【課題】ダイヤモンド膜が設けられた雰囲気から酸素を取り除き、水素が離脱したダイヤモンド表面に酸素が吸着しないようにすることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】容器４内に容器４内の酸素を取り除くための酸素吸着剤８を設ける。このように容器４内に酸素吸着剤８を設けることにより、容器４内に存在する酸素を酸素吸着剤８に吸着させることができ、容器４内から酸素を除去することができる。このため、エミッタ電極１およびコレクタ電極２を構成するダイヤモンド膜の各表面１ａ、２ａから水素が離脱したとしても、水素が抜けたダングリングボンドに酸素が吸着することを防止することができる。したがって、電子放出の確率の低下、発光効率、電界放出電子の放出確率、熱電子発電の発電効率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電界放出された電子からゲート電極を保護するのに適した照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、ゲート電極開口部の開口径Ｄ１が絶縁体開口部の開口径Ｄ２より大きい。このため、電子の通過する開口部において絶縁体が張り出した構成となり、電界放出された電子がゲート電極に衝突することを抑制することが出来る。よって、ゲート電極に電界放出された電子が衝突することに起因する問題を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。
【解決手段】針状の放出部１０の先端部に、電子供給層としてのｐ型半導体層１３Ｐと、電子放出層としての金属層１５とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。放出部１０における積層構造内の各等電位面Ｓｖも、この放出部１０の伸長方向と略垂直になる。放出部１０から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア（電子）が集中し易くなる。なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出部を大気に晒す工程をなくすことで、電子放出部形成後の高真空工程を省略でき、製造コストを低減できるとともにガス分子が基板表面から脱離する量を最小限に抑え、寿命劣化を抑制することが可能となる表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画像表示装置１には、カソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、気密に形成されるとともに大気圧より低い所定の圧力まで減圧された中空部１４ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成され、その一部が前記中空部１４ａを挟んで導電層１２に対向配置されたアノード電極３１と、導電層１２上に形成され、中空部１４ａ内に少なくともその一部が露出し、導電層１２とアノード電極３１の電位差により電子を放出するグラファイト２０と、アノード電極３１側に設けられグラファイト層２０から放出される電子によって発光する発光層３２と、を有する発光素子２が複数配列されている。 （もっと読む）

【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部２は、下部突起３と上部突起４とで構成されている。上部突起４を含む先端突起部２の少なくとも一部には、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界集中度を大きく劣化させることなく簡単な方法で形成できるとともに、先鋭かつ均一性が高く、しかも機械的強度の大きい電界放出型の電子放出素子、およびこれを備えた平面表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子２２は、基板１２と、基板上に設けられたカソード電極２４と、絶縁体あるいは半導体により基板上に形成されているとともに、基板の表面に対しある角度を持って起立した側壁３１を有する支持体３０と、支持体の側壁上に形成されたエミッタ３４と、エミッタエッジ部に電圧を印加するゲート電極２８と、を有している。エミッタは、カソード電極に電気的に接続された接続部と、基板と反対側に位置したエミッタエッジ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】撮像動作に必要とされる高速駆動においても安定して電子放出を行うことができ、かつ画像の品位の高い電界放出型電子源素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板１から突出した導電性微小構造のエミッタ２を複数形成したカソード電極３と、カソード電極３と電気的に絶縁されたゲート電極５とを備え、カソード電極３とゲート電極５とがマトリクス状に配置されており、カソード電極３とゲート電極５との間に電圧を印加することにより、エミッタ２の先端部から電子が放出してエミッション電流が発生する電界放出型電子源素子であって、エミッション電流を制御する高速駆動半導体素子７を備えている。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイスとこれを用いた電子放出表示デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の電子放出デバイスは、基板と、基板上に形成される第１電極と、第１電極に電気的に連結される電子放出部と、第１電極上に第１電極から絶縁されて位置しながら、第１電極との交差領域に電子放出部開放のための複数の開口部を形成された第２電極と、第２電極上に第２電極から絶縁されて位置しながら、第２電極の開口部に連通する開口部を形成された第３電極と、を含み、電子放出部と第２電極が次の２条件（条件１：Ｄ２／Ｄ１≦０．５７９、条件２： Ｄ２≧１μｍ）を同時に満足する。これにより、画面の色純度を高めて、向上した表示品質を実現できる。ここで、Ｄ１は第２電極の開口部幅を示し、Ｄ２は電子放出部の幅を示す。 （もっと読む）

