【課題】絶縁破壊が発生し難いと共に、容易で安価に製造でき、安定かつ良好な量の電子放出が可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に、微粒子の層よりなる電子加速層４を有しており、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧を印加すると、電子加速層４で電子を加速させて、薄膜電極３から電子を放出する。ここで、電子加速層４は、微粒子として絶縁体微粒子５を含み導電微粒子は含まず、かつ、絶縁体微粒子５間にはワックスが存在している。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が抑制され、電子放出の効率が高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁性微粒子で構成された絶縁性微粒子層と、前記絶縁性微粒子層上に形成された第２電極とを備え、前記絶縁性微粒子が単分散微粒子であり、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記絶縁性微粒子層で加速させて第２電極から放出させるように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストとそれを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、束の直径が５０ｎｍ以上かつ束の長さが３μｍ以上のカーボンナノチューブ束状集合体を含有することを特徴とする電子放出源用ペーストと、それを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】 上記課題は、分散処理用有機溶媒にカーボンナノチューブとガラスフリットを分散させる分散工程、前記分散工程を経た分散処理用有機溶媒と水を混合し、カーボンナノチューブおよびガラスフリットを凝集させる分離工程、前記分離工程を経た分散処理用有機溶媒の水溶液を濾過する濾過工程、前記濾過工程によって得られた濾物を真空中で乾燥する乾燥工程、前記乾燥工程によって乾燥された濾物と、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを混練する混練工程とを備えたことを特徴とする電子放出源用ペーストの製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、電子放出に要する駆動電圧を低く、電子放出の面分布が均一となる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】酸処理されたカーボンナノチューブと、ガラスフリットと、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。その配合比は、カーボンナノチューブが１〜５重量％、バインダー樹脂が１０〜３０重量％、ガラスフリット（ベヒクル）が１〜１０重量％、そしてペースト用溶媒は４０〜８０重量％程度とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】適度な電圧の印加により十分な電子放出量が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁体微粒子で構成された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、前記絶縁体微粒子層は、第２電極側の表面に前記絶縁体微粒子層の層厚よりも深さが小さい凹部が形成され、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて第２電極から放出させる電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】素子作成工程が単純であり、機械的、電気的に安定な冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明は、SiC結晶基板の上に金属膜を堆積させ、加熱処理し、SiCと金属を反応させて形成した金属シリサイドと、この反応プロセスでSiCとの反応にあずからないカーボンをグラファイト状クラスターとして金属シリサイド内或いは最表面層に析出させて作成した表層構造物からなり、この表層構造物を冷陰極電子放出素子として機能させると共に、SiC基板を電極として機能させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、レーザ又はプラズマで処理されたカーボンナノチューブマットを備えるフィールドエミッションデバイスを提供することである。
【解決手段】本発明は、フィールドエミッションデバイスであって、前記デバイスはカソードとアノードを備える。カソードは、懸濁液から複数のナノチューブをろ過することによって形成されるフィルタケーキから得られるカーボンナノチューブマットを備える。マットは、上面及び反対側の下面を備えることができる。下面は、マットが形成される間にフィルタに隣接して配設されるフィルタケーキ表面に対応する。上面は、カソードのエミッション面として働くことができる。 （もっと読む）

【課題】輝点の強度や形状変化を生じ難い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上に電極２，３を形成し、該電極２，３間を連絡する導電性膜を形成し、該導電性膜に電圧を印加して間隙６を形成した後、絶縁性基板１にＸ線、紫外線、電子線の少なくともいずれかを照射して該基板表面を正電位に帯電させ、次いで、炭素を含む雰囲気下で導電性膜４，５間に電圧を印加して上記間隙６及びその周囲の是つん正基板１表面に炭素膜７を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層の成膜性を向上しつつ、より良好な特性を実現する。
【解決手段】 誘電体デバイスの製造方法において、以下の工程を有する。（１）混合工程：母材の粉末と、当該母材の焼結のための添加剤の粉末と、を混合する。（２）混合物熱処理工程：前記混合工程を経た、前記母材と前記添加剤との混合物を、熱処理する。（３）成膜層形成工程：前記混合物熱処理工程を経て得られた前記原料粉末を、前記基板に向けて噴射することで、当該基板に成膜層を形成する。（４）成膜層熱処理工程：前記成膜層形成工程を経て前記基板に形成された前記成膜層を熱処理することで、前記基板に前記誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、分散成長したＣＮＦやＧＮＦを有する電子放出源及びその作製方法の提供。
