説明

Fターム[5C135AB16]の内容

冷陰極 (7,202) | 電界放出型のエミッタ材料 (1,527) | 窒化物 (44)

Fターム[5C135AB16]に分類される特許

1 - 20 / 44


【課題】基板1上に順次積層された第一の絶縁材料層3aと第二の絶縁材料層3bで構成された段差形成部材4の上面にゲート7を有し、第一の絶縁材料層3aの側面部20に先端がゲート7に対向するカソード8が設けられた電子放出素子の製造に際し、カソード8の断線を防止しつつ均一な電子放出特性の電子放出素子を製造できるようにし、もって安定した性能の電子線装置及び画像表示装置を歩留まりよく製造できるようにする。
【解決手段】第一の絶縁材料層3aの側面部20の上端から高さ方向中間部までの上段側面部21の傾斜角θ1を80度乃至90度とすると共に、高さ方向中間部から下端までの下段側面部22の傾斜角θ2が80度より小さく、しかも上段側面部21の高さT1を5乃至15nmとした側面部20に対して、カソード8の構成材料を基板1の表面に対する垂直方向から供給してカソード8を形成する。 (もっと読む)


【課題】機械的にパターン形成されたIII族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にIII族窒化物の第1の層を形成することを含む。第1の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第1の層と基板の露出部の上に第2のIII族窒化物の第2の層をエピタキシャル成長することを含む。第1および第2のIII族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第2の層を塩基の水性溶液に曝し、第2層を機械的にパターン形成することも含む。 (もっと読む)



【課題】電子放出量の低減を抑制し、且つ、静電容量が低減された電子放出素子、該電子放出素子を有する電子線装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、上面、側面、及び、上面と側面との間に形成された窪み部を有する絶縁部材と、側面上に配置され、且つ、側面と窪み部の境界部分に位置する電子放出部を有するカソード電極と、上面上に配置され、且つ、端部が電子放出部と対向するゲート電極と、を有する電子放出素子であって、電子放出部が位置する境界部分は、上面と平行な方向の凹凸を有する。 (もっと読む)


【課題】熱的励起によらずに電子を電子放出材料から放出させる冷陰極構造を具備し、上記の高速正イオンによる電子放出材料の損傷を防止し、電子放出特性の劣化を防ぐことのできる電子放出装置及び、かかる電子放出装置を用いて長寿命化を実現できる電子放出型電子機器を提供することである。
【解決手段】カソード電極1の表面に対向して距離L1を隔てて、電子引出し電極2が配置されている。カソード電極1及び電子引出し電極2には夫々、カソード貫通孔6、貫通孔7が穿設されている。CNT含有炭素系粉材料からなる電子放出材料4がアノード電極3から見たときのカソード電極1の裏側の面にカソード貫通孔6に近接又は突き出て堆積形成されている。電子引出し電極2とカソード電極1により生じた電界によって電子放出材料4から電子をアノード電極3に向けて放出させる。 (もっと読む)


【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。
【解決手段】針状の放出部10の先端部に、電子供給層としてのp型半導体層13Pと、電子放出層としての金属層15とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面(p型半導体層13Pと絶縁層14との界面および絶縁層14と金属層15との界面)が、放出部10の伸長方向(Z軸方向)と略垂直となっているようにする。放出部10における積層構造内の各等電位面Svも、この放出部10の伸長方向と略垂直になる。放出部10から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア(電子)が集中し易くなる。なお、積層構造としては、MOS構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 (もっと読む)


【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にBCN薄膜10,15が形成される電子デバイスであって、BCN薄膜の組成を膜内で変化させることにより、BCN薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。BCN薄膜中のCの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、BCN薄膜中のNの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてBCNを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてCの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてNの組成比を調整する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、放出された電子ビームが良好に集束する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板1上に、絶縁部材3、ゲート5を形成し、絶縁部材3に凹部7を形成し、絶縁部材3の側面にカソード6を配置し、ゲート5を、該カソード6に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部9を有する凹凸形状に形成し、該後退部9に露出した絶縁部材3表面を、少なくとも絶縁層3a表面まで後退させ、該表面に制御電極13を形成する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、アノードへの電子到達効率の高い電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板1上に、絶縁部材3、ゲート5を形成し、絶縁部材3に凹部7を形成し、絶縁部材3の側面にカソード6を配置し、ゲート5を、該カソード6に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部9を有する凹凸形状に形成する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子および画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子が、側面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記側面に形成された凹部と、前記凹部の上方に配置されたゲート電極と、前記凹部の下側のへりに配置され、前記凹部側の第1斜面と前記凹部とは反対側の第2斜面を有するくさび形のエミッタと、を備える。前記エミッタの前記第1斜面の下端は前記凹部内に入り込んでおり、前記エミッタの第1斜面と前記第2斜面はともに前記凹部の外側に傾いている。 (もっと読む)


