【課題】基板１上に順次積層された第一の絶縁材料層３ａと第二の絶縁材料層３ｂで構成された段差形成部材４の上面にゲート７を有し、第一の絶縁材料層３ａの側面部２０に先端がゲート７に対向するカソード８が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード８の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層３ａの側面部２０の上端から高さ方向中間部までの上段側面部２１の傾斜角θ１を８０度乃至９０度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部２２の傾斜角θ２が８０度より小さく、しかも上段側面部２１の高さＴ１を５乃至１５ｎｍとした側面部２０に対して、カソード８の構成材料を基板１の表面に対する垂直方向から供給してカソード８を形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】電子源を駆動するための電圧を印加するゲート−カソード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】表面に凹部を有する絶縁部材と、絶縁部材の表面に、凹部に対向させて配置されたゲート電極と、凹部の縁に配置され、ゲート電極に向けて突起する突起部分を有するカソードと、を含む電子放出素子の製造方法であって、凹部を設ける工程と、凹部の縁にゲート電極に向けて突起する凸部を設けた後にカソードを設ける工程と、をこの順で実施することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、冷陰極の表面処理方法に関する。
【解決手段】本発明の冷陰極の表面処理方法は、複数の一次元のフィールド・エミッターを含む冷陰極を形成させる第一ステップと、液体の接着剤を前記冷陰極の表面に塗布する第二ステップと、前記冷陰極の表面に塗布された液体の接着剤を固化させる第三ステップと、前記固化された接着剤を、前記冷陰極の表面から除去して、前記複数の一次元のフィールド・エミッターを前記冷陰極の表面に直立させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の前記上面の上方に電極を設ける第１工程と、第１導電性膜を、前記電極と離間するように前記上面の上から前記側面の上に渡って設ける第２工程と、第２導電性膜を、前記上面の上から前記側面の上に渡って、前記第１導電性膜の上に設ける第３工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、リーク電流の発生を抑えた信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面と該上面と角部を介して接続する側面とを備える絶縁層の上に、前記側面から前記上面にかけて延在し、前記角部の少なくとも一部を覆う、導電性膜を形成し、前記導電性膜に形成された膜密度の差を利用してエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の少なくとも前記側面の上に第１導電性膜を設ける第１工程と、前記上面の上から前記側面の上に渡って、かつ前記第１導電性膜の上に、第２導電性膜を設ける第２工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体粒子を用いた電子放出素子を低温プロセスでかつ大面積に形成する。
【解決手段】単結晶サファイア粒子とこの単結晶粒子にヘテロエピタキシャル成長を通じて形成された角錐形状を有した窒化物系化合物半導体粒子を形成する工程と前記角錐形状の粒子を電極が形成された基板上に配置する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程中の制御パラメータを少なくして、製造手順を簡素化するとともに、容易にコーン・エミッタの分布を制御し得る。
【解決手段】ＢＮ薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する方法であって、基板表面に形成した平坦な表面を持つアモルファスＢＮ薄膜表面に紫外光を照射して、結晶化することを特徴とするコーン・エミッタの形成方法。 （もっと読む）

【課題】電子放出に適した形状の立方晶窒化ホウ素を含む膜の提供。
【解決手段】高い結晶性と充分な膜厚、密着性と、さらに表面に高密度微細突起を持つ立方晶窒化ホウ素を含む膜を用いた、電子放出に優れた膜と電界電子放出体。特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の製造方法、電子放出素子及び電子放出素子を備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板上で一方向に沿って互いに距離をおいて離隔配置された複数の第１電極と、前記一方向に沿って前記第１電極の間に配置される複数の第２電極を平行に交互に形成し、隣接する前記第１電極と前記第２電極の間で電子放出層を形成し、前記電子放出層の一部を除去して電子放出層間にピッチを形成する電子放出素子の製造方法及び当該製造方法で製造された電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】熱による特性変化を起こしにくく、安定した電子放出が可能な電子放出膜を備えた電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子の電子放出膜が、第１材料からなる第１層と、第１材料よりも電気抵抗率の小さい第２材料からなり前記第１層の中に設けられる複数の粒子と、を有する膜である。第１材料が、酸素と窒素とを含む材料である。詳しくは、第１材料が、酸窒化物、窒素がドープされた酸化物、もしくは、酸素がドープされた窒化物である。粒子の粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。電子放出膜の表面が水素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ及びカーバイド誘導炭素を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源及びその製造方法、並びに該電子放出源を採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素ナノチューブと、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有ガスと熱化学反応させて、カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源の製造方法、その方法によって製造された電子放出源及び電子放出源を採用した電子放出素子。これにより、炭素ナノチューブとカーバイド誘導炭素が混成複合化されることによって、多量の炭素ナノチューブの使用時に発生するスクリーン効果を防止できて、電子放出能力が優秀なだけでなく、均一性に優れて長寿命の電子放出源を提供できる。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板１１上に、粒子からなるバリア層１２を形成する。次にバリア層１２上に例えばＣＶＤ装置によって炭素から形成された電子放出膜１３を形成する。バリア層１２を形成することによって反応性の高い炭素が基板１１に拡散することを防ぐことができる。従って、良好な電子放出特性を有する電子放出膜１３を形成することができ、電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は改良された安定性を備える冷電界電子エミッタを提供することである。
【解決手段】安定した冷電界電子エミッタは、エミッタ・ベース材料上にコーティングを形成することによって製造される。コーティングは残留気体の吸着およびイオンの衝撃からエミッタを保護するため、冷電界エミッタは、比較的高い圧力における短期および長期の安定性ならびに適度の角電子放出を示すことができる。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）

【課題】応答速度、寿命、均一性、蛍光強度のうち少なくとも１つを克服した電子放出装置を提供する。
【解決手段】電界効果型の電子放出装置であって、細孔の配列を有する絶縁層と、各細孔は少なくとも１つの細孔より短いナノワイヤによる電子エミッタを有することと、及び／または各細孔は複数のナノワイヤによる電子エミッタを有することと、を備える電子放出装置が開示される。電子エミッタアレイの製造方法もまた開示される。電界効果型の電子放出装置は表示装置の中で使用することができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れ、かつ結晶成長プロセスの条件を操作するだけで指向性に優れるとともに形状が均一な電子放出体を形成可能な針状電子放出体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板温度を５００℃〜６００℃の範囲に設定してから基板の一面上に金属ガリウムを成長させて島状の種結晶体を形成する工程と、基板温度を９５０℃〜１０５０℃の範囲に設定してから前記一面上に窒化ガリウムを成長させて前記種結晶体上に前記一面に対して垂直な柱状結晶体を形成する工程と、基板温度を９５０℃以下にするか、若しくは、窒素源、ガリウム源のいずれか一方または両方の供給量を前記の工程よりも少なくして前記一面上に窒素源とガリウム源を供給することにより、窒化ガリウムを成長させて前記柱状結晶体の先端に先窄み状の先鋭部を形成する工程と、を具備してなることを特徴とする電子放出素子用の針状電子放出体の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 簡易に作成でき、電子放出膜中の金属量を比較的容易に制御することができ、電子放出膜に接する電極等と電子放出膜との密着性が良好な電子放出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 カソード電極と、該カソード電極上に位置する、金属を含む電子放出層と、を備える電子放出素子の製造方法であって、（Ａ）導電性の第１の層と、該第１の層上に位置する第２の層と、該第２の層に接触した、金属を含有する第３の層と、を用意する、第１工程と、（Ｂ）前記第２の層に、前記第３の層から前記金属を拡散させる、第２工程と、を備えることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）