【課題】安定した情報の記録および再生を行なうことができる。
【解決手段】本実施形態に係る磁気媒体は、第１磁性層、第２磁性層、および非磁性層を含む。第１磁性層は、第１磁性体により形成され、磁化の方向に応じて前記情報が記録される。第２磁性層は、前記第１磁性体と磁気異方性が異なる第２磁性体により形成される。非磁性層は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に積層され、非磁性体で形成される。前記第１磁性層の磁化と前記第２磁性層の磁化とは、前記非磁性層を介した磁気の交換作用により、互いの磁化が反対方向を向いて結合することを示す反平行結合する。 （もっと読む）

【課題】従来の積層構成を変化させることなく、磁気記録層の磁気異方性を高めて記録信号の熱的安定性を向上させることが可能な垂直磁気記録媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも中間層、第２下地層および磁気記録層を順次積層されている垂直記録媒体であって、中間層が、ＲｕまたはＲｕ基合金の単一層、またはＣｏおよびＣｒを含む非磁性合金層とＲｕまたはＲｕ基合金の層との積層構造であり、第２下地層が、３０ａｔ％以上７５ａｔ％以下のＣｏ、および２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下のＣｒ、０．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下のＷを含み、第２下地層が０．１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】熱安定性と記録容易性を両立させ，高い面記録密度が得られる垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板と、基板上に設けられた、磁性層と非磁性層とを交互に各々二層以上積層した多層磁気記録層を備える。多層磁気記録層の磁性層と非磁性層はそれぞれ連続層である。磁性層は、磁性材料部と、磁性材料部に分散され、非磁性層の主成分である非磁性材料とは異なる非磁性金属からなる複数のピニングサイトとを有する。垂直磁気記録媒体は、保磁力付近における磁化曲線の傾きαが５以上となる磁気特性を有する。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板１１０上に、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第１グラニュラ磁性層群（下群１６０）と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする非磁性層１７０と、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第２グラニュラ磁性層群（上群１８０）と、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とする補助記録層２００とをこの順に備え、第１グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなり、第２グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上を図る。
【解決手段】本発明に係る垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板上に、グラニュラ磁性層１６０と、該グラニュラ磁性層１６０より上方に配置された補助記録層１８０とを備え、グラニュラ磁性層１６０は柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層１８０はＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし、膜厚が１．５ｎｍ〜４．０ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な記録再生特性を有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録層がグラニュラ膜型記録層と連続膜型記録層とを含み、グラニュラ膜型記録層は膜面内の磁気結晶粒子が３ｎｍから７ｎｍの平均結晶粒径を有する第１のグラニュラ膜型記録層と、第１のグラニュラ膜型記録層の平均結晶粒径よりも大きい膜面内の平均結晶粒子をもつ磁気結晶粒子を有する第２のグラニュラ膜型記録層を含む。 （もっと読む）

【課題】柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成された配向制御層を有し、なおかつ、平滑性が高く、記録再生特性に優れる高密度記録に適した磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体であって、前記配向制御層３が、磁性材料を２０ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲内で含み、前記磁性材料がＣｏまたはＦｅであるＲｕ合金層を含むものであり、前記垂直磁性層４が、前記配向制御層３を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものである磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】 補助記録層に起因すると考えられるノイズを低減させてＳＮＲを向上し、かつ磁気記録層における保磁力を向上させることにより、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基体上に少なくとも、柱状に連続して成長した磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラ構造の第１磁気記録層と、柱状に連続して成長した磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラ構造の第２磁気記録層と、非磁性の分断層と、基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層と、をこの順に備え、第１磁気記録層および第２磁気記録層はＰｔを含むＣｏ系合金であって、第１磁気記録層よりも第２磁気記録層の方がＰｔの含有量が少ないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 保護層の耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上し、保護層の膜厚が３ｎｍ以下に制限されたとしてもスクラッチ等の諸問題を回避可能な、垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層１２２と、磁気記録層より上に設けられた非磁性のバリア層１２４と、バリア層より上に設けられ基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層１２６と、補助記録層より上に設けられカーボンを主体とする保護層１２８と、保護層の上に設けられた潤滑層１３０と、を備え、保護層は、ラマンスペクトルのＤピークの高さ（Ｄｈ）とＧピークの高さ（Ｇｈ）の比（Ｄｈ／Ｇｈ）が０．７０以上０．９５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力Ｈｃを確保しつつＳＮＲを更に向上し、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第１磁気記録層１２２ａと、第１磁気記録層の上に設けられ、Ｒｕを含む非磁性の介在層１２２ｂと、介在層の上に設けられ、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第２磁気記録層１２２ｃと、を備え、第１磁気記録層および第２磁気記録層は、粒界部を形成する酸化物を含み、第１磁気記録層に含まれる酸化物の量をＡ、第２磁気記録層に含まれる酸化物の量をＢとすると、酸化物の含有量の関係Ａ／Ｂは、０．５＜Ａ／Ｂ＜１．０の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディスクリートトラック構造の精度を良好に保ち、良好なトラック間の磁気分離性能を有しながら、かつ簡便な方法で製造でき、生産性に優れたディスクリートトラック構造の製造方法を提供することにある。
【解決手段】非磁性基板上にアルミニウム膜を形成し、陽極酸化により自己組織的にナノホールを有するアルミナ層を形成し、記録トラック領域が露出したレジストパターンを形成し、記録トラック領域のナノホールに磁性材料を成膜する工程を備えたことを特徴とする。
ナノインプリント法により、ナノホールを形成する位置に凹部を形成する工程をさらに備えることが好ましい。チタンからなる第１下地層と金からなる第２下地層をさらに備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成された配向制御層を有し、なおかつ、高密度記録に適した十分に高い記録特性（ＯＷ）が得られる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体であって、前記配向制御層３が、磁性材料を含有する飽和磁化５０ｅｍｕ／ｃｃ以上のＲｕ合金層を含むものであり、前記垂直磁性層４が、前記配向制御層３を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶Ｓ３を含むものである磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の磁気記録密度を増大させ、かつ、ＳＮ比を向上させる。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも軟磁性下地層、中間層、磁気記録層、保護層が積層されている。磁気記録層は基板側から第１磁気記録層１６１、第２磁気記録層１６２の２層から構成され、第１磁気記録層１６１、第２磁気記録層１６２はそれぞれ柱状の強磁性体粒子および、柱状の強磁性体粒子を取り囲む粒界材料から構成されている。第１磁気記録層１６１における粒界材料を第２磁気記録層１６２における粒界材料の材料と異ならせ、第１磁気記録層１６１の交換相互作用を負とすることによって、記録密度を増大させ、かつ、再生時のＳＮ比を向上させる。 （もっと読む）

