【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式（１）で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】冷電極を用いてシート状のビームを発生させることのできる、シート状ビーム発生装置を提供する。
【解決手段】平板型電極１と、接地電極７と、平板型電極１と接地電極７との間に電圧を印加する電源３と、平板型電極１と接地電極７が収容される真空容器４と、真空容器４の外部に設けられ平板型電極１から発生する粒子ビームを誘導する磁場を発生させる磁場発生コイル６とを備えた。平板型電極１の表面に粒子ビームを発生させるための粒子ビーム発生部２を形成した。粒子ビーム発生部２は略均一の粗さを有する。 （もっと読む）

【課題】触媒や各種の電子的用途への応用が期待できる新規なナノ・マイクロ突起体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により複数の小突起体が合体されてなる大突起体を形成することを特徴とするナノ・マイクロ突起体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で、蛍光体から発せられた放射光の損失を低減できる電界放出発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電界放出発光装置１０は、アノード電極２が基板面に配置されたアノード基板１と、カソード電極３が基板面に配置されたカソード基板６とを有し、アノード基板１およびカソード基板６は、前記基板面が互いに対面して配置され、アノード基板１は、さらに、複数の蛍光体層４を含み、複数の蛍光体層４は、アノード基板１とアノード電極２との間、および、アノード電極２上の少なくとも一方に、互いに間隔を置いて配置され、カソード基板６は、さらに、エミッタ５を含み、エミッタ５は、カソード電極３上に配置され、カソード電極３が、光反射性を有し、エミッタ５が、光透過性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置および高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供すること。
【解決手段】 この電子線源装置は、カーボンナノチューブにより構成された面状の電子線放出部を有するカソード電極と、電子線放出部と離間して対向するよう設けられた、電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えてなり、カソード電極と電子引き出し電極との間の位置において、電子線放出部から放出される電子線を電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータが電子線放出部と離間して対向するよう配置されている。電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】極間距離の増大や励起電圧不足による蛍光効率の減少を引き起こさずに、輝点サイズを拡大し、均一な発光が得られる電界放出型発光装置を提供する。
【解決手段】電解放出型発光装置は、電子放出源２０が配されたカソード２００と、カソード２００に対向配置され蛍光体が配されたアノード１００と、複数の磁場発生手段３００と、を含み、複数の磁場発生手段３００は、カソード２００に面する面、またはカソード２００の側面と対向するように装置外部に配されており、かつ磁極が交互に逆極性となった構成を有している。 （もっと読む）

【課題】カソードから効率的に電子放出することができ、かつ、耐久性の高い電界放出素子を得る。
【解決手段】基板６に繊維状の電子放出材料７を固定してカソードを得た後（（ａ））、電子放出材料７を覆う接着層９を基板６上に形成し（（ｂ））、基板６から接着層９を剥離して電子放出材料７を起毛する（（ｃ））。（ｂ）の工程において、０．１ＭＰａ以上に加圧しながら電子放出材料７に接着材料を接着させて、基板６に対して１８０度の剥離角度で剥離した時の剥離強さが０．６ｇ／ｍｍ以上の接着層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷陰極装置の真空容器内の真空度を高めるため、容器内の真空排気時に冷陰極から吸着ガスを追い出すためにその冷陰極を昇温させることを実現できる冷陰極装置を提供する。
【解決手段】電圧の印加により電子を放出する冷陰極３と、冷陰極３を加熱するフィラメント４と、冷陰極３を支持する導電性を有した支持軸６と、冷陰極３、ヒータ４及び支持軸６を包囲する真空容器であるガラス管２と、ガラス管２の外部に出ておりフィラメント４につながっているヒータ端子７ａ，７ｂと、ガラス管２の外部に出ており支持軸６につながっている支持体端子７ｃとを有した冷陰極装置１である。ヒータ端子７ａ，７ｂと支持体端子７ｃとは互いに電気的に独立しており、それらに独自に所望の電圧を正確に印加できる。 （もっと読む）