【課題】 電子放出効率が高く、占有面積を増加を抑制しながら十分な抵抗値を有する抵抗層を備えた信頼性の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソード電極と、該カソード電極に電気的に接続された電子放出体と、該カソード電極と該電子放出体との間に設けられた抵抗層と、を少なくとも有する電子放出素子であって、前記抵抗層は前記電子放出体と同じ材料で構成されており、前記抵抗層の膜密度が前記電子放出体の膜密度よりも低い。 (もっと読む)


【課題】 電子放出特性の不安定性を改善するとともに、より高効率な電子放出特性を有する新規な電子線装置の提供。
【解決手段】 表面に凹部を有する絶縁部材と、前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置する突起部分を有するカソードと、前記絶縁部材の外表面に、前記突起部分と対向して位置するゲートと、前記ゲートを介して前記突起部分と対向して位置するアノードとを有する。 (もっと読む)


【課題】電子放出に適した形状の立方晶窒化ホウ素を含む膜の提供。
【解決手段】高い結晶性と充分な膜厚、密着性と、さらに表面に高密度微細突起を持つ立方晶窒化ホウ素を含む膜を用いた、電子放出に優れた膜と電界電子放出体。特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 (もっと読む)


【課題】 ゲート電極への電圧の印加時間及び形態に対応するようにアノード電極にAC電圧を印加することにより、ゲート電極に電圧が印加されない遊休時間の間にアノード電極に不要な電圧が印加されるのを防止して駆動電力を減少させるとともに、アノード電極に印加される不要な高電圧により電子が放出されるのを防止して発光効率を増大させ、かつアノード電極に不要な高電圧が印加される時間を短縮させて寿命を延ばす。
【解決手段】 本発明は、所定間隔だけ離隔して対向するように配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上に形成された少なくとも一つのカソード電極と、前記カソード電極から離隔した位置で、絶縁体により前記背面基板から絶縁されるように形成された少なくとも一つのゲート電極と、前記カソード電極の上面に形成されたエミッタと、前記背面基板に面するように前記前面基板上に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に塗布された蛍光体層と、前記アノード電極にAC電圧を印加する第1電圧印加手段と、前記ゲート電極にAC電圧を印加する第2電圧印加手段とを有し、前記アノード電極と前記ゲート電極に印加されるAC電圧は同期化されている。
(もっと読む)


【課題】電子放出素子の製造方法、電子放出素子及び電子放出素子を備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板上で一方向に沿って互いに距離をおいて離隔配置された複数の第1電極と、前記一方向に沿って前記第1電極の間に配置される複数の第2電極を平行に交互に形成し、隣接する前記第1電極と前記第2電極の間で電子放出層を形成し、前記電子放出層の一部を除去して電子放出層間にピッチを形成する電子放出素子の製造方法及び当該製造方法で製造された電子放出素子である。 (もっと読む)


【課題】熱による特性変化を起こしにくく、安定した電子放出が可能な電子放出膜を備えた電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子の電子放出膜が、第1材料からなる第1層と、第1材料よりも電気抵抗率の小さい第2材料からなり前記第1層の中に設けられる複数の粒子と、を有する膜である。第1材料が、酸素と窒素とを含む材料である。詳しくは、第1材料が、酸窒化物、窒素がドープされた酸化物、もしくは、酸素がドープされた窒化物である。粒子の粒径が1nm以上10nm以下である。電子放出膜の表面が水素で終端されている。 (もっと読む)


【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極及びこれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】電界放出型電極10は、基板11と、基板11上に形成されたバリア層12と、電界放出膜13を備える。電界放出膜13は、グラフェンシートからなるカーボンナノウォールCNW31と、微結晶ダイヤモンド膜32と、カーボンナノウォールCNW31から成長し微結晶ダイヤモンド膜32から突出するように形成されたスティック33とから構成されるを含む。電界放出型電極10は、バリア層12が形成されるため、優れた電子放出特性を有する電子放出膜13を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は改良された安定性を備える冷電界電子エミッタを提供することである。
【解決手段】安定した冷電界電子エミッタは、エミッタ・ベース材料上にコーティングを形成することによって製造される。コーティングは残留気体の吸着およびイオンの衝撃からエミッタを保護するため、冷電界エミッタは、比較的高い圧力における短期および長期の安定性ならびに適度の角電子放出を示すことができる。 (もっと読む)


【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板10の上面に一方向に延びる複数の壁部11が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部11の一方の側面から絶縁基板10の上面の一部に断面L字状のカソード層21が形成されている。各壁部11の他方の側面から絶縁基板10の上面の一部に断面L字状のゲート層22が形成されている。隣接する壁部11に形成されたカソード層21とゲート層22との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板10の上方に、所定間隔を隔てて透明基板50が支持枠60を介して配置されている。透明基板50の下面には、壁部11、カソード層21およびゲート層22に対向するように蛍光体層30およびアノード層40が絶縁基板10側からこの順に設けられている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極上やエミッタホール周辺、さらにはエミッタホール内などにカーボンナノチューブを含む残渣が少ない電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブと無機粉末、感光性有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、感光性有機成分が少なくとも紫外線吸収剤および/または重合禁止剤を含む電子放出源用ペースト。 (もっと読む)


1 - 20 / 44