【課題】面発光型蛍光発光装置において、十分な電子放出効率が得られる陰極の製造方法および構造を提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンからなる電極層１の上に、Ｒｕ又はＹを構成材料とし電子放出層よりも小さい抵抗率を有する導電性の第２の層２を、スパッタにより１ｎｍから２００ｎｍの厚さに成膜し、第２の層２の上に電子放出層として、仕事関数が第２の層２の金属よりも小さく、且つ３．６ｅＶ以下の希土類材料からなる層をリアクティブスパッタにより１原子層から１０ｎｍの間の膜厚に積層形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式（１）で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子放出可能で、さらに長寿命の電子放出が得られる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の電子放出材料、無機粉末および有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、無機粉末として鉛を含有しないハンダ粉末を含む電子放出源用ペースト。無機粉末として、さらに導電性金属酸化物やガラス粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生し難いと共に、容易で安価に製造でき、安定かつ良好な量の電子放出が可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に、微粒子の層よりなる電子加速層４を有しており、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧を印加すると、電子加速層４で電子を加速させて、薄膜電極３から電子を放出する。ここで、電子加速層４は、微粒子として絶縁体微粒子５を含み導電微粒子は含まず、かつ、絶縁体微粒子５間にはワックスが存在している。 （もっと読む）

【課題】従来の電子放出素子に比べて格段に電子放出効率に優れた素子特性を有する電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極基板２と薄膜電極５との間に形成された電子加速層８は、球形のシリカ微粒子６を含む第１の微粒子層３と、紡錘形の酸化チタン微粒子７を含む第２の微粒子層４とが積層されてなる積層構造を有し、第１の微粒子層３が電極基板２側に、第２の微粒子層４が薄膜電極５側に位置する。上記シリカ微粒子６及び酸化チタン微粒子７の各微粒子表面には、塩基性分散剤が付着している。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって連続して駆動できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記開口部を挟んで第１電極と対向するとともに、その一部が前記絶縁層と重なるように配置された第２電極と、第１及び第２電極と前記絶縁層との間に配置され、絶縁性微粒子及び導電性微粒子で構成された微粒子層と、を備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記微粒子層で加速させて第２電極を透過するように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が抑制され、電子放出の効率が高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁性微粒子で構成された絶縁性微粒子層と、前記絶縁性微粒子層上に形成された第２電極とを備え、前記絶縁性微粒子が単分散微粒子であり、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記絶縁性微粒子層で加速させて第２電極から放出させるように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】適度な電圧の印加により十分な電子放出量が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁体微粒子で構成された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、前記絶縁体微粒子層は、第２電極側の表面に前記絶縁体微粒子層の層厚よりも深さが小さい凹部が形成され、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて第２電極から放出させる電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されている。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得られる不純物で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】素子作成工程が単純であり、機械的、電気的に安定な冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明は、SiC結晶基板の上に金属膜を堆積させ、加熱処理し、SiCと金属を反応させて形成した金属シリサイドと、この反応プロセスでSiCとの反応にあずからないカーボンをグラファイト状クラスターとして金属シリサイド内或いは最表面層に析出させて作成した表層構造物からなり、この表層構造物を冷陰極電子放出素子として機能させると共に、SiC基板を電極として機能させる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いてエッチングを行うときに、素子特性に悪影響を及ぼすことのない電界放出陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板１上に絶縁層２と、ゲート電極層３と、加熱によりＨｖ９５〜１４０の範囲のビッカース硬度を発現する熱硬化性樹脂からなる犠牲層４とをこの順に形成し、犠牲層４を１８０〜２１０℃の温度に所定時間保持して硬化させる。（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。（ｃ）犠牲層４とゲート電極層３とをマスクとして絶縁層２をエッチングして空孔部６を形成する。（ｄ）基板１に対して垂直上方からエミッタ材料７を蒸着させ、空孔部６内の基板１上にエミッタ電極８を形成する。（ｅ）エミッタ材料７を犠牲層４と共にゲート電極層３上から除去する。 （もっと読む）

