【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子引き出し電極と、二次電子放出層と、陰極板と、電界放出ユニットと、を含む。前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。前記陰極板の少なくとも一部が前記二次電子放出層と対向する。前記陰極板は、少なくとも一つの電子放出部を含む。前記電界放出ユニットは、前記陰極板の前記二次電子放出層と対向する一部表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 寸法が１００μｍ未満の三極管を製造する際に、全面スクリーン印刷で達成できる精度および解像度の限度があるのを解消するとともに、電気的な短絡の防止、多層形成時の異なるスクリーンの位置合わせ精度の低下などの問題を解決すること。
【解決手段】 ゲート三極管には、フィールドエミッタの陰極と陽極との間に物理的なゲート電極があり、反転ゲート三極管には、ゲートと陽極との間に物理的なフィールドエミッタ陰極がある。微粒子の形で銀または誘電体に加えて、少量の低融点ガラスフリットが光重合開始剤および光モノマーなどの光画像形成型成分を含む有機媒体中に含有されているＦｏｄｅｌ(R)銀および誘電体ペースト組成物（それぞれＤＣ２０６およびＤＧ２０１など）などの光画像形成型の厚いフィルム配合物を均一な層を厚さを調節しながら基板にスクリーン印刷し、所望のパターンを含む接触型フォトマスクをフィルムと相互に接触させて配置し、紫外（ＵＶ）線に暴露する。次に、このフィルムを弱い炭酸ナトリウム水溶液中にて現像し、これらのスクリーン印刷された厚いフィルムに光画像形成処理を施す光画像形成型の厚膜法により１０μｍと小さい造作寸法を達成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出性能を向上可能な電子放出素子、及び、そのような電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基材３と、基材３の端部３ａに設けられた突起５と、突起５の表面に設けられ導電性を有する導電性皮膜７と、を備え、突起５は、一辺が１０００μｍである立方体内に収容可能な形状を有し、突起５の先端部５ｂの表面は露出しており、導電性皮膜７の厚さは、突起５の基端部５ａから先端部５ｂへ向かう方向に連続的に減少している。 （もっと読む）

【課題】 安価で大面積の基板を用い、生産性を向上させることが可能な工程により、電
界放出表示装置の電界放出素子を形成する技術を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカ
ソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カ
ソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放
出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】取付易く、耐用寿命が長い電子ビーム源を提案する。
【解決手段】ビーム電子源は、ベースと、ベースに固定され、ベースから離れて延在するチップし、第１材料からなる表面および第２材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、第２材料がチップの表面を提供するチップと、被覆層に電気的に接続された第１電気端子と、チップに向かい合う間隙を有する抽出電極と、抽出電極に電気的に接続された第２電気端子とを備える。第１材料の電気伝導率が、１０^５Ｓ／ｍ、１０^３Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍまたは１０^−７Ｓ／ｍよりも低いか、第２材料の電気伝導率が、１０^−７Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^２Ｓ／ｍ、１０^４Ｓ／ｍまたは１０^６Ｓ／ｍよりも高いか、第２材料と第１材料の電気伝導率との比率が、１０：１、１００：１、１０^４、１０^６または１０^８よりも大きいかの少なくとも１つの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】現実的に作製可能な構造原理をもってエミッタから放出される電子ビームを十分に集束する機能を呈することができる集束電極一体型電界放出素子提案する。
【解決手段】基板10上に、先端11tpが先鋭な電子放出端となっているエミッタ11と、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する絶縁膜12と、この絶縁膜12上に形成され、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する引き出しゲート電極13を形成し、引き出しゲート電極13上には集束電極積層構造20を形成する。集束電極積層構造20は、一層の絶縁膜25，26，27，28と、その上に形成された一層の集束電極21，22，23，24とを単位積層段として、この単位積層段を基板10の鉛直方向に沿って少なくとも四段積層して構成される。最下段に位置する単位積層段の絶縁膜25は引き出しゲート電極13の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の絶縁膜25，26，27，28及び集束電極21，22，23，24には、エミッタ先端11tpを露呈する開口を開ける。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
（もっと読む）

