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Fターム[5C580BB00]の内容

ガス放電表示管の制御 (14,416) | 駆動回路構成の特徴 (1,593)

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Fターム[5C580BB00]に分類される特許

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【課題】VDD電圧を上昇させることなく、高速スイッチングを可能にする。
【解決手段】出力素子N31のゲートに接続し、N31を駆動するINV10は、制御信号aを所定の時間遅延させ、反転出力するINV20の生成する制御信号bにより駆動されるPMOS21を介して低電圧電源端子VDDに接続する。制御信号aがオンされると、INV10はN31をオンし、N31のゲートには、VDDが印加される。N31のゲート電位が十分にVDDと同等の電位となる頃、すなわち、INV20の遅延時間経過後、INV20は制御信号bをオンからオフに変化させる。INV20が出力する制御信号bはオフになり、PMOS21はオフされ、VDDとINV10との接続は切り離される。 (もっと読む)


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