【課題】電子を均一に放出することができ、製造工程が簡単であり低コストで製造することの可能な電子放出素子と、この電子放出素子を備えて画素間の均一度を向上させることの可能なディスプレイ装置および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１０と、第１基板１１０上に配置されたカソード電極１２０および電子放出源と、カソード電極１２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極１４０と、カソード電極１２０とゲート電極１４０との間に配置され、カソード電極１２０とゲート電極１４０とを絶縁する絶縁体層１３０と、カソード電極１２０に接するように配置され、半導体カーボンナノチューブを含む抵抗層１２５と、を備える電子放出素子１０１である。 （もっと読む）

【課題】 簡略で低コストである単原子チップ及びその調製方法を提供する。
【解決手段】 金属チップ１を調製するステップと、金属チップ１を洗浄するステップと、金属チップ１上に少量の貴金属を電気メッキするステップと、メッキした金属チップ１を熱処理し、金属チップ１の頂点に少数の原子で終端した角錐構造を形成するステップにより単原子チップを調製する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の向上。
【解決手段】 基体表面上に配置された第１導電膜と第２導電膜とを備え、該第１および第２導電膜の各々の端部は間隔を置いて互いに対向しており、前記第２導電膜までの最短距離ｄ１が１０ｎｍ以下である部分を前記第１導電膜の前記端部が備えている電子放出素子の、前記第１導電膜の前記端部の一部であって前記第２導電膜までの最短距離ｄ１が１０ｎｍ以下である前記部分から前記最短距離ｄ１離れた部分と、前記第２導電膜の前記端部との最短距離ｄ２とした際に、ｄ２／ｄ１を、１．２以上とする。 （もっと読む）

本発明はカソード（１００）と、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）（１０５）および粒子（１０４）を含むカソード材料（１０６）とを目的とする。本発明はまた、本発明のカソード（１００）を含む電界放出装置、ならびにこれらのカソード（１００）を製造する方法も目的とする。いくつかの実施態様では、本発明のカソード（１００）は電界放出ディスプレイ（２００）中に用いられる。本発明はまた、基板（２０４）上にＣＮＴ（１０５）と粒子（１０４）との層を堆積させて本発明のカソード（１００）を作製する方法、ならびにその結果得られる層の電界放出特性を電界放出ディスプレイ用途に最適化することを目的として、この混合層中に用いられるＣＮＴ（１０５）の密度を制御する方法を含む。
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【課題】 電子放出効率を向上する。
【解決手段】 第１導電性膜と第２導電性膜との間に駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］を印加することにより、第１導電性膜から電子を放出させた際に、第１導電性膜の電子が放出する部分と、第１導電性膜の電子が放出する部分から最短距離に位置する第２導電性膜の部分とを通る断面であって、第１導電性膜の電子が放出する部分の近傍において、０．５Ｖｆ［Ｖ］の等電位線を、第２導電性膜側よりも第１導電性膜側に傾ける。 （もっと読む）