【課題】電子放出量を向上させることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を備え、電子加速層４は、電極基板２側から順に、微粒子層５および保護層６を備える。微粒子層５は、絶縁体微粒子７と絶縁体微粒子７の平均粒径よりも小さい平均粒径の導電微粒子８とを含んでおり、保護層６は、電子輸送剤９とバインダー成分１０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】厚膜形成時においてもクラックが発生せず、かつ透明性・耐熱性・平滑性に優れたＦＰＤ部材を、少ない塗工回数で形成可能な材料を提供すること。
【解決手段】（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）下記式（１）で表されるオルガノシランなどと、（Ｃ）有機金属化合物とを含有し、かつ前記有機金属化合物（Ｃ）を、前記シリカ粒子（Ａ）（但し、固形分換算とする。）と前記シラン化合物（Ｂ）（但し、完全加水分解縮合物換算とする。）との合計１００重量部に対して、０．０００１〜１０重量部の範囲で含有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ部材形成材料。
Ｒ¹_nＳｉＲ²_4-n ・・・（１） （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される、量産性に優れ入手の容易な遷移金属炭化物を用いた高輝度電子源を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される電子源であって、電子放出部分は表層部と基材部からなり、該表層部は遷移金属炭化物であり、該基材部はダイヤモンド単結晶であることを特徴とする電子源により解決される。 （もっと読む）

本発明は、電気化学セルを用いる、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）の基板上への電気化学堆積に関する。ＣＮＴの錯体およびアニオン性ポリマーの分散体を中和し、これにより、セルの陽極プレート上に堆積させる。
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【課題】従来の電子放出素子よりも少ない工程で製造され、単位面積あたり均一に電子を放出する電子放出素子を提供する。
【解決手段】長さ３μｍを超える金属酸化物からなる突起形状が、金属酸化物面上の１ｍｍ×１ｍｍの面積あたり５〜１０００００個の密度で存在し、かつ長さ３μｍを超える金属酸化物からなる任意の突起形状１００個の和平均長さをχ、標準偏差をσとした場合、χ≧５μｍ、かつχ＋σ／２以上の長さを持つ突起形状の最大長さをＬ_max 、最小長さをＬ_min とした場合、１≧Ｌ_min ／Ｌ_max ≧１／３であることを特徴とする金属酸化物からなる電界放出型電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層の成膜性を向上しつつ、より良好な特性を実現する。
【解決手段】 誘電体デバイスの製造方法において、以下の工程を有する。（１）混合工程：母材の粉末と、当該母材の焼結のための添加剤の粉末と、を混合する。（２）混合物熱処理工程：前記混合工程を経た、前記母材と前記添加剤との混合物を、熱処理する。（３）成膜層形成工程：前記混合物熱処理工程を経て得られた前記原料粉末を、前記基板に向けて噴射することで、当該基板に成膜層を形成する。（４）成膜層熱処理工程：前記成膜層形成工程を経て前記基板に形成された前記成膜層を熱処理することで、前記基板に前記誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、分散成長したＣＮＦやＧＮＦを有する電子放出源及びその作製方法の提供。
【解決手段】トリガ電極３３と触媒金属で少なくとも先端部が構成されたカソード電極３２とが、絶縁碍子３４を挟んで隣接して配置され、カソード電極３２とトリガ電極３３との周りに同軸状にアノード電極３１が配置されている同軸型真空アーク蒸着源３を備えている同軸型真空アーク蒸着装置２を用い、トリガ電極３３とアノード電極３１との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極３２とアノード電極３１との間にアーク放電を断続的に誘起させることにより基板上に形成された触媒金属からなる触媒粒子を用いて成長させたＣＮＦ又はＧＮＦを有する電子放出源。 （もっと読む）

【課題】小さな電界で大きな放射電流を示す、冷陰極等に用いられる高性能の電極材料、及びその効率的な製造方法、並びに該電極材料を用いた安価で性能の良い電界放射装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。好ましい酸化亜鉛系ウィスカーとしては、アルミニウム添加酸化亜鉛ウィスカーが用いられる。また、大気圧開放型のＣＶＤ装置を使用し、導電性繊維に直接通電加熱することによって繊維表面にウィスカーを成長させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０と、基板１１０上に形成されるものであり、基板１１０を露出させるスロット状のカソードホール１１３を持つ複数のカソード電極１１２と、カソードホール１１３それぞれを通じて露出された基板１１０上に設けられるものであり、カソードホール１１３の両側から離隔してカソードホール１１３の長手方向に沿って形成されるエミッタ１３０と、カソード電極１１２を覆うように基板１１０上に形成されるものであり、カソードホール１１３と連通する絶縁層ホール１１５を持つ絶縁層１１４と、絶縁層１１４上に形成されるものであり、絶縁層ホール１１５と連通するゲートホール１１７を持つ複数のゲート電極１１６と、を備える電界放出素子。 （もっと読む）