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Fターム[5C127DD53]の内容

冷陰極の製造 (9,839) | 特徴のある製造対象の製造方法 (3,577) | 被膜のパターニング、成形 (623) | エッチング (376) | ドライエッチング (156)

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【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第1層10b、絶縁体からなる第2層20b、及び、非絶縁体からなる第3層30bがこの順で積層され、第1乃至3層の各々の側面(103b、203b、303b)を含む連続面403bを有する積層構造40bと、連続面403bを覆うように設けられて第1乃至3層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜50と、を備える構造体60を加熱することによって、第1層10bと金属膜50との界面をシリサイド化する第1工程(d)と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第2層20bの側面203bが露出するように、金属膜50の一部を除去する第2工程(e)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】段差形成部材2の上面に設けられたゲート5と、段差形成部材2の側面20におけるゲート5の直下に形成された凹部7と、段差形成部材2の側面20に設けられ、上端に凹部7の下縁から上縁に向かって突起した突起部6aを有するカソード6とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材2の側面20は、凹部7の下縁から高さ方向中間部30までの上段21の傾斜角θ1より、高さ方向中間部30から下端までの下段22の傾斜角θ2が大きくなっており、しかもカソード6の上段21の部分である上段カソード部分6bよりもカソード6の下段22の部分である下段カソード部分6cの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 (もっと読む)


【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体、及び、この突起構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 突起構造体1は、一辺が1000μmの立方体に収容可能である。また、突起構造体1は、基材2と、基材2の先端部21の端面22に設けられており端面22からの高さが10μm以上である突起3と、を備える。さらに、この突起構造体1においては、基材2の端面22の外周23から突起3の基端31までの距離Dが5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる3次元構造ラインパターンと、前記3次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、3次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は3次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、3次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に3次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に3次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板11上に順次積層したカソード電極層12、絶縁層14及びゲート電極層15を備え、この絶縁層に形成したホール14aの底部にエミッタEを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部16を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口16aから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 (もっと読む)


【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、FED装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板18上に配置されたカソード電極10と、カソード電極10上に配置された第1絶縁膜12と、第1絶縁膜12上に配置されたゲート電極14と、ゲート電極14上に配置された第2絶縁膜20と、第2絶縁膜20およびゲート電極14の開口部に、第1絶縁膜12中にカソード電極10表面まで到達して形成されたホール11と、ホール11の底面およびゲート電極14の側面に形成された触媒微結晶核29と、カソード電極10上の触媒微結晶核29上に形成されたエミッタカーボンファイバー4と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核29上に形成されたゲートカーボンファイバー3とを備えるカーボンファイバー電子放出源、FED装置およびカーボンファイバー製造法。 (もっと読む)


【課題】電子放出効率に優れ、大きな電子放出量を得ることができ、安定な電子放出特性を得ることのできる電子放出素子を提供する。
【解決手段】間隙5を介して配置する第1の導電性膜4a及び第2の導電性膜4bと、該第1の導電性膜4aに接続された第1のカーボン膜6a1,6a2と、第2の導電性膜4bに接続され、第1のカーボン膜6a1,6a2とは間隙7a,7bを介して対向する第2のカーボン膜6b1,6b2と、を有し、間隙7a,7bに、連続する凹部9a,9bを有する素子とする。 (もっと読む)


【課題】触媒薄膜にダメージを与えることのない製造プロセスで容易に製造可能で、従来よりも径の細い炭素系微細繊維を備えた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子10は、ガラス基板11と、ガラス基板11上に形成されたカソード電極層12と、カソード電極層12上に順次形成されたグラニュラー触媒薄膜13、第1保護層14及び第2保護層15と、カソード電極層12上に形成された絶縁層16と、絶縁層16上に形成されたゲート電極層17と、電界に応じて電子を放出する炭素系微細繊維19とを備え、第1保護層14をアルカリ性のエッチング液で溶解することができる材料で形成し、グラニュラー触媒薄膜13にダメージを与えることのない製造プロセスで、従来よりも径の細い炭素系微細繊維19を成長させる構成を有する。 (もっと読む)


【課題】均一な電子ビームを放出でき、製造プロセスが容易な電子放出素子、該電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第1の層103を成膜する工程と、第1の層103上に、炭素を主成分とする第2の層104を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子放出に適した形状の立方晶窒化ホウ素を含む膜の提供。
【解決手段】高い結晶性と充分な膜厚、密着性と、さらに表面に高密度微細突起を持つ立方晶窒化ホウ素を含む膜を用いた、電子放出に優れた膜と電界電子放出体。特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 (もっと読む)


【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板18上にカソード電極10を形成する工程と、カソード電極10上に絶縁膜12を形成する工程と、絶縁膜12上にゲート電極14を形成する工程と、絶縁膜12中にカソード電極10表面まで到達するホール11を形成する工程と、ホール11の底面に触媒金属層28を形成する工程と、触媒金属層28上に垂直配向にグラファイトナノファイバ4を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第1のカソード電極、第2のカソード電極、第3のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第2のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第1のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第3のカソード電極は、第2のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第1のカソード電極と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料P1の試料表面にナノダイヤモンド微粒子P2を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸P3を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極2、ゲート電極4、絶縁部材6、及び、電子放出材5を備え、前記絶縁部材6は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第1の絶縁層6aと、前記第1の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第2の絶縁層6bと、を含む3つ以上の絶縁層が積層されたものである。 (もっと読む)


【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が2×10−11Pa以上、8×10−4Pa以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、H・、CH・、C・、CH・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して1000倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ安価な方法で、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するFED装置を提供する。
【解決手段】
基板上に配置されたカソード電極10と、カソード電極10上に配置された絶縁膜12と、絶縁膜12上に配置され,カソード電極10と直交するゲート電極14と、絶縁膜12中にカソード電極10表面まで形成されたホール(11)からなる電界放出マトリックス電極構造をメッキ槽(34)内に配置する工程と、カーボンナノチューブ4の成長の核となる触媒微結晶核29を電着させる際、ホール(11)内への触媒電着は、ホール底のカソード電極10を陰極、ゲート電極14を陽極として電着させる工程とを有するカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびFED装置。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ安価な方法で、電極配線金属からの異常成長を防止し、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するFED装置を提供する。
【解決手段】基板18上にカソード電極10を形成する工程と、カソード電極10上に第1絶縁膜12を形成する工程と、第1絶縁膜12上にゲート電極14を形成する工程と、第1絶縁膜12中にカソード電極10表面まで到達するホール(11)を形成する工程と、ホールの底面に触媒微結晶核29を形成する工程と、ゲート電極14表面上に第2絶縁膜50を形成する酸化工程と、触媒微結晶核29上にカーボンナノチューブ4を形成する工程とを有することを特徴とするカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびFED装置。 (もっと読む)


【課題】電子放出層から放出された電子の軌道の収束性に優れ、しかも、製造が比較的容易なエッジ型の冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出層13と、絶縁層14と、ゲート電極層15とが、この順に支持体10上に積層され、ゲート電極層15から支持体10の表面に達する開口部16が設けられ、開口部16は、ゲート電極層15に設けられた第1開口部15Aと、絶縁層14に設けられた第2開口部14Aと、電子放出層13に設けられた第3開口部13Aとから成り、第1開口部15Aと第2開口部14Aと第3開口部13Aとは連通しており、電子が放出される第3開口部13Aの開口端部の厚さは先端部に向かって減少し、且つ、第3開口部13Aの開口端部の下縁は上縁よりも後退している。 (もっと読む)


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