【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の電子放出の効率を向上させるとともに素子の損傷を防止する。
【解決手段】非結晶質の電子供給層（４）と、電子供給層（４）上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）上に形成された上部電極（６）とを有し、電子供給層（４）と上部電極（６）間に電界が印加されたときに電子を放出する電子放出素子であって、
上部電極（６）と絶縁体層（５）が切り欠かれ電子供給層（４）が露出した凹部（７）と、上部電極（６）と凹部（７）上を覆って電子供給層（４）の露出面（４ａ）の縁部分（４ｃ）に接触し、さらに電子供給層（４）の露出面（４ａ）の内側部分（４ｂ）上で隆起して電子供給層（４）との間に空洞（８ｂ）を有するドーム形状（８ａ）となっている炭素層（８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温及び低引き出し電圧のもとで電子放出の可能な電子放出素子、及び、この電子放出素子の作製方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル膜６と、エピタキシャル膜６が形成された領域を含む表面を有するダイヤモンド突起部５とを備える。ダイヤモンド突起部５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。更に、電子放出素子２は、エピタキシャル膜６上に設けられた金属膜７を更に備える。また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＤ（炭素繊維装置）１は、カソード基板２と、カソード基板２上に形成されたカソード電極３と、カソード電極３上に形成された金属触媒層４と、金属触媒層４の一部を覆うとともに、金属触媒層４を露出させるホール１７が形成され、絶縁層１６を含むホール形成層６と、ホール形成層６から露出した金属触媒層４から延びる炭素繊維５とを備えている。ＦＥＤ１の製造方法では、金属触媒層４を形成した後、ホール形成層６が形成される。 （もっと読む）

【課題】より低温環境で、所望の構造を有する電子放出部を確実に構成可能な電子放出物質の製造方法および表示装置を提供する。
【解決手段】 導電性を有する触媒導電層１２上に、カーボン材料を含み繊維状または管状を成すとともに側部にグラフェンシート２２の端面２２ａが露出しているグラファイトナノチューブ２１を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法であって、前記導電触媒層１２を加熱し、減圧雰囲気下において、導電触媒層１２の周囲に混合ガスを導入し、プラズマを発生させてＣＶＤを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりも簡便に制御性よく信頼性及び電子放出特性を改善することができる冷陰極素子の製造方法及びこれを用いた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成されたカソード電極１２と、カソード電極１２上に形成された絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成された電子引出電極１４と、電子を放出する炭素系微細繊維１５とを備え、炭素系微細繊維１５は、酸素活性種によってトリミング処理が施された後、水素ガス中において活性化処理が施される構成とした。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ電子電界エミッタ構造を含む改良された電界放出デバイスを実現する。
【解決手段】 接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）が、比較的平坦な導電性基板上に形成される。本発明は、強く接着するカーボンナノチューブ膜を実現する。さらに、放出特性を向上させるために、膜中のナノチューブの一部（例えば、少なくとも５０体積％）を、ほぼ同じ方向に整列させ、それらの長軸を、基板表面に垂直な向きにすることが可能である。一実施例では、単層カーボンナノチューブが、炭素溶解性元素（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ）あるいはカーバイド形成元素（例えば、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ）のような炭素と反応する材料を含む基板上に形成される。また、アルミニウムのような低融点材料を有する基板を使用することも可能である。 （もっと読む）

【課題】エミッタ層を損傷させることなく露出させることができる電界電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エミッタ層３上に所定のエッチング条件におけるエッチング速度が異なる２種類以上の物質の緩衝層４を形成する。次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。その後、層間絶縁膜５を貫通する貫通孔１０２を形成した後、２種類以上の物質のうちの少なくとも１種の物質を含む残留物１０３が残存するように、緩衝層４をエッチングする。次に、エミッタ層３から残留物１０３を引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】低電界における電子放出を可能とした、表面処理された電子放出材料及びその製造方法並びに電極を提供する。
【解決手段】本発明にかかる表面処理された電子放出材料の製造方法は、マトリクス金属中にカーボンナノファイバーが分散された電子放出材料を得る工程と、電子放出材料の表面を平坦化する工程と、平坦化された電子放出材料の表面に微細な凹凸を形成する表面処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 薄い電子放出部により良好な電子放出効率を得ることの可能な電子放出型電極、この電子放出型電極を備える電子放出素子、この電子放出素子を備える画像形成装置、及び電子放出型電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のギャップを隔てて対向して配置された第１及び第２の電極と、これら第１及び第２の電極上に、前記第１のギャップよりも狭い第２のギャップを隔てて形成された、電子を放出するための第１の導電性膜及び前記第１の導電性膜から電子を引き出すための第２の導電性膜を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
電極とダイヤモンド膜から構成される構造を持ち、電極に電圧が印加されたとき、ダイヤモンド膜から電子や電子線を放出する電子源において、ダイヤモンド膜が炭素終端構造のダイヤモンドであることを特徴とする炭素終端構造のダイヤモンド電子源及びその製造方法。 （もっと読む）