【解決手段】トリガ電極３３と触媒金属で少なくとも先端部が構成されたカソード電極３２とが、絶縁碍子３４を挟んで隣接して配置され、カソード電極３２とトリガ電極３３との周りに同軸状にアノード電極３１が配置されている同軸型真空アーク蒸着源３を備えている同軸型真空アーク蒸着装置２を用い、トリガ電極３３とアノード電極３１との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極３２とアノード電極３１との間にアーク放電を断続的に誘起させることにより基板上に形成された触媒金属からなる触媒粒子を用いて成長させたＣＮＦ又はＧＮＦを有する電子放出源。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は改良された安定性を備える冷電界電子エミッタを提供することである。
【解決手段】安定した冷電界電子エミッタは、エミッタ・ベース材料上にコーティングを形成することによって製造される。コーティングは残留気体の吸着およびイオンの衝撃からエミッタを保護するため、冷電界エミッタは、比較的高い圧力における短期および長期の安定性ならびに適度の角電子放出を示すことができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上へ触媒微粒子の粒径と分布を均一にし、配向したカーボンナノチューブを基板上に合成するカーボンナノチューブの合成方法を提供する。
【解決手段】オクタデセンなどの末端に不飽和結合を有する直鎖炭化水素でシリコン基板を表面処理して疎水性を持たせ、この上に界面活性剤で親水性表面を形成しておくと、触媒金属化合物の極性溶媒溶液の均一塗布が容易になる。このようにして得た触媒金属化合物が塗布されたシリコン基板を、乾燥、還元後、高温化で炭素源ガスを基板上に流すことで、配向したカーボンナノチューブを合成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ層を表層部に備えた金属板よりなる電子放出源において、前記カーボンナノチューブ層に供給する電力に対する電子の放出能力を大きくすること。
【解決手段】前記カーボンナノチューブ層の表面部を窒化する。このカーボンナノチューブ層は炭素六員環と炭素五員環とが垂直方向に起立した状態で構成されており、炭素六員環及び炭素五員環の先端部の炭素原子を窒素プラズマによって窒素原子に置換することで、置換された窒素原子と炭素原子とを結ぶ結合手の長さが炭素原子と炭素原子とを結ぶ結合手の長さよりも長くなることから、炭素六員環または炭素五員環のＣ−Ｃ−Ｃ角に比べてＣ−Ｎ−Ｃ角の方が鋭角となる。この鋭角の頂点に位置する窒素原子に電界が集中する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の製造方法において、基板上に、薄膜の形成成分を含む液体を付与し、乾燥して薄膜前駆体とし、この薄膜前駆体を加熱処理して薄膜を形成するに際し、得られる薄膜の周縁部分の形状及び厚さを整えることができる薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にインクジェット法により導電性薄膜の形成成分を含む液体を付与する。乾燥処理を行い、導電性薄膜前駆体１７’が形成される。この導電性薄膜前駆体に吸湿させ膨潤させることにより整形され導電性薄膜前駆体１７となる。この後加熱し有機成分を除去し導電性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低電圧駆動で効率良く電子放出が可能な冷陰極電界電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 支持体１０１、カソード電極１０２、絶縁層１０３、ゲートホール１０６を有するゲート電極１０４及びレジスト１０７を積層被着した後、ゲートホール１０６よりも径が小さい炭素物質配設用ホール１２１をゲートホール１０６からカソード電極１０２に至るまで形成し、次に、触媒金属１０９、１１０を被着形成し、レジスト１０７のリフトオフ処理や絶縁層１０３の炭素物質配設用ホール１２１の拡張処理を行った後、カーボンナノチューブ等の炭素物質１１１を触媒金属１１０上に成長させることにより、冷陰極電界電子放出素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】 低電界における電子放出を可能とした、電子放出性薄膜の製造方法、電極基板及び電子放出装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明にかかる電子放出性薄膜の製造方法は、まず、エラストマーと、金属粒子と、カーボンナノファイバーと、を混合して複合エラストマーを得る。次に、複合エラストマーと溶剤とを混合し、塗布液を得る。さらに、塗布液を基材に塗布し、塗膜５を形成する。最後に、塗膜５を熱処理して塗膜に含まれるエラストマーを除去すると共に、金属溶湯を塗膜中に浸透させて薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィールドエミッタの電子放出電界のしきい値を低下させること。
【解決手段】反応槽１００内のマイクロヒータを有するサセプタ１１０にカーボンナノチューブを形成したシリコン基板を載置し、反応槽１００内を１００℃の超臨界ＣＯ₂で満たした。バルブ２１０により反応槽１００と遮断及び接続可能な撹拌槽２００にヘキサンに溶解したトリメチル（メチルシクロペンタジエニル）白金を入れ、超臨界ＣＯ₂に溶解させた。撹拌槽２００内の圧力を反応槽１００内の圧力より大きくしてからバルブ２１０を開き、撹拌槽２００内部の白金化合物を溶解した超臨界ＣＯ₂を反応槽１００に導入して、所定時間、シリコン基板（Ｓｕｂ）を１５０℃に加熱して白金を析出させた。このようにして、白金を担持したカーボンナノチューブフィールドエミッタを構成できる。 （もっと読む）

【課題】 従来のものよりも低い製造コストで電子放出電圧を低減することができる電子放出素子、電界放出陰極及び表示装置並びに電子放出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 表示装置１００は、印加された電界によって電子を放出する電界放出陰極基板１１０と、放出された電子を捕捉する陽極基板１５０とを備え、電界放出陰極基板１１０は、基板１１１と、基板１１１上に順次形成された陰極母線１１２、触媒金属膜１１３及び絶縁膜１１４と、電子を放出する炭素系微細繊維１１５とを備え、絶縁膜１１４は、亀裂１１４ａを有し、炭素系微細繊維１１５は、亀裂１１４ａ内の触媒金属膜１１３上に形成される。 （もっと読む）