【課題】機能性ポリマーにより表面を平坦化するシステム、方法および装置を提供する。
【解決手段】ハードディスクドライブ用の磁気媒体ディスクの表面は、均一な自己限界厚さの単分子層厚さの膜を形成する表面グラフトポリマー鎖で平坦化される。厚さは、選択されるポリマーの分子量によって制御される。ポリマー膜を、溶媒蒸気によって膨潤させることにより、トポグラフィにおける可変幅のギャップを充填することができる。ポリマーを、放射線または熱処理により適所に架橋することができる。 （もっと読む）

【課題】 逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上とＳＮＲの向上の両立を図り、ＴＰＩを高めて高記録密度化を可能とした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、基板１１０上に少なくとも、ｆｃｃ結晶構造を有する合金を主成分とする前下地層１４０と、Ｒｕ合金からなる第１下地層１５２と、ＲｕまたはＲｕを主成分とする合金からなる第２下地層１５４と、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に金属酸化物を主成分とする非磁性の粒界部が偏析して形成されるグラニュラ磁性層１６０と、をこの順に備え、磁性粒子の粒径は７ｎｍ以下であり、第１下地層１５２は、ｈｃｐ結晶構造を有し、かつ融点がＲｕの融点未満の元素を少なくとも１種類含有するＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】ディスクリートトラック媒体上で、従来の連続膜からなる磁気記録層を含む磁気記録媒体と同様の検査が可能な磁気記録装置を提供する。
【解決手段】記録再生ヘッドを有するヘッドスライダと、磁気記録媒体であって、磁気記録可能な幅Ｌ１の記録トラックと、隣接する記録トラック間の非記録部と、前記Ｌ１より広い幅Ｌ２をもつワイドランドトラックとを有する磁気記録媒体とを具備し、前記ワイドランドトラックは前記記録再生ヘッドのスキュー角ゼロの位置に設けられていることを特徴とする磁気記録装置。 （もっと読む）

【課題】 機械的ダメージや腐食に対して耐久性のある磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ドーナツ形の基板と、前記基板上の磁性膜と、前記磁性膜上の保護膜とを具備し、前記基板の主面が、外周端と内周端との間の中央部にある記録領域と、外周端または内周端からそれぞれ１００μｍ以上２０００μｍ以内の範囲にある端部領域と、前記端部領域と前記記録領域との間にあり記録がなされない隣接領域とに区分されており、前記端部領域における磁性膜の膜厚が前記隣接領域のそれよりも薄く、前記保護膜は前記磁性膜の凹部に埋め込まれたＳｉＯ_２からなる下部保護膜とダイヤモンドライクカーボンからなる最表面の保護膜とを含み、前記端部領域における保護膜の少なくとも一部の膜厚は前記隣接領域のそれよりも厚くなっていることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】電磁変換特性が高く、かつ、耐腐食性が高い磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板１の一面１ａ上に、軟磁性下地層２と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、非磁性下地層８と、一面１ａに対して主に垂直に配向された磁化容易軸を有する垂直磁性層４と、保護層５とがこの順序で積層された磁気記録媒体であって、垂直磁性層４は２層以上の磁性層４５、４６を備えており、磁性層４５、４６のうち最も保護層５の磁性層４６に非磁性材料が分散された分散領域４８が設けられており、前記非磁性材料の濃度が保護層５側から非磁性基板１側に向けて少なくされている磁気記録媒体５０を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲ、熱安定性、記録性能を同時に満たす垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性層軟磁性下地層、磁性層の配向と偏析を制御するための下地層、その下地層上に形成された酸化物を含有するＣｏとＣｒとＰｔを主体とする合金磁性材料からなる磁性層、その磁性層の上に形成された酸化物を含まないＣｏとＣｒとＰｔを主体とする強磁性金属層とを有する。酸化物を含む磁性層は二層以上の層から構成され、強磁性金属層に隣接する層のＣｒ濃度が２３at.%以上３２at.%以下であり、隣接する層間のＣｒ濃度の差が２５at.%以下であり、最もＣｒ濃度の低い層は酸化物が強磁性粒子を取り囲んだグラニュラー構造を有し逆磁区核形成磁界が１５９．２ｋＡ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁性層の高い垂直配向性を維持し、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板１の上に、軟磁性下地層２と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、磁化容易軸が前記非磁性基板１に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、垂直磁性層４を２層以上の磁性層４ａ，４ｂ，４ｃから構成し、各磁性層４ａ，４ｂ，４ｃを構成する結晶粒子が配向制御層３を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を形成するように各層を結晶成長させる際に、配向制御層３をスパッタリング法で形成し、スパッタリングガスとしてＫｒ又はＸｅを用い、このスパッタリングガスの圧力を５Ｐａ以下とする。 （もっと読む）