【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で、蛍光体から発せられた放射光の損失を低減できる電界放出発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電界放出発光装置１０は、アノード電極２が基板面に配置されたアノード基板１と、カソード電極３が基板面に配置されたカソード基板６とを有し、アノード基板１およびカソード基板６は、前記基板面が互いに対面して配置され、アノード基板１は、さらに、複数の蛍光体層４を含み、複数の蛍光体層４は、アノード基板１とアノード電極２との間、および、アノード電極２上の少なくとも一方に、互いに間隔を置いて配置され、カソード基板６は、さらに、エミッタ５を含み、エミッタ５は、カソード電極３上に配置され、カソード電極３が、光反射性を有し、エミッタ５が、光透過性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材９に形成された凹部７を挟んでゲート５とカソード６ａが設けられ、電子がゲート５に衝突、散乱した後に取り出される電子放出素子を用いた電子線装置において、安定した電子放出特性が得やすく、しかも過剰な発熱を生じた場合にも、過熱による素子劣化や素子破壊を防止できるようにする。
【解決手段】絶縁部材９の外表面と、絶縁部材９に形成された凹部７の内表面とに跨って位置する突起３０を有するカソード６ａとすると共に、ゲート５を、少なくとも２つの導電層５ａ，５ｂの積層体で構成し、突起３０と対向する部分に位置する導電層５ｂの熱膨張率を他の導電層５ａの熱膨張率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極２、ゲート電極４、絶縁部材６、及び、電子放出材５を備え、前記絶縁部材６は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第１の絶縁層６ａと、前記第１の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第２の絶縁層６ｂと、を含む３つ以上の絶縁層が積層されたものである。 （もっと読む）

【課題】電子放出部を大気に晒す工程をなくすことで、電子放出部形成後の高真空工程を省略でき、製造コストを低減できるとともにガス分子が基板表面から脱離する量を最小限に抑え、寿命劣化を抑制することが可能となる表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画像表示装置１には、カソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、気密に形成されるとともに大気圧より低い所定の圧力まで減圧された中空部１４ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成され、その一部が前記中空部１４ａを挟んで導電層１２に対向配置されたアノード電極３１と、導電層１２上に形成され、中空部１４ａ内に少なくともその一部が露出し、導電層１２とアノード電極３１の電位差により電子を放出するグラファイト２０と、アノード電極３１側に設けられグラファイト層２０から放出される電子によって発光する発光層３２と、を有する発光素子２が複数配列されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出能およびその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】ナノカーボンエミッタ１は、基体２と基体２上に設けた導電層３と導電層３上に設けたナノ炭素材料複合体４とで構成され、ナノ炭素材料複合体４が、導電性粒子５に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６が形成されてなる。導電層３は接着性を有する。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）

【課題】面型で高出力の電子放出を実現することができるとともに、耐久性に優れ、長期に亘って安定的な電子放出を実現することのできる電界放出電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出電子源１は、基板２を具備している。基板２には、配線層３が形成されており、配線層３の上には絶縁層４が形成されている。絶縁層４には、複数の貫通孔５が設けられており、これらの貫通孔５内に導電性ビアプラグ６が配設されている。絶縁層４及び導電性ビアプラグ６の上部を覆うようにダイヤモンド層７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低真空状態であっても、電子放出部の周りに存在する残留ガス等の物質による電子放出部への影響を低減することを可能とする。
【解決手段】画像表示装置１は、電子放出素子１０と、この電子放出素子１０から放出される電子により発光する表示部３０とを備えている。電子放出素子１０は、カソード基板１１と、このカソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、電子放出部２１ａを有するカーボン層２０と、を備えている。電子放出部の外表面は被覆膜２２によって覆われている。被覆膜２２は電子放出部２１ａよりも酸化しにくい材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出源及びそれを応用した電界放出ディスプレイの提供。
【解決手段】本発明は電子放出源、及びそれを応用した電界放出ディスプレイに関するものである。電子放出源のＤＬＣ薄膜（炭素膜）には薄片構造の特徴を有しており、且つ基板表面に花びらの形になるように配列している。本発明のＤＬＣ薄膜（炭素膜）の薄片構造の高さはミクロンメータ単位、厚さはナノメーター単位なので、ＤＬＣ薄膜（炭素膜）の薄片構造の高さと広さは高い縦幅比である。そのため、良い電界放出が増強できる因子を持ち、電子の放出を容易にし、優れた電子放出源が形成された。且つ、本発明は電子放出源材料を電界放出ディスプレイに応用しており、安定した電子放出源を製作することができる。 （もっと読む）

