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Fターム[5C127BB13]の内容

冷陰極の製造 (9,839) | 電界放出型のエミッタ材料 (1,222) | 半導体 (63) | 化合物 (15)

Fターム[5C127BB13]に分類される特許

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【課題】薄いエミッタ材層の一部を起立させてエミッタを作製する際に、基板上に段差を発生させることがなく、もって信頼性の高い電界放出素子を提供できる電界放出素子用エミッタの作製方法を提案する。
【解決手段】基板10上の局所的な部位に、少なくとも周側面の一部が斜面21になった犠牲層丘20を形成する。基板10上及び犠牲層丘20上にエミッタ材層30を形成する。エミッタ材層30のパターニングにより、犠牲層丘20の斜面21に乗っている部分に、先端に電子放出端31を有するエミッタ構成用パタン32を形成する。犠牲層丘20を除去し、エミッタ構成用パタン32の電子放出端31が基板10から浮いた片持ち梁構造を作る。片持ち梁構造を基板に垂直な方向に向けて起立させてエミッタとする。 (もっと読む)


【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料P1の試料表面にナノダイヤモンド微粒子P2を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸P3を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 (もっと読む)


【課題】低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、H・、CH・、C・、CH・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して1000倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ディスプレイ及び高効率ランプ分野に適用可能な電界放出素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、基板とアノードが具備され、ディスプレイ分野と高効率ランプに使用する電界放出素子の製造方法において、基板の上部に金属触媒をコーティングする段階と;前記金属触媒をシリコンと反応させて金属シリサイド層を形成する段階と;前記金属シリサイド層の上に金属拡散でシリサイドナノワイヤーを成長させる段階;とを含んでなる。本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子放出素子の製造方法、電子放出素子及び電子放出素子を備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板上で一方向に沿って互いに距離をおいて離隔配置された複数の第1電極と、前記一方向に沿って前記第1電極の間に配置される複数の第2電極を平行に交互に形成し、隣接する前記第1電極と前記第2電極の間で電子放出層を形成し、前記電子放出層の一部を除去して電子放出層間にピッチを形成する電子放出素子の製造方法及び当該製造方法で製造された電子放出素子である。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブ及びカーバイド誘導炭素を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源及びその製造方法、並びに該電子放出源を採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素ナノチューブと、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有ガスと熱化学反応させて、カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源の製造方法、その方法によって製造された電子放出源及び電子放出源を採用した電子放出素子。これにより、炭素ナノチューブとカーバイド誘導炭素が混成複合化されることによって、多量の炭素ナノチューブの使用時に発生するスクリーン効果を防止できて、電子放出能力が優秀なだけでなく、均一性に優れて長寿命の電子放出源を提供できる。 (もっと読む)


【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板11上に、粒子からなるバリア層12を形成する。次にバリア層12上に例えばCVD装置によって炭素から形成された電子放出膜13を形成する。バリア層12を形成することによって反応性の高い炭素が基板11に拡散することを防ぐことができる。従って、良好な電子放出特性を有する電子放出膜13を形成することができ、電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】電子放出源、電子放出源形成用組成物、前記電子放出源の製造方法、および前記電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素系物質と、下記化学式(1)等で表されるシリコン系物質からなる群より選択される少なくとも1種のシリコン系物質を、硬化および熱処理した後の結果物と、を含む電子放出源、電子放出源形成用組成物、前記電子放出源の製造方法、および該電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
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【課題】輝度バラツキと劣化速度を減少させることのできる、均一な高さの電子放出素子と、この電子放出素子を用いて、電子放出効率が良く、高画質、高解像度で耐久性のある電界放出型ディスプレイを提供する。
【解決手段】好ましくは平均直径1〜10nmの微細孔を表面上に有し、その微細孔に触媒を担持した母微小体(A)と、母微小体(A)上の触媒から成長した繊維状炭素材料(B)とから構成されてなる電子放出素子用の微小体(C)。また、この微小体(C)の層を、好ましくは単層に、電子放出電極上に形成した電子放出素子。さらに、この微小体(C)を含有するインク組成物、並びにこの電子放出素子を具備した画像表示装置。 (もっと読む)


【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電界放出現象を利用しつつ簡便なプロセスで作製できるモジュールを提供し、発光デバイスとしてディスプレイのみならず広範囲な分野において活用を図ることを目的とするものである。特に、高効率電子放出特性を有し、長寿命を持つエミッタ材料を提供し、また、低温で再現性に優れたエミッタ加工プロセスも提供する。
【解決手段】透明導電ガラス及び有機蛍光体薄膜からなるアノード基板と、半導体基板及び電界電子放出材料薄膜からなるカソード基板と、アノード基板とカソード基板とを対向して配設させ、基板間の空隙を高真空雰囲気に保持させるスペーサと、アノード基板とカソード基板と間に電界を印加させる電圧印加回路とを有し、基板間の空隙を真空チャネル領域として、基板間に電界を印加することにより電界電子放出材料薄膜からの電子を有機蛍光体薄膜に注入させて発光させることを特徴とする電界放出発光デバイス。 (もっと読む)


微粒子、有機材料、非有機材料、または溶媒と混合されていることがある、または混合されていないことがあるカーボンナノチューブが、基板上に堆積されて、冷陰極を形成する。カーボンナノチューブ混合物の堆積は、インクジェット印刷プロセスまたはスクリーン印刷プロセスを使用して行われることがある。
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物体あるいは基板上にナノ構造を含む材料を堆積させるための方法は、(1)ナノ構造を含む材料の溶液あるいは懸濁液を形成する工程と、(2)前記溶液に選択的に「チャージャ」を追加する工程と、(3)前記溶液に複数の電極を浸す工程であって、前記ナノ構造の材料が堆積することになる前記基板あるいは物体が前記複数の電極の1つとして作用する工程と、(4)前記2つの電極間に所定期間直流および/又は交流を印加することによって前記溶液中の前記ナノ構造の材料を前記基板電極に向かって移動させて付着させる工程と、(5)前記コーティングされた基板のその後のオープションの処理工程と、のうちの1つ以上の工程を含む。関連する物体とデバイスもまた提供される。ナノ構造の特性および/又は幾何学的形状に基づいてナノ構造を分離する方法もまた記載される。
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【課題】ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるSiベースの物質層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたSiベースの物質層である。また、Siベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むSiベースの物質層の製造方法である。 (もっと読む)


基板上にナノ構造材料のパターニングされたコーティングを成膜する方法は、(1)前記ナノ構造材料を含む溶液又は懸濁液を形成する工程;(2)前記基板の少なくとも1つの表面の一部にマスクを形成する工程;(3)前記溶液中に電極を浸す工程であって、その上に前記電極の1つとして機能する前記ナノ構造材料が成膜されるか又は少なくとも前記電極の1つに電気的に接続される工程;(4)前記2つの電極の間に所定の期間の間、直流電流電界及び/又は交流電流電界を印加し、それによって前記溶液中のナノ構造材料を前記基板電極に向けて移動させて付着させる工程;(5)その後の随意的な処理を行う工程、を含む。
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