【課題】ビットエラーレートを改善し、同時に熱揺らぎによる経時変化を低減する。
【解決手段】基板上の下地膜の上に積層された第１と第２と第３と第４の磁性層を有し、第2の磁性層１６の残留磁束密度と膜厚の積（Brt2）は第３の磁性層１７の残留磁束密度と膜厚の積（Brt３）より小さく、第２の磁性層１６は第３の磁性層１７よりも厚く、第２の磁性層１６は第1の磁性層１４と非磁性中間層１５を介して反強磁性結合しており、第４の磁性層１９は非磁性中間層１８を介して第３の磁性層１７上に形成され、外部磁界を取り去った残留磁化状態で前記第４の磁性層１９の残留磁束密度と膜厚の積（Brt４）が磁性層全体の残留磁束密度と膜厚の積（Brt_total）の４７％から５２％である。 （もっと読む）