【課題】電界放出装置に関し、特に大寸法の電界放出装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出装置は、絶縁基板と、電子放出ユニットと、行引出し電極と、列引出し電極とを含む。行引出し電極と列引出し電極とは、電気絶縁的に交叉して格子が形成される。各々の格子の中に、電子放出ユニットが設置されている。電子放出ユニットは、陽極電極と、陰極電極と、蛍光層と、陰極エミッタと、第一集束電極と、第二集束電極とを含む。陽極電極は、行引出し電極に接続され、陰極電極は、列引出し電極に接続されている。陰極エミッタは、陽極電極と陰極電極の間に設置され、一端は陰極電極に接続され、もう一端は陽極電極に対向している。蛍光層は、陽極電極の絶縁基板に隣接する表面の反対表面に形成されている。第一集束電極と第二集束電極は、それぞれ列引出し電極に接続され、行引出し電極及び陽極電極と絶縁的に設置され、陰極エミッタの両側に設置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は電界放出陰極素子に関し、特にグリッドを備える電界放出陰極素子及び電界放出表示装置に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、陰極基板と、該陰極基板の表面に設置されたグリッドと、該グリッドの、前記陰極基板に隣接する表面とは反対の表面に設置された第一絶縁層と、該第一絶縁層の、前記グリッドに隣接する表面とは反対の表面に設置された陰極電極と、前記陰極電極の表面に設置された電子放出層と、を含む。前記第一絶縁層は第一透過孔を有し、前記陰極電極は、第二透過孔を有する。前記第一透過孔は前記第二透過孔に対応して設置され、且つ相互に貫通しているので前記グリッドの表面の一部を露出させる。前記電子放出層は、前記第二透過孔に隣接するように、前記陰極電極の、前記第一絶縁層に隣接する表面とは反対の表面に設置される。また、本発明は前記電界放出陰極素子を利用した電界放出表示装置も提供する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子放出可能で、さらに長寿命の電子放出が得られる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の電子放出材料、無機粉末および有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、無機粉末として鉛を含有しないハンダ粉末を含む電子放出源用ペースト。無機粉末として、さらに導電性金属酸化物やガラス粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】耐久性および耐燃焼性に優れ、低コストで製造でき、かつ、カーボンナノチューブ分子の分散性に優れたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ分子集合体と、球状グラファイト分子集合体とを含み、
前記カーボンナノチューブ分子は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子は、球殻状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子集合体は、前記球殻状のグラファイト層内に炭化ホウ素を内包している炭化ホウ素内包球状グラファイト分子の集合体と、炭化ホウ素を内包していない炭化ホウ素非内包球状グラファイト分子の集合体とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多重する波長の数が増加しても、構造が複雑化、大型化しない簡素な構成の波長多重光アドレス型ディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】サブピクセル毎に分割されたデータ電極１０と、該データ電極の下層に設けられた光導電膜２０と、該光導電膜の下層に設けられた透明電極３０と、該透明電極の下層に第１の方向に平行に、複数の波長の光に各々対応して設けられた複数種類の波長フィルタ４０と、前記第１の方向と直交する第２の方向に平行に設けられた複数の導波路５０とを有し、前記波長フィルタを透過する波長の光が前記導波路に入射して前記光導電膜の抵抗値が低減したときに、前記透明電極に印加された電圧が前記データ電極に印加されてアドレスが行われる画像表示部１２０と、
前記複数の波長の光のいずれかを発光する発光素子を二次元状に配列した二次元アレイ１５０から発光された光を前記導波路に入射する光源部１６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小型であり、軽量であり、Ｘ線放出量が多い工業用Ｘ線管を提供する。
【解決手段】内部が真空である容器２のその内部に陰極４Ａ及び陽極６を収納して成り、陰極４Ａで発生した電子を陽極６に当ててこの陽極からＸ線を発生する工業用Ｘ線管１において、陰極４Ａの電子放出面４ａの周囲に設けられており電子の進行を調整する電子進行調整部材８と、陰極４Ａと陽極６との間に設けられており電子を集束させるマグネティックレンズ１３とを有しており、陰極４Ａ〜４Ｆは炭素又は炭素化合物によって形成されており、陰極４Ａ〜４Ｆの電子放出面４ａは平らな面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 安定した電子放出特性と低い仕事関数とを両立した電子放出素子を提供する。
【解決手段】 ランタンの酸化物とモリブデンの酸化物とが混合されたカソードを備えることを特徴とする電界放出型電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極ライン、カソード電極ライン及び電子放出源が形成された第１基板と、第１基板と対向して離隔配置されたものであって、アノード電極及び蛍光層が形成された第２基板と、第１基板と第２基板との間の領域を取り囲み、密封された内部空間を形成するサイドフレームと、を備え、第１基板は、第２基板と離隔する方向と垂直の第１方向に所定長さほど第２基板と外れるように配置されて、所定長さほど突出した領域にゲート電極ライン及びカソード電極ラインへの電圧印加のための背面端子部が形成され、アノード電極への電圧印加のためのアノード端子部は、一端がアノード電極と接触し、他端はサイドフレームの外側に露出されるように形成された電界放出素子。 （もっと読む）