【課題】電極配置領域の端部での電界集中を緩和して蛍光面端部での異常発光を防止し、かつ、電子放出層の放出電子に基づく絶縁基板表面のチャージアップを防止して電極や蛍光体に対するダメージを防止可能とする。
【解決手段】絶縁基板６に電界電子放出する電子放出層１８を備えたカソード電極１４を配置した冷陰極電子源２０において、絶縁基板６の表面に高抵抗膜２２を設け、この高抵抗膜２２により、電極配置領域１２端部での電界集中を緩和すると共に電子放出層１８の放出電子に基づく絶縁基板６表面のチャージアップを防止して電極や蛍光体に対するダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の変動が小さく安定な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体と、各々が前記基体の表面に対して実質的に垂直に配向した、複数の柱状の第１領域と、前記複数の第１領域の各々の間に設けられた、前記第１領域よりも高抵抗な第２領域と、前記複数の柱状の第１領域と前記第２領域とを覆う電子放出膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを利用した電界放出電極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯ層と、ＺｎＯ層上に形成されたカーボンナノチューブとを具備するカーボンナノチューブを利用した電界放出電極である。これにより、ＺｎＯ層上に形成したシングルウォールカーボンナノチューブを有する電極を電界放出素子に適用し、駆動電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】電子を均一に放出することができ、製造工程が簡単であり低コストで製造することの可能な電子放出素子と、この電子放出素子を備えて画素間の均一度を向上させることの可能なディスプレイ装置および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１０と、第１基板１１０上に配置されたカソード電極１２０および電子放出源と、カソード電極１２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極１４０と、カソード電極１２０とゲート電極１４０との間に配置され、カソード電極１２０とゲート電極１４０とを絶縁する絶縁体層１３０と、カソード電極１２０に接するように配置され、半導体カーボンナノチューブを含む抵抗層１２５と、を備える電子放出素子１０１である。 （もっと読む）

【課題】熱電子放出用の電子放出物質、それを備えた電子放出素子、及びそれを備えた平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】電子放出物質の本体部と、電子放出物質の本体部の表面に形成されたベースメタル層と、ベースメタル層の表面に形成された熱電子放出層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】水銀を使用しない光源およびこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下部基板と、少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上で成長したエミッタチップ用カーボンナノチューブと、前記下部基板に対向し位置して、蛍光物質と透明電極を含む上部基板と、を含むことを特徴とする面光源装置およびその製造方法、前記面光源装置を用いた液晶表示装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイス，電子放出表示デバイス，および電子放出デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態による電子放出デバイスは，基板２と，基板２上に形成される主電極６ａと補助電極６ｂとを含むカソード電極６と，補助電極６ｂ上に形成される抵抗層１４と，抵抗層１４と連結する電子放出部１２と，電子放出部１２を露出させる第１開口部８ａを備え，基板２上に形成される絶縁層８と，第１開口部８ａに対応する第２開口部１０ａを備え，絶縁層８上に形成されるゲート電極１０とを含み，抵抗層１４はその厚さ方向に沿って変化する比抵抗値を有する。抵抗層１４は，補助電極６ｂの構成物質の一部を拡散させて形成される。これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 集束電極上に残留する電子放出物質から電子が放出されることを抑制して表示特性を向上させることができる電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は集束電極上に残留する電子放出物質から電子が放出されることを抑制して表示特性を高めるための電子放出素子及びその製造方法を提供する。本発明による電子放出素子は、基板上に形成されるカソード電極と、第１絶縁層を間に置いてカソード電極と他の層に位置するゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第２絶縁層を間に置いて前記カソード電極及びゲート電極上に形成される集束電極とを含む。この時、集束電極は下部電極層と、下部電極層上の残留電子放出物質を覆いながら下部電極層上に形成される上部電極層からなる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴが具備する電子放電性を損なうことなく、ＣＮＴが基板から剥離しない電子放出用電極とその簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＮＴ集合体膜を軟質金属の薄膜が形成された基板に、基板が変形しない範囲の高い圧力で加圧し、ＣＮＴ集合体膜の界面層は変形能の高い軟質金属にめり込んだ状態で基板とＣＮＴ集合体膜を接着させる。 （もっと読む）