【課題】 電子収束に優れたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１、２以上のゲートホール５が形成されたゲートホール領域７を有するゲート電極６、絶縁層２及びエミッタ４を少なくとも備えたカソード基板において、エミッタ４とゲート電極６との間で形成される等電位面が、エミッタから放出された電子を収束する凸面となるようにゲート電極及びエミッタのうち少なくとも１つを構成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの電界放出に関する物性を改善した、カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】本願発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、ＺｎＯの突起物を有するカーボンナノチューブの製造方法であって、基板を形成する工程、上記基板の表面にカーボンナノチューブを成長させる工程、上記カーボンナノチューブにＺｎＯを絶縁保護コーティングする工程、ＺｎＯでコーティングされた上記カーボンナノチューブをアニールする工程、上記アニールによって、カーボンナノチューブの表面にＺｎＯの突起物を形成する工程を含む製造方法である。
【効果】ＺｎＯの突起物がカーボンナノチューブ上に形成されることによって、カーボンナノチューブの電界増幅係数を改善することができる。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）のようなナノ粒子を用いる電界放出デバイスにおいて使用するためのカソードを形成するための方法が、開示される。ＣＮＴ層は、カソードの表面上に、電界放出材料を含有する。本発明の方法を使用して、被覆されたＣＮＴの密度は、このカソードの表面上に島状電界放出領域を形成することによって、調節され得る。ＣＮＴ島状電界放出領域の大きさおよび分布は、得られるＣＮＴ層の電界放出特性を最適にするように働く。１つの実施形態において、ＣＮ島状電界放出領域は、スクリーン印刷被覆方法を使用して、形成される。本発明は、被覆後に、電界放出のためにカーボンナノチューブを活性化または整列させるためのさらなるプロセスなしで、実施され得る。
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【課題】画素別の電子放出均一度を向上させることができる電子放出素子、この電子放出素子を含む電子放出表示装置およびこの電子放出表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、カソード電極１４と；カソード電極１４と絶縁されて位置するゲート電極２８と；電子放出部２０と；カソード電極１４と電子放出部２０とに電気的に連結される抵抗層２２とを含み、抵抗層２２は、金属酸化物または金属窒化物から形成される電子放出素子１０４を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの広がりを抑制するとともに，画素ごとの電子放出性の均一度を向上して画面品質を高めることができる電子放出素子，および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の間隔を置いて対向配置される第１基板２および第２基板４と；第１基板２上に，第１基板２の一方向に沿って形成される主電極６１，および主電極６１と所定の間隔をおいて配置される複数の隔離電極６２を含むカソード電極６と；隔離電極６２上に形成される電子放出部１２と；主電極６１と隔離電極６２を連結し，電子放出部１２の側面に位置する抵抗層１４と；カソード電極６および抵抗層１４の上部に形成される絶縁層８上に形成されるゲート電極１０と；を含む。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー拡散を低減した電子源及び電子顕微鏡又は電子ビームリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子を使用するために適切である電子源であって、その電子源において電子ビームが、電位、熱励起及び光励起の少なくとも１つの影響下にある電極から引き出されることができ、少なくとも電極の一部は離散的エネルギーレベルに量子化された伝導帯を有する半導体材料から構成される、電子源を提供する。そのような電子源は、比較的小さいエネルギー拡散であって、典型的には、冷電界放出銃（ＣＦＥＧ）のエネルギー拡散に比べて非常に小さいエネルギー拡散を享受している。前記半導体材料は、例えば、半導体なのウェーブから構成されることが可能である。そのようなナノワイヤのための適切な半導体材料の例にはＩｎＡｓ及びＧａＩｎＡｓがある。 （もっと読む）

本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
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