上面に形成されるものであって、第２貫通孔（２１６）が形成されたゲート電極（１１６）と、カソードホール（２１２）の中心部に形成されるエミッタ（１３０）と、を備える電界放出素子。 （もっと読む）

実質的に強化された電界放出特性が、ＣＮＴの表面を非接着性材料（例えば、紙、八歩シートまたはローラー）で覆う工程、特定の力を使用してその材料をプレスする工程、およびその材料を除去する工程からなるプロセスを使用することによって、達成される。この方法は、テーピングプロセスと比較して、ＣＮＴのずっと良い電界放出特性が達成された。このプロセスは以下の利点を有する：プロセスが非常に簡便かつ低コストである；このプロセスは、非常に大きな領域で、非常に良い均一性で行われ得る；プロセス後に残渣が基板上に残存しない。
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