【課題】エミッタの低閾値電界化、高電流密度化、大面積化、安定化、長寿命化、および、低価格化を実現可能とする素材を提供すること。
【解決手段】 ナノスケールのシリコン微細針状突起群が形成された基板であって、当該シリコン微細針状突起の先端には略球状の炭素系微粒子が形成されている電界電子放出用素材である。ここで、炭素系微粒子がダイヤモンドを主成分とする微粒子であることが好ましく、これは、メタンガスプラズマＣＶＤにより形成できる。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を要することなく、電子放出特性が良好でありかつ長寿命の電界放出型電子源を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ１８の形成後に少なくともエミッタ１８の先端部に炭素イオン４０を注入するイオン注入工程を備えている。この炭素イオン４０のエネルギー（単位はｋｅＶ）を一方の軸、注入量（単位は×１０¹⁷ｉｏｎｓ／ｃｍ² ）を他方の軸とする直交座標上の点Ｐ₁ 〜Ｐ₆ の座標を（エネルギー，注入量）でそれぞれ表すと、Ｐ₁ （５，０．８）、Ｐ₂ （５，１．５）、Ｐ₃ （１０，２．５）、Ｐ₄ （１５，３．０）、Ｐ₅ （１５，２．０）およびＰ₆ （１０，１．６）の６点間を直線で結んで囲まれる範囲内にある条件で炭素イオン４０を注入する。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】電界放出ディスプレイの三極管構造の製法を提供する。
【解決手段】マトリクスに配列された複数の陰極層は、陰極層を被覆して形成される。複数の縦延伸したゲートラインは誘電層上に形成され、各ゲート層は陰極層の２つの隣接した列間に設置される。 （もっと読む）

【課題】 低温工程で作製することができ、それでいて熱酸化工程による場合に匹敵するエミッタ先鋭化効果が得られる、新たなる原理工程に従う電界放出素子用エミッタ作製方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層12上に所定形状のマスク13を形成する。このマスク13を用いてシリコン層12をエッチングし、マスク13の裏面に接する頂部の径φtが最も小さくなる塔状突起部14を形成する。先鋭化準備工程として、マスク13を除去した後に現れる塔状突起部14の頂部をエッチングし、当該頂部に角度θaを付ける。その後、塔状突起部14の頂部をさらにエッチングし、角度θaをさらに鋭くして、先端が先鋭となったエミッタ15を得る。 （もっと読む）

【課題】エミッタ層を損傷させることなく露出させることができる電界電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エミッタ層３上に所定のエッチング条件におけるエッチング速度が異なる２種類以上の物質の緩衝層４を形成する。次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。その後、層間絶縁膜５を貫通する貫通孔１０２を形成した後、２種類以上の物質のうちの少なくとも１種の物質を含む残留物１０３が残存するように、緩衝層４をエッチングする。次に、エミッタ層３から残留物１０３を引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの電界放出に関する物性を改善した、カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】本願発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、ＺｎＯの突起物を有するカーボンナノチューブの製造方法であって、基板を形成する工程、上記基板の表面にカーボンナノチューブを成長させる工程、上記カーボンナノチューブにＺｎＯを絶縁保護コーティングする工程、ＺｎＯでコーティングされた上記カーボンナノチューブをアニールする工程、上記アニールによって、カーボンナノチューブの表面にＺｎＯの突起物を形成する工程を含む製造方法である。
【効果】ＺｎＯの突起物がカーボンナノチューブ上に形成されることによって、カーボンナノチューブの電界増幅係数を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】低コスト化が可能なスピント型エミッタを形成できる冷電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にエミッタ電極２を形成し、エミッタ電極２上の所定範囲にアモルファスシリコン層３を形成し、エミッタ電極２の表面上にアモルファスシリコン層３の表面とその表面とが連続する平坦な面となるように絶縁層５を形成し、絶縁層５及びアモルファスシリコン層３の各表面に導電層６とエッチングマスク層７とを順次積層し、アモルファスシリコン層３の表面が露出するように導電層６及びエッチングマスク層７をリング状にエッチングし、露出したアモルファスシリコン層３を等方的にエッチングし、アモルファスシリコン層３の表面近傍部を変質させて変質部とし、変質部、エッチングマスク層７、及びアモルファスシリコン層３上の導電層６を除去すると共に、アモルファスシリコン層３を略円錐形状のエミッタ１０とする。 （もっと読む）