本発明は、支持材上にナノ構造物（１０４）を作製する方法に関し、以下のステップを含むことを特徴とする。一方の表面上に表面層（１０１）を備える支持材を供給するステップと、触媒によって覆われる表面層の領域及び触媒によって覆われていない表面層の領域を露出するパターンによって構造化される触媒層（１０２）によって表面層を覆うステップと、触媒によって覆われてない領域における表面層（１０１）の厚さをエッチングするステップと、触媒によって覆われる表面層の領域上にナノ構造物（１０４）を選択成長するステップを含む。本発明は、電気的に独立したナノ構造物でカソード構造物を作製するためにも使用されうる。
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【課題】簡便な手法によりディスプレイ上に輝点を発生させず電子放出特性の良好な微小電子源装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１０上にカソード電極１１を形成するカソード電極形成工程と、炭素材料１２ａが導電性のマトリクス１２ｂ中に埋め込まれた複合層１２Ｌを前記カソード電極１１上に形成する複合層形成工程と、前記複合層１２Ｌの上層部の前記マトリクス１２ｂを除去することにより、該複合層１２Ｌの表面に前記炭素材料１２ａの一部を露出させて微小電子源層１２とする微小電子源層形成工程とを有する微小電子源装置の製造方法において、前記微小電子源層形成工程は、前記複合層１２Ｌに導電性及び粘着性を有する樹脂層Ｌａを密接させた後、該樹脂層Ｌａを引き剥がすことにより、前記複合層１２Ｌの上層部のマトリクス１２ｂを除去する処理を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の電子エミッタを用いたことによる諸課題を解決し、かつ、従来の電子エミッタと比較して高い発光効率等に優れた電子エミッタを提供すること。
【解決手段】本電子エミッタは、基板２上にほぼ均等な粒径を有するカーボン膜成長用の金属触媒微粒子４が多数配置され、多数の金属触媒微粒子４上に電子放出用カーボン膜６が金属触媒微粒子２の粒子形状を反映した形状に成長していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】電界放出ディスプレイ用の高密度の放出素子を形成するための方法およびその方法に従って形成される電界放出ディスプレイを提供すること。
【解決手段】シリコン基板を含むプラズマ・エッチング・チャンバの中に酸素とシリコン・エッチング剤が導入される。酸素がシリコン表面と反応して二酸化ケイ素の領域を形成し、その一方でシリコン・エッチング剤がシリコンをエッチングして放出素子を形成する。二酸化ケイ素領域は下にあるシリコンをシリコン・エッチング処理中にマスクする。先行技術で実践されていたようなフォトリソグラフィ処理を使用することなく高密度で高アスペクト比の放出素子が形成される。本発明に従って形成される放出素子は先行技術よりもさらに均一な電子放出を提供する。さらに、本発明に従って形成された放出素子を組み入れるディスプレイは増加した輝度を与える。さらに、そのディスプレイの信頼性は蛍光基板材料を刺激して画像を作り出すための電子を供給するために複数の放出素子を使用することに起因して高められる。 （もっと読む）

【課題】 冷陰極と支持基板との密着性が問題にならず良好な電子放出特性を実現可能な冷陰極によって放出された電子線の特性を維持して照射する技術を提供する。
【解決手段】 表面に凹凸が形成されたグラファイトによって形成される冷陰極１２と、冷陰極１２から電子の放出が可能となる所望の電圧を冷陰極１２に対して印加する第１の電源と、冷陰極１２に対する陽極となり冷陰極１２から放出された電子を誘引し透過する膜１６と、を有する。 （もっと読む）